导电性膜的制造方法和导电性膜技术

本发明专利技术的课题在于提供能够抑制导电性膜的电阻值上升的导电性膜的制造方法等。解决手段为一种导电性膜的制造方法，其包括将在热塑性树脂中配合有金属填料的导电性组合物从模具挤出的步骤；和利用流延辊对导电性组合物进行冷却的步骤。对于导电性组合物从流延辊的相反侧向流延辊侧施加的线压为10N/mm以下。反侧向流延辊侧施加的线压为10N/mm以下。反侧向流延辊侧施加的线压为10N/mm以下。

【技术实现步骤摘要】
导电性膜的制造方法和导电性膜


[0001]本专利技术涉及导电性膜的制造方法和导电性膜。

技术介绍

[0002]在日本特开2014－91248号公报(专利文献1)中，公开了一种导电性膜的制造方法。在该制造方法中，从T模挤出的导电性组合物被冷却辊和橡胶辊夹住。导电性组合物通过冷却辊和橡胶辊被送至后方，从而制造导电性膜(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014－91248号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术的专利技术人发现，在专利文献1中，当橡胶辊对冷却辊施加的压力大时，导电性膜的电阻值上升。
[0008]本专利技术用于解决这种问题，其目的在于，提供能够抑制导电性膜的电阻值上升的导电性膜的制造方法等。
[0009]用于解决技术问题的技术方案
[0010]本专利技术的一个方面涉及的导电性膜的制造方法包括：将在热塑性树脂中配合有金属填料的导电性组合物从模具挤出的步骤；和利用流延辊对导电性组合物进行冷却的步骤。对于导电性组合物从流延辊的相反侧向流延辊侧施加的线压为10N/mm以下。
[0011]在该导电性膜的制造方法中，对利用流延辊进行冷却的导电性组合物施加的线压为10N/mm以下。因此，通过该导电性膜的制造方法，对导电性组合物施加的线压低，存在于导电性组合物的表面附近的金属填料难以进入导电性组合物的较深的部分，因此，能够抑制导电性膜的电阻值的上升。
[0012]在上述导电性膜的制造方法中，在利用流延辊对导电性组合物进行冷却的步骤中，可以使导电性组合物被流延辊和接触辊夹住，由接触辊对流延辊施加压力。
[0013]在上述导电性膜的制造方法中，对于导电性组合物从流延辊的相反侧向流延辊侧施加的线压可以为4N/mm以下。
[0014]本专利技术的另一方面涉及的导电性膜包含热塑性树脂和金属填料。在利用SEM－EDX(扫描电子显微镜/能量色散型X射线光谱仪，Scanning Electron Microscope/Energy Dispersive X－ray Spectroscopy)的分析中，相对于配置导电性膜的试验片的试样观察台的倾斜角度为0
°
时检测出的金属填料的含有率，倾斜角度为40
°
时检测出的金属填料的含有率的比例为0.7以上。
[0015]在利用SEM－EDX的分析中，当试样观察台的倾斜角度为0
°
时，截止至试验片的比较深的位置为检测范围。另一方面，当试样观察台的倾斜角度为40
°
时，截止至试验片的比
较浅的位置为检测范围。因此，可以说，倾斜角度为40
°
时检测出的金属填料的含有率相对于倾斜角度为0
°
时检测出的金属填料的含有率的比例越大，则位于试验片的表面附近的金属填料的量越多。该导电性膜中，试样观察台的倾斜角度为40
°
时检测出的金属填料的含有率相对于试样观察台的倾斜角度为0
°
时检测出的金属填料的含有率的比例为0.7以上。因此，通过该导电性膜，由于位于表面附近的金属填料的量比较多，能够实现比较低的电阻值。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据本专利技术，能够提供能够抑制导电性膜的电阻值上升的导电性膜的制造方法等。
附图说明
[0018]图1是示意地表示导电性膜的制造装置的图。
[0019]图2是示意地表示试样观察台的倾斜角度为0
°
时的SEM－EDX的图。
[0020]图3是示意地表示试样观察台的倾斜角度为40
°
时的SEM－EDX的图。
[0021]符号说明
