本实用新型专利技术公开了一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，属于多晶硅生产领域，本装置包括区熔炉(1)和设于区熔炉(1)中的采样装置，采样装置包括设于区熔炉(1)上部的移动上轴(2)、籽晶夹头(3)和籽晶(4)、设于区熔炉(1)下部的移动下轴(5)、颗粒硅载体(7)和颗粒硅(8)，以及设于籽晶(4)与颗粒硅(8)之间的加热线圈(9)；移动下轴(5)的下端与区熔炉(1)底部连接，移动下轴(5)的上端与所述颗粒硅载体(7)连接，所述颗粒硅(8)设置于所述颗粒硅载体(7)中；本实用新型专利技术所述颗粒硅载体(7)为高纯多晶硅柱，使用多晶硅载体替代传统的石英试管或坩埚，避免采样过程中的二次污染，保证检测的准确性。准确性。准确性。
【技术实现步骤摘要】
一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置
[0001]本技术涉及多晶硅生产领域，尤其涉及一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置。
技术介绍
[0002]多晶硅是微电子行业和光伏行业的基础材料，传统生产高纯多晶硅的方法有西门子法和流化床法。当下主流的多晶硅的检测方法主要是在CVD还原生产的多晶硅棒上取样制成小棒状，再将小棒状料经过区熔炉二次晶体生长成单晶后，再取样检测纯度以及杂质含量，进而判定多晶硅的品质。流化床法生产颗粒状多晶硅通常是将高纯粒状硅做“种子”，在流化床反应器内形成流化状态，再引入高纯含硅气体在加热的流化种子上反应沉积，从而使得高纯硅种子越长越大，得到颗粒状的多晶硅。
[0003]流化床法得到的颗粒状多晶硅品质的好坏需要进行制样二次晶体生长成单晶再检测，因此首先将颗粒多晶硅即颗粒硅制作成小棒状，再二次晶体生产成单晶后进行相关品质检测。目前将颗粒硅制作成小棒状方法主要是利用石英试管或坩埚将颗粒硅熔化然后在结晶成小棒状，此过程存在严重二次污染情况，这就影响判断颗粒硅质量的准确性。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于克服现有技术中多晶硅采样检测存在的问题，提供了一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置。
[0005]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0006]主要提供一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，包括区熔炉和设于所述区熔炉中的采样装置，所述采样装置包括：
[0007]设于区熔炉上部的移动上轴、籽晶夹头和籽晶，所述移动上轴的上端与所述区熔炉上部连接，所述移动上轴的下端与所述籽晶夹头连接，所述籽晶夹在所述籽晶夹头上；
[0008]设于区熔炉下部的移动下轴、颗粒硅载体和颗粒硅，所述移动下轴的下端与所述区熔炉底部连接，所述移动下轴的上端与所述颗粒硅载体连接，所述颗粒硅设置于所述颗粒硅载体中；
[0009]设于所述籽晶与颗粒硅之间的加热线圈；
[0010]所述颗粒硅载体为高纯多晶硅柱。
[0011]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述颗粒硅载体为凹型高纯硅棒。
[0012]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述加热线圈为高频线圈。
[0013]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述高频线圈为单匝双刃线圈。
[0014]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述采样装置还包
括升降装置，所述升降装置与所述加热线圈连接。
[0015]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述升降装置包括电机和由所述电机驱动的升降杆，所述升降杆与所述加热线圈连接。
[0016]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述颗粒硅载体和所述移动下轴之间设有区熔炉料座。
[0017]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述区熔炉中接有氩气管。
[0018]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述籽晶为方形或圆柱状。
[0019]作为一优选项，一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，所述区熔炉上部密封，所述区熔炉中设有压力检测装置和温度检测装置。
[0020]需要进一步说明的是，上述各选项对应的技术特征在不冲突的情况下可以相互组合或替换构成新的技术方案。
[0021]与现有技术相比，本技术有益效果是：
[0022](1)本技术的颗粒硅载体为高纯多晶硅柱，通过使用多晶硅载体替代传统的石英试管或坩埚，避免采样过程中严重的二次污染，保证颗粒硅质量检测的准确性。
[0023](2)本技术设计升降装置，通过所述升降装置与所述加热线圈连接，方便调整加热线圈的高度到合适的位置，提高制棒的质量。
[0024](3)本技术的区熔炉中接有氩气管，在制棒前通入氩气置换区熔炉中的空气，避免制棒过程中多晶硅的氧化，并在使用过程中保证设备的稳定性。
[0025](4)本技术通过在区熔炉中设压力检测装置和温度检测装置，实时监测使用过程中的压力和温度环境，保证制棒需要的外界条件，同时保证设备运行的稳定性。
附图说明
[0026]图1为本技术一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置的结构示意图；
[0027]图2为本技术带有升降装置的检测采样装置的结构示意图；
[0028]图3为本技术带有氩气管的检测采样装置的结构示意图；
[0029]图4为本技术带有压力检测装置和温度检测装置的检测采样装置的结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，属于“第
一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0033]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0034]本技术主要通过使用多晶硅载体替代传统的石英试管或坩埚，避免采样过程中严重的二次污染，保证颗粒硅质量检测的准确性。同时设计氩气管以及环境监测装置保证系统运行的稳定性。
[0035]实施例1
[0036]在一示例性实施例中，提供一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，包括区熔炉1和设于所述区熔炉1中的采样装置，如图1所示所述采样装置包括：
[0037]设于区熔炉1上部的移动上轴2、籽晶夹头3和籽晶4，所述移动上轴2的上端与所述区熔炉1上部连接，所述移动上轴2的下端与所述籽晶夹头3连接，所述籽晶4夹在所述籽晶夹头3上；
[0038]设于区熔炉1下部的移动下轴5、颗粒硅载体7和颗粒硅8，所述移动下轴5的下端与所述区熔炉1底部连接，所述移动下轴5的上端与所述颗粒硅载体7连接，所述颗粒硅8设置于所述颗粒硅载体7中；
[0039]以及设本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，包括区熔炉(1)和设于所述区熔炉(1)中的采样装置，其特征在于，所述采样装置包括：设于区熔炉(1)上部的移动上轴(2)、籽晶夹头(3)和籽晶(4)，所述移动上轴(2)的上端与所述区熔炉(1)上部连接，所述移动上轴(2)的下端与所述籽晶夹头(3)连接，所述籽晶(4)夹在所述籽晶夹头(3)上；设于区熔炉(1)下部的移动下轴(5)、颗粒硅载体(7)和颗粒硅(8)，所述移动下轴(5)的下端与所述区熔炉(1)底部连接，所述移动下轴(5)的上端与所述颗粒硅载体(7)连接，所述颗粒硅(8)设置于所述颗粒硅载体(7)中；以及设于所述籽晶(4)与颗粒硅(8)之间的加热线圈(9)；所述颗粒硅载体(7)为高纯多晶硅柱。2.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述颗粒硅载体(7)为凹型硅棒。3.根据权利要求1所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，所述加热线圈(9)为高频线圈。4.根据权利要求3所述的一种颗粒状多晶硅杂质元素的检测采样装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈斌，安红军，汪成洋，张孝山，史长岳，都强，甘易武，宗冰，
申请(专利权)人：亚洲硅业青海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。