基板处理方法技术

基板(WF)具有设置了成为功率器件的构造的多个芯片区域(RS)，并设置有被处理膜(501)。通过一边使基板(WF)旋转一边使传感器(81)在径向上进行扫描，测定径向上的被处理膜(501)的厚度分布。计算出厚度分布的平均厚度(d

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法


[0001]本专利技术涉及基板处理方法，特别是涉及使用处理液的基板处理方法。

技术介绍

[0002]一直以来，在半导体基板(以下，简称为“基板”)的制造步骤中，使用基板处理装置而对基板进行各种处理。例如，进行使用处理液去除被形成在基板的上表面的膜的蚀刻处理。根据日本专利特开2003
‑
97919号公报(专利文献1)，在将蚀刻液供给至晶片表面而蚀刻该表面的薄膜至膜厚中途的过程中，实时地检测该薄膜的膜厚。接着，在该膜厚的检测值到达至目标膜厚的时间点，停止蚀刻。由此，可寻求在晶片表面残留有高精度地被控制为目标膜厚的薄膜。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2003
‑
97919号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]因制程偏差等原因，在基板处理中的被处理膜的厚度并非在基板上的任一位置上均相同。由于上述公报所记载的基板处理并未考虑到此点，因此，存在有通过包括该基板处理的制造方法所被制造的器件的性能变得不充分的情况。换言之，存在有具有充分性能的半导体器件的制造良率变低的情况。
[0008]本专利技术鉴于以上所记载的问题而提出，其目的在于提供一种适于制造具有充分的性能的半导体器件的基板处理方法。
[0009]用于解决问题手段
[0010]本专利技术的一态样的基板处理方法对至少一片基板进行处理，该基板具有径向，具有设置了成为功率器件的构造的多个芯片区域，并设置有被处理膜；其中，该基板处理方法具有：
[0011]步骤(a)，通过一边使上述基板旋转，一边使传感器在上述径向上扫描，测定在上述径向上的上述被处理膜的厚度分布；
[0012]步骤(b)，计算出上述厚度分布的平均厚度；
[0013]步骤(c)，提取上述厚度分布具有上述平均厚度的至少一个径向位置来作为至少一个候补位置；
[0014]步骤(d)，将上述至少一个候补位置中的至少一个决定为至少一个测定位置；
[0015]步骤(e)，一边使上述基板旋转，一边自喷嘴朝上述基板的上述被处理膜上供给处理液；及
[0016]步骤(f)，一边使上述基板旋转，一边通过上述传感器在上述至少一个测定位置对上述被处理膜的厚度的随时间的变化进行监视。
[0017]本专利技术的另一态样的基板处理方法对至少一片基板进行处理，该基板具有径向，具有设置了成为非功率器件即半导体器件的构造的多个芯片区域，并设置有被处理膜；其中，该基板处理方法具有：
[0018]步骤(a)，通过一边使上述基板旋转，一边使传感器在上述径向上扫描，测定在上述径向上的上述被处理膜的厚度分布；
[0019]步骤(b)，计算出上述厚度分布的最小厚度；
[0020]步骤(c)，提取上述厚度分布具有上述最小厚度的至少一个径向位置来作为至少一个候补位置；
[0021]步骤(d)，将上述至少一个候补位置中的至少一个决定为至少一个测定位置；
[0022]步骤(e)，一边使上述基板旋转，一边自喷嘴朝上述基板的上述被处理膜上供给处理液；及
[0023]步骤(f)，一边使上述基板旋转，一边通过上述传感器在上述至少一个测定位置对上述被处理膜的厚度的随时间的变化进行监视。
[0024]专利技术效果
[0025]根据一方式的基板处理方法，可精度良好地控制被处理膜的平均厚度。由此，可使被处理膜的厚度不会过多或不足。因而，在具有沿着被处理膜的厚度方向的电流路径的功率器件中，可避免起因于过大的厚度而电阻过大的情形，且可避免起因于过小的厚度而耐电压不足的情形。
[0026]根据另一方式的基板处理方法，可精度良好地控制被处理膜的最小厚度。由此，可防止过度地进行基板处理。因而，可避免起因于被处理膜所覆盖的部位意外地被侵蚀而对半导体器件的特性造成不良影响。
[0027]与本申请说明书所揭示的技术相关联的目的、特征、局面、优点通过以下所示的详细说明与附图而变得更加明了。
附图说明
[0028]图1是概略地表示在实施方式1中的基板处理装置的构成例的图。
[0029]图2是概略地表示图1的液体处理单元的构成例的图。
[0030]图3是图2的液体处理单元的主要部分的俯视图。
[0031]图4是表示图1的基板处理装置的各要素与控制部的连接关系例的功能框图。
[0032]图5是概略地表示通过基板处理方法而被处理的基板的构成例的俯视图。
[0033]图6是沿着图5的线VI
‑
VI的概略的部分剖视图。
[0034]图7是表示实施方式1中的基板处理方法的例子的时序图。
[0035]图8是与图7对应的流程图。
[0036]图9是说明实施方式1中的测定厚度分布的例子的示意图。
[0037]图10是表示实施方式1中的用于设定测定位置的决定条件的设定画面例的图。
[0038]图11是对实施方式1中的决定停止处理液的供给的时间点的方法的例子进行说明的曲线图。
[0039]图12是说明实施方式1中的测定厚度分布的变形例的曲线图。
[0040]图13是表示实施方式2中的基板处理方法的例子的流程图。
