DC/DC变换器的自驱动电路制造技术

本发明专利技术提供一种低压大电流高功率密度ＤＣ／ＤＣ变换器的自驱动电路，该变换器包括变压器部分、功率ＭＯＳ管部分（Ｓ）、输出整流部分（ＳＲ↓［１］、ＳＲ↓［２］）、滤波部分和去磁部分；该自驱动电路的第１种结构的电路由Ｄａ、Ｒａ、Ｃａ、Ｑａ组成，对ＳＲ↓［２］进行自驱动；第２种结构的电路由Ｄａ、Ｒａ、Ｓａ、一个延时驱动电路和一个隔离微分电路组成，对ＳＲ↓［２］进行自驱动，本发明专利技术的自驱动电路能使交叉导电损耗最小，变换器效率最高。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低电压大电流高功率密度DC/DC变换器的自驱动电路。随着通信、遥感、电子计算机、电子仪器等高科技的迅速发展，对于电子设备的电源，也就相应地提出了更高的要求。低压大电流高功率密度DC/DC变换器是超大规模集成电路和高速中央处理器电源的核心技术。为实现高效率、高功率密度的要求，这类DC/DC变换器的副边(次级)，应当用同步整流(MOSFET)晶体管来代替肖特基(Schottky)二极管进行整流，以减少通态损耗。但对于同步整流MOSFET，其门极需要对应的驱动电路来激励，为了避免交叉导电损耗，对驱动控制就有很高的时序要求，已有的驱动控制采用外驱动技术，但其控制复杂，成本较高。附图说明图1a表示一种三绕组去磁正激电路，其副边电压波形如图1b所示。图2为在图1电路中利用副边电压波形驱动同步整流MOSFET晶体管SR1和SR2的自驱动电路。其中一个同步整流MOSFET晶体管SR1(用于整流)可用变压器的副边电压波形直接驱动，而另一个同步整流MOSFET晶体管SR2(用于续流)则不能用变压器的副边电压波形直接驱动，原因是变压器副边的电压波形从去磁阶段到激磁阶段间有一个死区间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＤＣ／ＤＣ变换器的自驱动电路，所述变换器的整流部分包括同步整流ＭＯＳ晶体管（ＳＲ↓［１］）和（ＳＲ↓［２］），其特征在于，所述自驱动电路由电阻（Ｒａ）、电容（Ｃａ）、晶体管（Ｑａ）及所述二极管（Ｄａ）组成，所述电阻（Ｒａ）和电容（Ｃａ）并联连接，该并联的一端与所述绕组（Ｎ↓［Ｓ］）的正极连接，另一端与所述晶体管（Ｑａ）的基极相连；所述晶体管（Ｑａ）的发射极与所述ＭＯＳ晶体管（ＳＲ↓［１］）的源级相连，而其集电极与所述二极管（Ｄａ）的阴极和ＭＯＳ管（ＳＲ↓［２］）的门极相连；所述二极管（Ｄａ）的阳极与所述绕组（Ｎ↓［Ｓ］）的负极相连，而其阴极与所述ＭＯＳ晶体管（ＳＲ↓［２］）的门极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张兴柱，董晓鹏，
申请(专利权)人：艾默生网络能源有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]