本实用新型专利技术公开了一种金属硅冶炼深度除杂装置，包括装置主体，所述装置主体的顶部设有盖板，所述盖板的顶端设有进料口，所述盖板端面贯穿设有进料机构，所述进料机构包括外壳，所述外壳呈圆柱形腔体，所述外壳的内表面转动设有进料盘，所述进料盘的端面贯穿设有进料腔，所述进料腔分别设置在所述进料盘的外沿处，本实用新型专利技术通过设置装置主体，在装置主体盖板处设置进料机构用于相装置主体内部投加组合絮剂，通过设置外壳，外壳内部设置进料盘，并在进料盘的外部设置进料腔，组合絮剂通过进料斗进入进料腔内部后，转动进料盘，当进料腔转动至外壳下端的连接管后，即可进入装置主体的内部，从而可实现定量投加，同时也可实现连续投加。续投加。续投加。
【技术实现步骤摘要】
一种金属硅冶炼深度除杂装置
[0001]本技术涉及金属硅冶炼
，具体领域为一种金属硅冶炼深度除杂装置。
技术介绍
[0002]金属硅又称结晶硅或工业硅，其主要用途是作为非铁基合金的添加剂，金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，主成分硅元素的含量在98％左右，其余杂质为铁、铝和钙等，金属硅是上世纪六十年代中期出现的一个商品名称，它的出现与半导体行业的兴起有关，国际通用作法是把商品硅分成金属硅和半导体硅，金属硅是由石英和焦炭在电热炉内冶炼成的产品，半导体硅用于制作半导体器件的高纯度金属硅，是以多晶和单晶形态出售，前者价廉，后者价昂，因其用途不同而划分为多种规格，据统计，1985年全世界共消耗金属硅约50万吨，其中用于铝合金的金属硅约占60％，用于有机硅的不足30％，用于半导体的约占3％，其余用于钢铁冶炼及精密陶瓷等。
[0003]目前在传统的金属硅生产中，提高金属硅产品质量和扩大产品品种的主要是通过“清洁原料”(即采用清洁的矿产品和优质还原剂)、强化精炼或熔化重结晶后用酸去除标的杂质从而得到更高品级的硅，而根据中国专利CN105110337B中提供的种金属硅冶炼深度除杂的方法，具有可在传统精炼过程中将金属硅中的铝含量降控在0.18％以内，可在不过多增加精炼程序的情况下使冶金级硅提升到化学级硅的品级，效果比较好和成本低的特点，然而在实际操作过程中，没有相关的深度除杂装置进行相关操作，导致组合絮剂的用量不便于控制，同时在添加过程中容易耽误时机，在过滤杂质的时候，需要多种器械进行配合，降低了工作效率，故而提出一种金属硅冶炼用深度除杂装置解决上述问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种金属硅冶炼深度除杂装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种金属硅冶炼深度除杂装置，包括装置主体，所述装置主体的顶部设有盖板，所述盖板的顶端设有进料口，所述盖板端面贯穿设有进料机构，所述进料机构包括外壳，所述外壳呈圆柱形腔体，所述外壳的内表面转动设有进料盘，所述进料盘的端面贯穿设有进料腔，所述进料腔分别设置在所述进料盘的外沿处，所述进料腔的数量为多个，且所述进料腔呈环形均匀分布在所述进料盘上，所述外壳的上端侧壁贯穿设有进料斗，所述外壳的下端侧壁贯穿设有连接管，所述连接管远离所述外壳的一端与所述盖板固定连接。
[0006]优选的，所述进料盘的外表面轴心处固定连接有连接杆的一端，所述连接杆的另一端贯穿所述外壳的侧壁固定连接有控制手柄。
[0007]优选的，所述进料机构内部设有调节机构，所述调节机构包括设置在所述进料盘内部的圆形腔体，所述圆形腔体与所述进料盘同轴设置，所述圆形腔体的内周面贯穿设有
调节杆，所述调节杆的数量以及位置分别与所述进料腔一一对应，所述调节杆贯穿所述圆形腔体的侧壁固定连接有调节板，所述调节板分别滑动设置在所述进料腔的内部，所述调节杆包括两个相螺接的杆件构成，所述调节杆靠近所述进料盘轴心的一端分别固定连接有第一锥齿轮，所述圆形腔体的侧壁贯穿设有转动杆，所述转动杆对应位于所述圆形腔体内部的一端固定连接有第二锥齿轮，所述第一锥齿轮分别与所述第二锥齿轮啮合，所述转动杆的另一端贯穿所述圆形腔体以及所述外壳的侧壁固定连接有调节把手。
[0008]优选的，所述外壳的侧壁设有定位机构，所述定位机构包括贯穿所述外壳侧壁的定位套管，所述定位套管的内表面活动连接有定位栓，所述定位栓与所述定位套管之间设有弹簧，所述进料盘的外周面设有定位孔。
[0009]优选的，所述调节板分别呈弧形，且所述调节板与所述进料腔的内表面相贴合。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果是：一种金属硅冶炼深度除杂装置，通过设置装置主体，在装置主体盖板处设置进料机构用于相装置主体内部投加组合絮剂，通过设置外壳，外壳内部设置进料盘，并在进料盘的外部设置进料腔，组合絮剂通过进料斗进入进料腔内部后，转动进料盘，当进料腔转动至外壳下端的连接管后，即可进入装置主体的内部，从而可实现定量投加，同时也可实现连续投加。
附图说明
[0011]图1为本技术的主视剖面结构示意图；
[0012]图2为本技术的进料机构主视剖面结构示意图；
[0013]图3为本技术的进料机构右视剖面结构示意图；
[0014]图4为本技术的进料机构结构示意图；
[0015]图5为本技术进料盘结构示意图。
[0016]图中：1
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装置主体、2
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进料口、3
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外壳、4
