使用多波长电荷控制器的带电粒子检查系统和方法技术方案

一种用于检查衬底的装置和检查衬底的方法，其中带电粒子束被布置为撞击衬底的一部分，并且具有第一波长的第一光束和具有第二波长的第二光束也被布置为撞击衬底的一部分，该第二波长与第一波长不同。第二波长与第一波长不同。第二波长与第一波长不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用多波长电荷控制器的带电粒子检查系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10月24日提交的美国申请62/925,320的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及带电粒子检查系统和方法，其利用电荷控制器来控制被检查物品的部分处的电性质和/或热性质。

技术介绍

[0004]半导体制造技术的改进已经允许增加集成电路的密度并在晶片的给定表面积上或给定体积中封装更多晶体管以形成半导体器件。增加晶体管密度导致需要提供更高分辨率晶片检查的系统和方法。特别地，在半导体器件制造工艺的各个阶段可能会出现缺陷。尽早准确、有效地标识任何此类缺陷非常重要。
[0005]通常，用于制造半导体器件的工艺包括：在每个半导体器件的衬底上或衬底中形成各种材料的层；在半导体器件上进行光处理、掩模和形成电路图案；以及去除或蚀刻层的各部分以形成半导体器件。这种半导体器件是通过在半导体晶片的每个器件上重复这些和其他操作来制造的。更好的制造技术允许微细加工，得到大多数观察工具难以辨别的特征。鉴于此，已本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于检查衬底的装置，所述装置包括：至少一个带电粒子束源，被布置为将至少一个带电粒子束投射到所述衬底的部分上；以及多个光源，所述多个光源至少包括：第一光源，被布置为将具有第一波长的第一光束投射到所述衬底的所述部分上；以及第二光源，被布置为将具有第二波长的第二光束投射到所述衬底的所述部分上，所述第二波长与所述第一波长不同。2.根据权利要求1所述的用于检查衬底的装置，其中所述至少一个带电粒子束源包括电子束源。3.根据权利要求1所述的用于检查衬底的装置，其中所述第一光源包括被配置为生成所述第一光束的第一激光器，并且所述第二光源包括被配置为生成所述第二光束的第二激光器。4.根据权利要求1所述的用于检查衬底的装置，其中所述第一波长被选择为穿透所述衬底的所述部分至第一深度，并且所述第二波长被选择为穿透所述衬底的所述部分至第二深度，所述第二深度与所述第一深度不同。5.根据权利要求1所述的用于检查衬底的装置，其中所述第一波长被选择为在所述衬底的所述部分中生成热效应，并且所述第二波长被选择为修改所述衬底的所述部分中的电性质。6.根据权利要求4所述的用于检查衬底的装置，其中所述第一波长被选择为进行以下一项：在所述第一深度处的所述晶片的所述部分中生成热效应或修改在所述第一深度处的所述晶片的所述部分中的电性质，并且所述第二波长被选择为进行以下一项：在所述第二深度处的所述晶片的所述部分中生成热效应或修改在所述第二深度处的所述晶片的所述部分中的电性质。7.根据权利要求1所述的用于检查衬底的装置，还包括光束组合器，被布置为将所述第一光束和所述第二光束组合成单个光束。8.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张剑，叶宁，王義向，方杰，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：