【技术实现步骤摘要】
存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
[0001]本专利技术涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
[0002]一般来说，存储器存储装置可将属于不同操作单元(例如，平面、通道或晶粒)的多个区块组成区块群组进行操作。存储器存储装置会事先预留备用区块，以便在坏块(Bad Block)管理侦测及标记出区块群组中的故障区块时加以替换。如此可防止数据再度被写入故障区块中。然而，遇到用于替换的区块是属于另一个操作单元时，会造成数据存取的速度严重掉速。若是在侦测到故障区块时不替换区块，而采用跳过该故障区块的方式存取区块群组中的数据，则会因每个区块群组包括的区块数量不同而在搬移数据时需要额外的处理。此些坏块管理方法将造成存储器存储装置运行速度飘忽不定。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提升存储器存储装置的速度稳定性。
[0004]本专利技术一范例实施例提出一种存储器管理方法，用于...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器管理方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个晶粒，每一所述多个晶粒包括多个平面，每一所述多个平面包括多个实体抹除单元，且所述可复写式非易失性存储器模块包括的所述多个平面的数目总合为第一数目，所述存储器管理方法包括：将所述多个实体抹除单元组合成多个管理单元，其中每一所述多个管理单元包括的所述多个实体抹除单元中的每一个分别属于不同的所述多个平面，并且每一所述多个管理单元具有第二数目的所述多个实体抹除单元，其中所述第二数目小于所述第一数目。2.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其特征在于，所述多个管理单元包括第一管理单元，所述方法还包括：响应于侦测到所述第一管理单元包括第一坏实体抹除单元，提取第一替换实体抹除单元来替换所述第一坏实体抹除单元，其中所述第一替换实体抹除单元与所述第一坏实体抹除单元属于相同平面。3.根据权利要求2所述的存储器管理方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述第一坏实体抹除单元与所述第一替换实体抹除单元的替换信息记录在第一管理表。4.根据权利要求3所述的存储器管理方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述第一管理表，在存取所述第一管理单元时存取所述第一替换实体抹除单元。5.根据权利要求3所述的存储器管理方法，其特征在于，所述第一管理表记录所述多个实体抹除单元中所有的坏实体抹除单元与替换实体抹除单元的替换信息。6.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其特征在于，每一所述多个管理单元具有相同数目的所述多个实体抹除单元。7.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其特征在于，将所述多个实体抹除单元组合成所述多个管理单元的步骤包括：根据第二管理表将所述多个实体抹除单元组合成所述多个管理单元，其中所述第二管理表记录所述可复写式非易失性存储器模块中所有的坏实体抹除单元。8.一种存储器存储装置，包括：连接接口单元，用以耦接至一主机系统；可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个晶粒，每一所述多个晶粒包括多个平面，每一所述多个平面包括多个实体抹除单元，且所述可复写式非易失性存储器模块包括的所述多个平面的数目总合为第一数目；以及存储器控制电路单元，耦接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以将所述多个实体抹除单元组合成多个管理单元，其中每一所述多个管理单元包括的所述多个实体抹除单元中的每一个分别属于不同的所述多个平面，并且每一所述多个管理单元具有第二数目的所述多个实体抹除单元，其中所述第二数目小于所述第一数目。9.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其特征在于，所述多个管理单元包括第一管理单元，并且响应于侦测到所述第一管理单元包括第一坏实体抹除单元，所述存储器控制
电路单元更用以提取第一替换实体抹除单元来替换所述第一坏实体抹除单元，其中所述第一替换实体抹除单元与所述第一坏实体抹除单元属于相同平面。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其特征在于，所述存储器控制电路单元更用以将所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶志刚，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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