用于高效的高次谐波产生的方法和设备技术

披露了一种产生高次谐波辐射的高次谐波辐射源和相关联的方法。所述高次谐波辐射源被配置成通过利用辐射的预脉冲照射所述气体介质来调节所述气体介质，由此产生包括预脉冲等离子体分布的等离子体；以及利用辐射的主脉冲来照射所述气体介质以产生所述高次谐波辐射。所述调节步骤使得包括预脉冲等离子体分布的所述等离子体用于配置所述主脉冲的波前以改善以下各项中的一种或两者：所述高次谐波产生过程的效率，和所述高次谐波辐射的束品质。所述高次谐波辐射源还可以包括束整形装置，所述束整形装置被配置成在所述调节之前对所述定制化预脉冲进行整形。制化预脉冲进行整形。制化预脉冲进行整形。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高效的高次谐波产生的方法和设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10月29日递交的欧洲申请19205875.8的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。


[0003]本专利技术涉及高次谐波辐射的产生，并且具体地涉及与集成电路的制造中的量测应用有关的这种高次谐波辐射产生器。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以使用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用极紫外(EUV)辐射(具有在4
‑
20nm范围内的波长，例如6.7nm或13.5nm)的光刻设备可以被用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高次谐波辐射源，包括气体介质并且被配置成：通过利用辐射的预脉冲照射所述气体介质来调节所述气体介质，由此产生包括预脉冲等离子体分布的等离子体；利用辐射的主脉冲来照射所述气体介质以产生所述高次谐波辐射，其中所述调节步骤使得包括预脉冲等离子体分布的所述等离子体用于配置所述主脉冲的波前以改善以下各项中的一种或两者：高次谐波产生过程的效率，和所述高次谐波辐射的束品质。2.根据权利要求1所述的高次谐波辐射源，其中，所述高次谐波辐射源还包括束整形装置，所述束整形装置被配置成在所述调节之前对所述预脉冲进行整形，使得所述预脉冲包括辐射的定制化预脉冲。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述束整形装置包括相位调制装置和/或强度调制装置。4.根据权利要求2或3所述的设备，其中，所述束整形装置包括相位板、空间光调制器或孔中的一种或任何组合。5.根据权利要求2、3或4中任一项所述的高次谐波辐射源，其中，所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉冲进行整形，使得所述定制化预脉冲产生所述预脉冲等离子体分布，所述预脉冲等离子体分布补偿随后由所述主脉冲所产生的主脉冲等离子体分布使得所述主脉冲在由所述预脉冲和主脉冲的组合所产生的后主脉冲等离子体中经历更均匀的等离子体分布。6.根据权利要求2至5中任一项所述的高次谐波辐射源，其中，所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉冲进行整形以具有离轴空间强度分布，所述离轴空间强度分布被配置成产生离轴预脉冲等离子体分布。7.根据权利要求2至6中任一项所述的高次谐波辐射源，其中，以下各项中的至少一项成立：所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉冲进行整形，使得所述预脉冲等离子体分布在轴向区中具有与所述轴向区外的区处的等离子体密度相比更低的等离子体密度；所述定制化预脉冲被配置成对所述定制化预脉冲进行整形以包括大致环形的空间分布，并且因此产生具有大致环形的空间分布的所述预脉冲等离子体分布；和所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：