【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种无损耗吸收电路。
技术介绍
开关型电源变换器的输出整流二极管工作在硬开关状态,在换流时变压器的副边存在寄生振荡,下边将论述其产生原因及现有的抑制措施。整流桥的寄生振荡产生于变压器的漏感或附加的谐振电感与变压器的绕组电容和整流管的结电容之间。当副边电压为零时,在全桥整流器中四只二极管全部导通,输出滤波电感电流处于自然续流状态。当副边电压变化为高电压VIN/K(K为变压器变比)时,整流桥中有两只二极管要关断,有两只二极管继续导通。这时变压器漏感或附加的谐振电感就开始和关断的二极管的电容谐振,即使采用快恢复二极管,二极管仍然要承受至少两倍的尖峰电压。副边漏感上电流是负载电流和将关断的二极管的反向恢复电流之和,此电流和输出整流二极管结电容谐振的结果,在关断的整流二极管上产生较高的尖峰电压。关于如何抑制输出整流二极管反向尖峰电压,在现有的技术中有两种电阻电容缓冲吸收,即RC缓冲电路;电阻电容二极管缓冲吸收,即RCD缓冲电路。RC缓冲电路如图1所示,Vsec1为双极性电压源,Lik为等效电感,图中的103、104、105、106为输出整流二极管,图中的1 ...
【技术保护点】
一种抑制二极管反向尖峰电压的电路,包括一个嵌位二极管Ds、一个嵌位电容Cs,其特征在于还包括一个释放二极管Dr和一个输出电感Lf2;所述嵌位二极管Ds的正极接所述输出电感Lf2的原边,所述嵌位二极管Ds的负极与所述嵌位电容Cs相连,嵌位二极管Ds和嵌位电容Cs的连接点与所述释放二极管Dr的正极连接,释放二极管Dr的负极连接所述输出电感Lf2的副边,输出电感Lf2的原边和副边的另一端均与负载的正端相连;所述嵌位电容Cs的另一端与负载的负端连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:吴永钊,范爱珍,
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司,
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]
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