[0022]10：制造装置、20：SEM－EDX、100：T模、200：流延辊、300：接触辊、350：控制装置、390：卷取辊、400：试样观察台、500：检测器、C1：导电性组合物、C2：导电性膜。
具体实施方式
[0023]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细的说明。另外，对图中相同或相应的部分，赋以相同符号且不重复进行其说明。
[0024][1.制造装置的构成][0025]图1是示意地表示本实施方式涉及的导电性膜C2的制造装置10的图。如图1所示，制造装置10包括T模100、流延辊200、接触辊300、控制装置350和卷取辊390。
[0026]T模100被配置成将导电性组合物C1熔融挤出的结构。导电性组合物C1包含热塑性树脂原材料和金属填料。在制造装置10中，基于导电性组合物C1制造导电性膜C2。导电性膜C2例如可以作为复印机或打印机等的带电膜或除电膜、其他电气/电子机器或部件用的各种功能性膜。另外，对导电性膜C2可以实施电晕放电、等离子体、涂敷或溅射等表面加工，也可以不实施。作为热塑性树脂原材料，只要是具有热塑性的树脂原材料，使用任何原材料都可以。
[0027]作为热塑性树脂原材料，例如可以使用聚丙烯(PP)或聚乙烯(PE)等聚烯烃系树脂(均聚物和共聚物)。另外，作为热塑性树脂，也可以使用例如四氟乙烯－全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、四氟乙烯－六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯－四氟乙烯共聚物(ETFE)或四氟乙烯－六氟丙烯－全氟烷基乙烯基醚共聚物(EPE)等氟系共聚物、聚醚酯等聚酯系共聚物、或者聚醚酰胺或聚醚酯酰胺等聚酰胺系共聚物等。另外，作为热塑性树脂原材料，还可以使用例如上述物质的聚合物合金或聚合物掺混物。
[0028]作为金属填料，可以列举铂、金、银、铜、镍、钛和它们的混合物。即、导电性组合物C1所含的金属填料包括选自铂、金、银、铜、镍和钛中的至少1种金属。另外，这些中，作为金属填料更优选镍颗粒。
[0029]流延辊200被配置成将从T模100挤出的导电性组合物C1冷却、并且送至下游的构成。接触辊300配置成将从T模100挤出的导电性组合物C1向流延辊200侧推压、并且送至下游的构成。即、导电性组合物C1被流延辊200和接触辊300夹住。卷取辊390配置成对通过流延辊200冷却而制得的导电性膜C2进行卷取。
[0030]控制装置350包括CPU(中央处理单元，Central Processing Unit)、RAM(随机存取存储器，Random Access Memory)和ROM(只读存储器，Read Only Memory)等，配置成根据信息处理而进行制造装置10的各构成要素的控制。控制装置350例如控制接触辊300对流延辊200施加的压力。接触辊300例如与未图示的气缸(air cylinder)连接。控制装置350通过控制该气缸的压力来控制接触辊300对流延辊200施加的压力。
[0031]在制造装置10中，为了提高导电性膜C2的平面度，利用接触辊300将导电性组合物C1向流延辊200侧进行推压。作为对导电性组合物C1向流延辊200侧施力的方法，还可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电性膜的制造方法，其特征在于，包括：将在热塑性树脂中配合有金属填料的导电性组合物从模具挤出的步骤；和利用流延辊对所述导电性组合物进行冷却的步骤，其中，对于所述导电性组合物从所述流延辊的相反侧向所述流延辊侧施加的线压为10N/mm以下。2.如权利要求1所述的导电性膜的制造方法，其特征在于：在利用所述流延辊对所述导电性组合物进行冷却的步骤中，所述导电性组合物被所述流延辊和接触辊夹住，所述接触辊对所述流延辊施加压力。3.如权利要求1或2所述的导电性膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈亮，内丸正宏，
申请(专利权)人：郡是株式会社，
类型：发明
国别省市：