一种富含硫空位的中空Co3S4/RGO复合材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种富含硫空位的中空Co3S4/RGO复合材料的制备方法，包括以下步骤：首先，将泡沫镍加入到GO、抗坏血酸分散液中，得到RGO/NF；然后将钴盐、2

【技术实现步骤摘要】
一种富含硫空位的中空Co3S4/RGO复合材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于电极材料
，特别涉及一种富含硫空位的中空Co3S4/RGO复合材料制备方法。

技术介绍

[0002]超级电容器具有超高功率密度、快速充放电、环保、长循环寿命等优点，受到广泛的关注。通过简单、安全、经济的方法合成具有高比容量和稳定性的多孔纳米电极材料是当前的研究热点。
[0003]在过渡金属硫化物中，硫化钴是研究最广泛的电极材料之一，但是单一的硫化钴材料由于导电性和循环稳定性较差，已经不能满足目前的实际应用。近年来有研究指出，一方面可以通过碳材料复合，提高硫化物的稳定性；另一方面，设计具有缺陷的空位离子可以改变电极材料的电子和晶格结构进而提高电导率。本专利技术利用 RGO来提高材料的导电性；利用中空纳米片结构增加反应的活性位点数；利用硫空位提高材料的导电性，从而提升超级电容器的容量、倍率性能和循环稳定性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种富含硫空位的中空Co3S4/RGO复合材料制备方法，采用该方法得到富含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种富含硫空位的中空Co3S4/RGO复合材料的制备方法，特征是在于包括以下步骤：(1)将0.015g的氧化石墨烯(GO)加入40mL去离子水中，超声分散1h后，加入0.1g抗坏血酸并搅拌均匀，然后加入一片处理干净的泡沫镍，在80℃水浴条件下加热6h，然后取出，洗涤、干燥，得到RGO/NF；(2)将1.313g 2
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甲基咪唑和0.5820g六水硝酸钴分别完全溶解在40mL去离子水中。然后混合溶液，将一片RGO/NF加入其中，搅拌10分钟。室温静置溶液4h，洗涤、干燥得到Co
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ZIF
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L/RGO/NF纳米片阵列；(3)取0.12g...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈石文，陶凯，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：