间歇性控制的同步整流装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术有关一种间歇性控制的同步整流装置及其控制方法。同步整流装置包括：一变压器，包含一次侧线圈、二次侧线圈、第一辅助线圈与第二辅助线圈，一次侧线圈电连接电源；一第一开关元件与一第二开关元件电连接二次侧线圈，其控制端分别电连接等辅助线圈，以使第一开关元件以及第二开关元件交互导通，形成一同步整流电路；一第三开关元件，串接于第一开关元件与第一辅助线圈之间；一第四开关元件，串接于第二开关元件与第二辅助线圈之间；一检测电路，电连接同步整流装置的输出端；以及一控制电路，电连接检测电路，当负载状态为重载时，控制电路使第三开关元件与第四开关元件导通，当负载状态为轻载时，使第三开关元件与第四开关元件截止。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是为一种同步整流装置及其控制方法。(2)
技术介绍
在目前的电源供应器(Power Supply)产品中，常常使用到一种包括以变压器作为驱动同步整流晶体管的同步整流(Synchronous Rectifier)装置，以使交流输入信号进行一较有效率的整流滤波动作。然而，习知的同步整流装置是应用二极管作为同步整流的用。另外，当该二极管同步整流装置应用于一低电压的电源供应器时，则因为该二极管的顺向导通电压降会产生超过50％电力损失，造成低电压电源供应器应用上的困难，因此高效率、低电压的电源供应器一般皆是以金属氧化半导体场效晶体管(MOSFETs)取代二极管(diodes)，以减少二极管的顺向导通的电力损失，以提高同步整流装置的效率。请参阅图1，图1是习知金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)同步整流装置的电路示意图。如图1所示，该金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)同步整流装置10包括一变压器11、二金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)12与13、一滤波电感14以及一滤波电容15。该变压器11包括一个一次侧线圈111、二个二次侧线圈112与113以及二个辅助绕组114本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同步整流装置，其特征在于，包括：一变压器，包括一一次侧线圈、一二次侧线圈、第一辅助线圈与第二辅助线圈，该一次侧线圈电连接一电源；一第一开关元件与一第二开关元件电连接该二次侧线圈，其控制端分别电连接该辅助线圈，利用该辅助线圈致使该 第一开关元件以及该第二开关元件交互导通，形成一同步整流电路；一第三开关元件，串联连接于该第一开关元件与该第一辅助线圈之间；一第四开关元件，串联连接于该第二开关元件与该第二辅助线圈之间；一检测电路，电连接该同步整流装置的一输出端， 用以检测一负载状态；以及一控制电路，电连接该检测电路，根据该负载状态为重载时，该控制电路致使该第三开...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀坚，甘鸿坚，陈怡，章进法，
申请(专利权)人：台达电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]