基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法技术

技术编号:33797119 阅读:74 留言:0更新日期:2022-06-16 10:00
本发明专利技术公开了一种基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法,在芯片集成微腔表面生长以二维层状材料为代表的镀层结构,通过偏置电压调节镀层自由载流子浓度,利用自由载流子致折射率变化反向补偿热致折射率变化直至实现微腔谐振频率锁定。本发明专利技术能够将微腔谐振频率锁定于本征频率,毋须改变信号光场频率,自由载流子致折射率增大与热致折射率减小形成的负反馈补偿机制具有极高的稳定性,能够大幅提升各种包含微腔结构的芯片集成光子器件稳定性,为构建可靠可用的芯片集成光电信息系统奠定坚实基础。定坚实基础。定坚实基础。

【技术实现步骤摘要】
基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法


[0001]本专利技术属于集成光学、半导体物理与微波光子学的交叉学科领域,具体是指一种通过偏置电压改变二维层状材料自由载流子浓度、调节芯片集成微腔折射率、补偿光场损耗发热引起的折射率变化、实现微腔谐振频率锁定的方法,尤其涉及一种基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法、系统及存储介质。

技术介绍

[0002]芯片集成光路可用于构建光通信系统、光计算系统、光学相控阵和微波光子信号处理系统等光电信息系统,与传统自由空间光路和全光纤光路相比具有体积小、功耗低、成本低、易集成、性能较稳定、可批量生产等诸多优势。芯片集成光电信息系统综合性能高度取决于各分立器件性能,由一系列有源器件和无源器件组成,常见有源器件包括微型激光器、纳米线探测器、光学调制器、可调谐滤波器、可调谐衰减器等;常见无源器件包括定向耦合器、光学分束器、波分复用器、偏振分束器等。
[0003]芯片集成微腔是一种广泛采用的、为光场提供谐振反馈的微纳结构,既能实现波分复用、带通滤波、带阻滤波、强度调制、光学开关等线性光学功能,也可实现光学参量震荡、光学频率梳、波长转换、多点广播等非线性光学功能。需要注意的是,微腔对谐振光场的损耗吸收会将光能转化为热能,热致折射率变化将引起微腔谐振频率偏移,使得频率等于微腔本征频率(无光条件下的谐振频率)的光场发生失谐。现阶段主要通过两种技术方案解决上述问题:一是调整光场频率直至微腔热量积聚速度和耗散速度达到动态平衡,二是通过芯片集成加热器加热微腔,直至微腔热量积聚速度和耗散速度达到动态平衡;以上两种方法锁定的微腔谐振频率通常失谐于本征频率,控制难度较大且不具备普适性。

