包含多价阳离子以减少余辉的CsI(Tl)闪烁体晶体，以及包括闪烁晶体的辐射检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种闪烁晶体，所述闪烁晶体可包括共掺杂有铊和另一种元素的卤化铯。在一个实施例中，所述闪烁晶体可包括CsX:Tl、Me，其中X表示卤素，Me表示掺杂剂，所述掺杂剂选自由铬(Cr)、锆(Zr)、钴(Co)、锰(Mn)、镉(Cd)、镝(Dy)、铥(Tm)、钽(Ta)和铒(Er)组成的组，所述闪烁晶体中的选自由铬(Cr)、锆(Zr)、钴(Co)、锰(Mn)、镉(Cd)、镝(Dy)、铥(Tm)、钽(Ta)和铒(Er)组成的组的元素的掺杂剂浓度在1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含多价阳离子以减少余辉的CsI(Tl)闪烁体晶体，以及包括闪烁晶体的辐射检测装置


[0001]本公开涉及包含多价阳离子的闪烁晶体以及包括这种闪烁晶体的辐射检测装置。

技术介绍

[0002]辐射检测装置用于各种应用。例如，闪烁体可用于医学成像和石油天然气行业的测井，还用于环境监测、安全应用，以及用于核物理分析和应用。CsI:Tl是用于辐射检测装置的闪烁晶体。但是，CsI:Tl的余辉问题限制了此类器件中的功能、速度和准确性。需要对CsI:Tl闪烁晶体作进一步的改进。
附图说明
[0003]实施例以举例的方式示出，并且不受附图的限制。
[0004]图1示出了根据一个实施例的辐射检测装置的图示。
[0005]本领域的技术人员应当认识到，为简单和清楚起见，图中示出的各元件并不一定按比例绘制。例如，图中一些元件的尺寸可相对于其他元件进行放大，以帮助增进对本专利技术实施例的理解。
具体实施方式
[0006]提供结合附图的以下描述以帮助理解本文所公开的教导内容。以下论述将集中于本教导内容的具体实施方式和实施例。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种闪烁体晶体，所述闪烁体晶体包括：碘化铯主体材料；第一掺杂剂，所述第一掺杂剂包含铊阳离子，所述第一掺杂剂的摩尔浓度低于10％；和第二掺杂剂，所述第二掺杂剂选自由铬(Cr)、锆(Zr)、钴(Co)、锰(Mn)、镉(Cd)、镝(Dy)、铥(Tm)、钽(Ta)和铒(Er)组成的组，选自由铬(Cr)、锆(Zr)、钴(Co)、锰(Mn)、镉(Cd)、镝(Dy)、铥(Tm)、钽(Ta)和铒(Er)组成的组的元素的掺杂剂浓度至少部分地处于其3+或2+或4+或5+氧化态，其中所述闪烁体中的所述第二掺杂剂的量在1
×
10
‑7mol％和0.1mol％之间。2.根据权利要求1所述的闪烁体晶体，所述闪烁体晶体进一步包括第三掺杂剂，并且其中所述第二掺杂剂包含三价氧化态且所述第三掺杂剂包含二价氧化态。3.根据权利要求1所述的闪烁体晶体，其中选自由铬(Cr)、钴(Co)、锰(Mn)和镉(Cd)组成的组的所述第二掺杂剂至少部分地处于其2+氧化态。4.根据权利要求1所述的闪烁体晶体，其中选自由镝(Dy)、铥(Tm)和铒(Er)组成的组的所述第二掺杂剂至少部分地处于其3+氧化态。5.根据权利要求1所述的闪烁体晶体，其中选自由锆(Zr)组成的组的所述第二掺杂剂至少部分地处于其4+氧化态。6.根据权利要求1所述的闪烁体晶体，其中选自由钽(Ta)组成的组的所述第二掺杂剂至少部分地处于其5+氧化态。7.根据权利要求1所述的闪烁体晶体，其中所述闪烁体晶体包含至少9
×
10
‑4mol％且不大于0.1mol％的所述第二掺杂剂。8.根据权利要求1所述的闪烁体晶体，其中所述闪烁体晶体包含小于1
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10
‑3mol％第二掺杂剂，并且其中相对于在X射线照射期间测量的光输出强度，所述闪烁体晶体在暴露于所述X射线照射后100ms时具有小于0.5％的光输出强度。9.根据权利要求1所述的闪烁体晶体，其中所述闪烁体晶体包含小于1
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10
‑3mol％第二掺杂剂，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙芳，彼得，
申请(专利权)人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：