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进料盘、5
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进料腔、6
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进料斗、7
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连接管、8
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连接杆、9
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控制手柄、10
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圆形腔体、11
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调节杆、12
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调节板、13
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转动杆、14
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第二锥齿轮、15
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调节把手、16
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定位套管、17
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定位栓、18
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弹簧、19
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定位孔、20
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第一锥齿轮。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]请参阅图1
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5，本技术提供一种技术方案：一种金属硅冶炼深度除杂装置，包括装置主体1，所述装置主体1的顶部设有盖板，所述盖板的顶端设有进料口2，用于相装置主体1内部进料，装置主体1用于冶炼金属硅，所述盖板端面贯穿设有进料机构，所述进料机构包括外壳3，如图4所示，所述外壳3呈圆柱形腔体，如图2所示，所述外壳3的内表面转动设有进料盘4，进料盘4与外壳3同轴设置，所述进料盘4的端面贯穿设有进料腔5，如图5所示，所述进料腔5分别设置在所述进料盘4的外沿处，所述进料腔5的数量为多个，且所述进料腔5呈环形均匀分布在所述进料盘4上，所述外壳3的上端侧壁贯穿设有进料斗6，组合絮剂加注在进料斗6的内部，所述外壳3的下端侧壁贯穿设有连接管7，所述连接管7远离所述外壳3
的一端与所述盖板固定连接，从而位于进料斗6内的组合絮剂进入进料腔5内部后，转动进料盘4，当转动至下端连接管7处后，组合絮剂即可通过连接管7进入装置主体1的内部。
[0019]具体而言，所述进料盘4的外表面轴心处固定连接有连接杆8的一端，所述连接杆8的另一端贯穿所述外壳3的侧壁固定连接有控制手柄9，通过控制手柄9控制进料盘4转动。
[0020]具体而言，所述进料机构内部设有调节机构，所述调本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属硅冶炼深度除杂装置，包括装置主体(1)，其特征在于：所述装置主体(1)的顶部设有盖板，所述盖板的顶端设有进料口(2)，所述盖板端面贯穿设有进料机构，所述进料机构包括外壳(3)，所述外壳(3)呈圆柱形腔体，所述外壳(3)的内表面转动设有进料盘(4)，所述进料盘(4)的端面贯穿设有进料腔(5)，所述进料腔(5)分别设置在所述进料盘(4)的外沿处，所述进料腔(5)的数量为多个，且所述进料腔(5)呈环形均匀分布在所述进料盘(4)上，所述外壳(3)的上端侧壁贯穿设有进料斗(6)，所述外壳(3)的下端侧壁贯穿设有连接管(7)，所述连接管(7)远离所述外壳(3)的一端与所述盖板固定连接。2.根据权利要求1所述的一种金属硅冶炼深度除杂装置，其特征在于：所述进料盘(4)的外表面轴心处固定连接有连接杆(8)的一端，所述连接杆(8)的另一端贯穿所述外壳(3)的侧壁固定连接有控制手柄(9)。3.根据权利要求2所述的一种金属硅冶炼深度除杂装置，其特征在于：所述进料机构内部设有调节机构，所述调节机构包括设置在所述进料盘(4)内部的圆形腔体(10)，所述圆形腔体(10)与所述进料盘(4)同轴设置，所述圆形腔体(10)的内周面贯穿设有调节杆(11)，所述调节杆(11)的数...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗小花，谢小宁，
申请(专利权)人：伊犁金腾硅业有限公司，
类型：新型
国别省市：
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