技术实现思路

[0004]基于现有技术的问题,本专利技术要解决的技术问题是如何通过标准工艺流程制备芯片集成微腔、二维层状材料镀层和外接电极,加载偏置电压改变镀层自由载流子浓度并通过自由载流子致折射率增大补偿热致折射率减小,实时监测信号光场功率并反馈偏置电压直至达到动态平衡,此时芯片集成微腔谐振频率长时稳定锁定在本征频率上。
[0005]为了达到上述效果,本专利技术提供的基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法,包括:
[0006]步骤一、制备微腔,通过标准工艺流程制备芯片集成微腔,将二维层状材料镀层无损转移至微腔表面并实现镀层与波导表面的有效贴合,通过化学气相沉积生长外接电极;
[0007]步骤二、电控折射率变化,通过偏置电压在二维层状材料镀层内产生自由载流子;
[0008]步骤三、锁定微腔谐振频率,通过自由载流子致折射率增大补偿热致折射率减小,通过信号功率监测确定动态平衡对应的偏置电压,实现微腔谐振频率长时间锁定。
[0009]优选的,上述步骤一制备芯片集成微腔,微腔波导横截面结构需优化设计使传输损耗较低、微腔长度需根据横截面结构优化设计获得所需自由光谱范围、微腔排布需优化
设计使二维层状材料尽可能精准覆盖。
[0010]优选的,上述方法通过化学气相沉积方法将二维层状材料无损转移至波导表面并形成镀层结构,镀层厚度需优化设计使单位电压产生的自由载流子浓度最大、耗散时间最短,镀层可紧密贴合波导上表面和侧表面也可仅仅贴合上表面。
[0011]优选的,上述方法通过化学气相沉积方法在二维层状材料上生长外接电极,电极位置需使单位电压产生的自由载流子浓度最大,电极结构参数需优化设计以降低发热量。
[0012]优选的,上述方法将信号光场耦合进入微腔,调节偏置电压直至微腔谐振频率锁定于锁定本征频率,监测输出功率并将负反馈信号传递给控制电路,使微腔能在一定程度上自动锁定谐振频率。
[0013]优选的,上述方法通过偏置电压改变二维层状材料镀层自由载流子浓度,使自由载流子致折射率变化动态平衡于热致折射率变化,通过功率监测反馈偏置电压,在有信号光场的情况下将微腔谐振频率自动锁定于本征频率。
[0014]优选的,上述方法电控微腔谐振频率锁定方法,输入芯片集成微腔的信号光场频率等于微腔本征频率,实现频率锁定时微腔谐振频率也等于本征频率。
[0015]优选的,上述方法以偏置电压为自由度可以调节镀层自由载流子致折射率变化,与净累积热致折射率变化达到动态平衡,根据输出功率自动调节偏置电压,在一定温度变化下自动建立并维持锁频状态。
[0016]一种实现如上述基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法的系统,包括芯片集成微腔,由二氧化硅衬底、载波直波导和微环构成,载波直波导和微环上表面覆盖有二硫化钼二维层状材料镀层,外接电极生长于镀层表面,微腔波导横截面结构需优化设计使传输损耗较低、微腔长度需根据横截面结构优化设计获得所需自由光谱范围、微腔排布需优化设计使二维层状材料尽可能精准覆盖;通过化学气相沉积方法将二维层状材料无损转移至波导表面并形成镀层结构;通过化学气相沉积方法在二维层状材料上生长外接电极,电极位置需使单位电压产生的自由载流子浓度最大,电极结构参数需优化设计以降低发热量;将信号光场耦合进入微腔,调节偏置电压直至微腔谐振频率锁定于锁定本征频率,监测输出功率并将负反馈信号传递给控制电路,使微腔能在一定程度上自动锁定谐振频率;
[0017]还包括:
[0018]电控折射率变化模块,通过偏置电压在二维层状材料镀层内产生自由载流子;
[0019]锁定微腔谐振频率模块,通过自由载流子致折射率增大补偿热致折射率减小,通过信号功率监测确定动态平衡对应的偏置电压,实现微腔谐振频率长时间锁定。
[0020]一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现上述方法。
[0021]与现有技术相比,本专利技术提供了一种全新的光频梳产生方法,通过偏置电压改变二维层状材料镀层自由载流子浓度,使自由载流子致折射率变化动态平衡于热致折射率变化,通过功率监测反馈偏置电压,在有信号光场的情况下将微腔谐振频率自动锁定于本征频率。本专利技术毋须调谐信号光场,且自由载流子

热量形成的负反馈补偿机制具有芯片集成加热器更强的操作稳定度,具有较强的实用性和普适性,可为高稳定性微腔系统提供全新技术思路。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1示出了本专利技术基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频原理示意图。
具体实施方式
[0024]下面将详细描述本专利技术的各个方面的特征和示例性实施例,为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细描述。应理解,此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本专利技术,并不被配置为限定本专利技术。对于本领域技术人员来说,本专利技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本专利技术的示例来提供对本专利技术更好的理解。
[0025]需要说明的是,在本文中本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法,包括:步骤一、制备微腔,通过标准工艺流程制备芯片集成微腔,将二维层状材料镀层无损转移至微腔表面并实现镀层与波导表面的有效贴合,通过化学气相沉积生长外接电极;步骤二、电控折射率变化,通过偏置电压在二维层状材料镀层内产生自由载流子;步骤三、锁定微腔谐振频率,通过自由载流子致折射率增大补偿热致折射率减小,通过信号功率监测确定动态平衡对应的偏置电压,实现微腔谐振频率长时间锁定。2.根据权利要求1所述的基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法,其特征在于,所述步骤一制备芯片集成微腔,微腔波导横截面结构需优化设计使传输损耗较低、微腔长度需根据横截面结构优化设计获得所需自由光谱范围、微腔排布需优化设计使二维层状材料尽可能精准覆盖。3.根据权利要求1所述的基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法,其特征在于,所述方法通过化学气相沉积方法将二维层状材料无损转移至波导表面并形成镀层结构,镀层厚度需优化设计使单位电压产生的自由载流子浓度最大、耗散时间最短,镀层可紧密贴合波导上表面和侧表面也可仅仅贴合上表面。4.根据权利要求1所述的基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法,其特征在于,所述方法通过化学气相沉积方法在二维层状材料上生长外接电极,电极位置需使单位电压产生的自由载流子浓度最大,电极结构参数需优化设计以降低发热量。5.根据权利要求1所述的基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法,其特征在于,所述方法将信号光场耦合进入微腔,调节偏置电压直至微腔谐振频率锁定于锁定本征频率,监测输出功率并将负反馈信号传递给控制电路,使微腔能在一定程度上自动锁定谐振频率。6.根据权利要求1所述的基于镀层结构的芯片集成微腔电控锁频方法,其特征在于,所述方法通过偏置电压改变二维层状材料镀层自由载流子浓度,使自由载流子致折射率变化动态平衡于热致折射率变化,通过功率监测反馈偏置电压,在有信...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭凯侯文佐陈浩闫培光
申请(专利权)人:军事科学院系统工程研究院网络信息研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1