光波导耦合器及其制备方法技术

本申请涉及一种光波导耦合器及其制备方法。一种光波导耦合器，包括基片、高折射率波导以及低折射率波导。高折射率波导形成于基片上；高折射率波导包括依次连接且沿第一方向延伸的第一导波段和第二导波段；其中，在第一方向上，第二导波段的厚度逐渐减小。低折射率波导形成于基片上，且覆盖高折射率波导。其中，低折射率波导的折射率介于基片的隔离层和高折射率波导的折射率之间，且被配置为用于将光束从光纤传输至高折射率波导，第二导波段沿第二方向的尺寸大于预设值。第二导波段和低折射率波导的对准容差较高，可有效提高光波导耦合器的制作容差，降低光波导耦合器的制造成本，有利于光波导耦合器的批量制造。利于光波导耦合器的批量制造。利于光波导耦合器的批量制造。

【技术实现步骤摘要】
光波导耦合器及其制备方法


[0001]本申请涉及耦合器
，特别是涉及一种光波导耦合器及其制备方法。

技术介绍

[0002]光波导是光学芯片的基础。对于硅、氮化硅、铌酸锂薄膜等基于间接带隙材料的集成光学芯片来说，难以实现电泵浦激光器，需要通过光波导或者光栅耦合器与光纤、激光芯片、探测器相连接，以实现具体应用。由于光纤的模场与芯片上的脊波导(或者线波导)的模场之间存在显著差异，导致二者模式交叠度低，直接耦合存在3dB以上的损耗。
[0003]相关技术中，将芯片上的波导顶端设计为在其纵长方向上的宽度渐变的结构，并在其上覆盖一大尺寸低折射率波导，以将能量耦合到与光纤模场匹配的尺寸较大的波导中，再与光纤进行端面耦合。然而，此类光波导结构的耦合器存在制作成本高、制作容差较小的缺点，不利于批量制造。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对以上问题，提供一种成本低、制备难度小的光波导耦合器及其制备方法。
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种光波导耦合器，包括：
[0006]基片；<br/>[0007]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光波导耦合器，其特征在于，包括：基片(110)；高折射率波导(120)，形成于所述基片(110)上；所述高折射率波导(120)包括依次连接且沿第一方向延伸的第一导波段(121)和第二导波段(122)；其中，在所述第一方向上，所述第二导波段(122)的厚度逐渐减小；以及低折射率波导(130)，形成于所述基片(110)上，且覆盖所述高折射率波导(120)；其中，所述低折射率波导(130)的折射率介于所述基片(110)的隔离层(112)和所述高折射率波导(120)的折射率之间，且被配置为用于将光束从光纤传输至所述高折射率波导(120)；所述第二导波段(122)沿第二方向的尺寸大于预设值；所述第一方向与所述第二方向彼此垂直且均平行于所述基片(110)。2.根据权利要求1所述的光波导耦合器，其特征在于，所述预设值大于500nm。3.根据权利要求1所述的光波导耦合器，其特征在于，所述第一导波段(121)沿所述第二方向的尺寸为0.6
‑
3μm。4.根据权利要求1所述的光波导耦合器，其特征在于，所述低折射率波导(130)包括依次相连的第三导波段(131)和第四导波段(132)；所述第三导波段(131)耦接于所述第二导波段(122)，所述第四导波段(132)与所述基片(110)直接接触。5.根据权利要求4所述的光波导耦合器，其特征在于，其中，所述第四导波段(132)的厚度为2
‑
10μm。6.根据权利要求4所述的光波导耦合器，其特征在于，所述第四导波段(132)沿所述第二方向的尺寸为2
‑
10μm。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的光波导耦合器，其特征在于，所述第二导波段(122)沿所...

【专利技术属性】
技术研发人员：薄方，贾笛，张国权，许京军，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：