金属纳米线网络至导电聚合物中的集成制造技术

制造金属纳米线：导电聚合物复合材料。通过在金属纳米线层上留下有机配体残留物的方法形成金属纳米线层。在支撑基底上形成导电聚合物膜。将金属纳米线层与导电聚合物膜集成以形成金属纳米线：导电聚合物复合材料。用包含金属离子源、至少一种酸和溶剂的反应溶液润湿所述金属纳米线：导电聚合物复合材料一段时间，该时间足以从金属纳米线层中去除所述有机配体残留物并且足以由所述金属离子源生长金属纳米粒子以在金属纳米线层中的两根或更多根纳米线彼此接触的接点处产生金属互连。纳米粒子生长后，从反应溶液中取出纳米线：导电聚合物复合材料并干燥。合物复合材料并干燥。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属纳米线网络至导电聚合物中的集成
专利

[0001]本专利技术涉及由金属纳米线和导电聚合物组成的柔性透明导电电极，并且，更具体地，涉及用于增强复合电极的导电性和耐久性的方法。
[0002]背景
[0003]在包括显示器、太阳能电池和LED的很多种电气器件中都需要透明导电电极。传统上，氧化铟锡(ITO)在这些应用中被用作透明导电电极。然而，该材料的铟含量使得ITO的成本高。此外，ITO一般通过相对昂贵的气相沉积技术沉积，并且是可以容易地破裂的脆性材料。因此，研究已致力于寻找具有合适导电性和透明度的替代材料。
[0004]包括金、银、铜等的基于金属纳米线的电极，由于突出的机械柔性、高透明度和优异的导电性的优点，已经作为用于不同应用诸如加热器、智能窗、太阳能电池、发光二极管的有前景的候选物出现。
[0005]然而，金属纳米线一般具有非常粗糙的表面，这限制了它们在器件中用作下电极。为了解决表面粗糙度问题，可以将金属纳米线掺入到聚合物基底中。尽管将纳米线并入到聚合物基底基质中产生光滑的表面，但是在该复合结构中只有非常小部分的纳米线可以被暴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种将无配体金属纳米线网络和导电聚合物集成的方法，所述方法包括：通过在金属纳米线层上留下有机配体残留物的方法形成金属纳米线层，所述金属纳米线层包括两个或更多个纳米线彼此接触的多个结点；在支撑基底上形成导电聚合物膜；将所述金属纳米线层与所述导电聚合物膜集成以形成金属纳米线：导电聚合物复合材料；用包含金属离子源和至少一种酸的反应溶液润湿所述金属纳米线：导电聚合物复合材料持续足以从所述金属纳米线层去除所述有机配体残留物并且足以由所述金属离子源生长金属纳米粒子以在所述金属纳米线层中的所述两个或更多个纳米线彼此接触的结点处产生金属互连的时间段；从所述反应溶液中取出所述纳米线：导电聚合物复合材料；干燥所述纳米线：导电聚合物复合材料。2.根据权利要求1所述的方法，其中，导电聚合物是导电的本征导电聚合物。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述导电聚合物为(聚(3,4
‑
乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐)(PEDOT:PSS)、聚[2,6
‑
(4,4
‑
双
‑
钾丁基磺酸酯
‑
4H
‑
环戊二烯
‑
[2,1
‑
b；3,4
‑
b
’
]
‑
二噻吩)
‑
交替
‑
4,7
‑
(2,1,3
‑
苯并噻二唑)](CPE
‑
K)或聚[2,6
‑
(4,4
‑
双
‑
钠丁基磺酸酯
‑
4H
‑
环戊二烯
‑
[2,1
‑
b；3,4
‑
b
’
]
‑
二噻吩)
‑
交替
‑
4,7
‑
(苯)](CPEPh
‑
Na)。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑基底是能够支持将所述导电聚合物膜保持在其表面上的材料。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡植豪，金真旭，
申请(专利权)人：香港大学，
类型：发明
国别省市：