【技术实现步骤摘要】
一种基于Ge2Se2Te5开槽硅圆盘的可调谐超表面折射率传感器
[0001]本技术属于光学传感器
,具体涉及一种基于Ge2Se2Te5开槽硅圆盘的可调谐超表面折射率传感器。
技术介绍
[0002]折射率是材料的固有属性,通过测试折射率,可以对分析物的浓度,纯度等物理性质进行分析;
[0003]光学折射率传感器有许多优势,包括灵敏度高、响应速度快以及动态范围宽等,被广泛用于物理化学、生物医药、食品加工等方面的折射率测量。当下人们对于折射率传感器的研究主要集中在金属基础的等离子体结构中,然而,由于金属结构中自由电子震荡导致的强辐射损耗,限制了金属基础的等离子体结构器件在纳光子学中的应用。
[0004]此外,超表面是一种由周期排列的超原子构成的二维超材料结构。早期的超表面由介电层和金属薄膜组成,由于金属的欧姆损耗较大,表现出相对低的透射,且研究人员只能改变通过金属的结构尺寸来调节基于金属的超材料结构特性,大大限制了它的发展以及潜在应用价值。
[0005]总的来说,现有的超材料结构折射率传感器还存在着折 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于Ge2Se2Te5开槽硅圆盘的可调谐超表面折射率传感器,其特征在于所述可调谐超表面折射率传感器结构由上至下包括用于灵活调谐的GST层、硅圆盘层和用于充当上层硅材料底衬的二氧化硅衬底;所述GST层和所述硅圆盘层的一侧设置有气槽。2.根据权利要求1所述的一种基于Ge2Se2Te5开槽硅圆盘的可调谐超表面折射率传感器,其特征在于所述GST层的厚度为50nm。3.根据权利要求1所述的一种基于Ge2Se2Te5开槽硅圆盘的可调谐超表面折射率传感器,其特征在于所述硅圆盘层的厚度为200nm;半径为250nm。4.根据权利要求1所述的一种基于Ge2Se2Te5开槽硅圆盘的可调谐超表面折射率传感器,其特征在于所述二氧化硅衬底的材料具体为二氧化硅;所述二氧化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖梓玄,王泷霄,杨植,马棋昌,
申请(专利权)人:华南师范大学,
类型:新型
国别省市:
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