高耐热及低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种高耐热及低介电特性的聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含：第一嵌段，所述第一嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐及联苯四甲酸二酐的二酐成分与包含对苯二胺的二胺成分发生酰亚胺化而获得的；以及第二嵌段，所述第二嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐及均苯四甲酸二酐的二酐成分与包含间联甲苯胺的二胺成分发生酰亚胺化而获得的。生酰亚胺化而获得的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高耐热及低介电质的聚酰亚胺薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种兼具高耐热特性、低介电特性及低吸湿特性的聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]聚酰亚胺(Polyimide；PI)以硬质芳香族主链和化学稳定性非常优异的酰亚胺环为基础，是有机材料中具有最高水平耐热性、耐药品性、电绝缘性、耐化学性、耐气候性的高分子材料。
[0003]特别是由于卓越的绝缘特性，即诸如低介电常数的优异电气特性，在电气、电子甚至光学领域等作为高功能性高分子材料而备受瞩目。
[0004]最近，随着电子制品的轻量化、小型化，正在积极地开发高集成化、柔性化薄型电路基板。
[0005]这种薄型电路基板趋于大量利用在具有优异耐热性、耐低温性及绝缘特性且容易弯曲的聚酰亚胺薄膜上形成有包括金属箔在内的电路的结构。
[0006]作为这种薄型电路基板，主要使用柔性金属箔层压板，作为一个示例，包含使用薄铜板作为金属箔的柔性覆铜板(Flexible Copper Clad Laminate，FCCL)。此外，也可将聚酰亚胺用作薄型电路基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含：第一嵌段，所述第一嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐及联苯四甲酸二酐的二酐成分与包含对苯二胺的二胺成分发生酰亚胺化而获得的；以及第二嵌段，所述第二嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐及均苯四甲酸二酐的二酐成分与包含间联甲苯胺的二胺成分发生酰亚胺化而获得的。2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其中，以所述第一嵌段及所述第二嵌段的二胺成分的总含量100摩尔％为基准，所述间联甲苯胺的含量为10摩尔％以上且50摩尔％以下，所述对苯二胺的含量为50摩尔％以上且90摩尔％以下。3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其中，以所述第一嵌段及所述第二嵌段的二酐成分的总含量100摩尔％为基准，所述二苯酮四甲酸二酐的含量为25摩尔％以上且45摩尔％以下，所述联苯四甲酸二酐的含量为25摩尔％以上且45摩尔％以下，所述均苯四甲酸二酐的含量为15摩尔％以上且40摩尔％以下。4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜，其中，所述聚酰亚胺薄膜的介电损耗因子为0.004以下，热膨胀系数为15ppm/℃以下，玻璃化转变温度为320℃以上。5.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括：步骤(a)，将第一二酐成分及第一二胺成分在有机溶剂中聚合而制备第一聚酰胺酸；步骤(b)，将第二二酐成分及第二二胺成分在有机溶剂中聚合而制备第二聚酰胺酸；步骤(c)，将所述第一聚酰胺酸及所述第二聚酰胺酸在有机溶剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵珉相，
申请(专利权)人：聚酰亚胺先端材料有限公司，
类型：发明
国别省市：