单晶锭、晶体培育用模具和单晶的制造方法技术

本发明专利技术提供一种单晶锭(1)，是包含掺杂剂的金属氧化物或拟二元化合物的生长态的单晶锭(1)，侧面(221)的长度L为50mm以上，在侧面(221)上具有线状的凹陷(222)，被侧面(221)包围的部分的与长度方向垂直的截面中，处于从长度方向的没有凹陷(222)的另一侧的端部起的长度方向的距离为50mm的位置的截面的外形除由截面与小平面的交线形成的部分以外，从理想外形(30)起的凹陷(222)的距离X的最大值为5mm以下。下。下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】单晶锭、晶体培育用模具和单晶的制造方法


[0001]本专利技术涉及单晶锭、晶体培育用模具和单晶的制造方法。

技术介绍

[0002]作为现有的单晶培育方法，已知有EFG(Edge
‑
defined Film
‑
fed Growth)法(例如，参照专利文献1)。专利文献1中公开了利用EFG法培育平板状的β－Ga2O3单晶的方法。
[0003]EFG法是将设有狭缝的模具的下部浸渍在熔液中，将在狭缝中通过毛细管现象而上升来的熔液保持在模具上，使成为晶种的晶体其与接触并进行提拉，由此培育平板状的单晶的技术。与所提拉的单晶的晶体提拉方向垂直的截面的形状通常与模具的上表面的形状大致相同。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2004－56098号公报

技术实现思路

[0007]然而，本专利技术人等为了控制电阻率而在Ga2O3原料中添加各种掺杂剂并反复尝试了利用EFG法的晶体生长，结果可知根据所添加的掺杂剂的种类，所培育的单晶产生如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种单晶锭，是包含掺杂剂的金属氧化物或拟二元化合物的生长态的单晶锭，沿着与晶体提拉方向平行的长度方向的侧面的所述长度方向的长度为50mm以上，在所述侧面上具有从所述长度方向的一侧的端部沿着所述长度方向延伸的线状的凹陷，被所述侧面包围的部分的与所述长度方向垂直的截面中，处于从所述长度方向的没有所述凹陷的另一侧的端部起的所述长度方向的距离为50mm的位置的截面的外形除由所述截面与小平面的交线形成的部分以外，从理想外形起的凹陷的距离的最大值即距离X
max
为5mm以下，所述理想外形为所述截面的外形纳入内侧的最小面积的长方形或四边形。2.根据权利要求1所述的单晶锭，其中，所述单晶锭的宽度为50mm以上。3.根据权利要求1或2所述的单晶锭，其中，包括由所述截面与小平面的交线形成的部分在内的所有部分的从理想外形起的凹陷的距离的最大值即距离X
max
为5mm以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的单晶锭，其中，所述金属氧化物为Ga2O3系半导体，所述掺杂剂为选自Mg、Si、Ti、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Hf或Ta中的1种以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的单晶锭，其中，所述距离X
max
为1mm以上。6.一种晶体培育用模具，是在利用EFG法进行的单晶培育中使用的晶体培育用模具，有狭缝开口的上表面是平坦的，在所述上表面的边缘、或者在所述边缘的附近且与所述狭缝分开的位置具有促进熔液从所述上表面排出的排出促进部。7.根据权利要求6所述的晶体培育用模具，其中，所述排出促进部至少设置于与所述狭缝平行的所述边缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊谷博彦，山冈优，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：