[0041]图14是说明实施方式2中的测定厚度分布的例子的示意图。
[0042]图15是表示图7的变形例的时序图。
具体实施方式
[0043]以下，一边参照附图一边对实施方式进行说明。在以下的实施方式中，为了说明技术而亦示出了详细的特征等，但这些仅为例示，为了能对实施方式进行实施，这些全部未必为必须的特征。此外，附图被概略地表示，为了方便说明，而适宜地在附图中省略构成或将构成简略化。此外，时序图中的时间宽度并非严谨地表示实际的时间宽度。此外，不同附图中分别所表示的构成等的大小及位置的相互关系未必准确地被记载，而可适宜地变更。此外，在以下所示的说明中，对相同的构成要素标注相同的附图标记并加以图示，这些构成要素的名称与功能均设为相同。因此，为了避免重复，故存在有省略这些构成要素的详细说明的情况。此外，在以下所记载的说明中，在记载为“具备”、“包含”或“具有”某构成要素等的情况下，除非特别强调，则并非为将其他构成要素的存在排除在外的排他性表现。此外，在以下所记载的说明中，表示相对或绝对的位置关系的表现，例如“在一方向上”、“沿着一方向”、“平行”、“正交”、“中心”、“同心”或“同轴”等，除非特别强调，则包括严谨地表示其位置关系的情况，及角度或距离在公差或可获得相同程度的功能的范围内位移的情况。此外，在以下所记载的说明中，表示相等状态的表现，例如“同一”、“相等”、“均一”或“均质”等，除非特别强调，则包括表示严谨地相等的状态的情况，及在公差或可获得相同程度的功能的范围内产生差值的情况。此外，在以下所记载的说明中，“使对象物在特定的方向上移动”等的表现，除非特别强调，则包括使对象物与该特定的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理方法，对至少一片基板进行处理，该基板具有径向，具有设置了成为功率器件的构造的多个芯片区域，并设置有被处理膜；其中，该基板处理方法具有：步骤(a)，通过一边使上述基板旋转，一边使传感器在上述径向上扫描，测定上述径向上的上述被处理膜的厚度分布；步骤(b)，计算出上述厚度分布的平均厚度；步骤(c)，提取上述厚度分布具有上述平均厚度的至少一个径向位置来作为至少一个候补位置；步骤(d)，将上述至少一个候补位置中的至少一个决定为至少一个测定位置；步骤(e)，一边使上述基板旋转，一边自喷嘴朝上述基板的上述被处理膜上供给处理液；及步骤(f)，一边使上述基板旋转，一边通过上述传感器在上述至少一个测定位置对上述被处理膜的厚度的随时间的变化进行监视。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，还具有：步骤(g)，基于在上述至少一个测定位置的上述被处理膜的厚度，停止朝上述基板的表面上供给处理液。3.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，上述步骤(g)以在上述至少一个测定位置将上述被处理膜的厚度保持在20μm以上的方式进行。4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其中，在上述步骤(e)中，对上述喷嘴赋予在上述径向上的周期性的位移，在上述步骤(f)中，对上述传感器赋予在上述径向上的周期性的位移，上述传感器最接近上述基板的中心的时间点与上述喷嘴最接近上述基板的中心的时间点不同。5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，至少一片上述基板包括第一基板及第二基板，上述基板处理方法是在通过进行上述步骤(a)至上述步骤(f)来处理上述第一基板之后，通过再次进行上述步骤(a)至上述步骤(f)来处理上述第二基板的基板处理方法，用于上述第一基板的上述步骤(e)中的上述处理液的至少一部分作为用于上述第二基板的上述步骤(e)中的上述处理液而被再利用。6.如权利要求5所述的基板处理方法，其中，上述第二基板是在上述第一基板之后紧接着被处理的基板，该基板处理方法还具有：基于上述第一基板的上述步骤(f)的结果，计算出上述第二基板的上述步骤(f)中的上述随时间的变化的预测范围的步骤。7.如权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，上述基板具有半径R，在上述步骤(d)中，满足0<r
L
<r
U
<R的正值r
L
及r
U
预先被决定，将上述测定位置限制在r
L
以上r
U
以下。8.如权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，上述步骤(d)包括：步骤(d1)，显示上述至少一个候补位置；及
步骤(d2)，接受将上述至少一个候补位置中的哪一个决定为上述至少一个测定位置的指示。9.如权利要求1至8中任一项所述的基板处理方法，其中，上述步骤(a)包括：步骤(a1)，接受上述被处理膜的推定厚度的信息；在上述步骤(a)中，以上述推定厚度为基准，仅将处在预先被决定的容许范围内的厚度用于上述厚度分布。10.如权利要求9所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：日野出大辉，太田乔，板原隆夫，中西恭平，岛野达矢，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：