用于向集成电路的一部分供应功率的装置和方法制造方法及图纸

一种功率门控电路，包括菊花链链接在一起的弱强开关单元和强开关单元的集合。每个弱强单元的布局(覆盖区)与仅强单元兼容，使得在功率门控电路的设计阶段将弱强单元换成仅强单元或反之亦然不会影响功率门控电路供应功率的电路的路由或定时操作。这允许在IC的设计阶段最佳地设置用于最小化浪涌电流的弱开关与强开关的比率。每个弱强单元响应于弱使能信号经由弱晶体管将功率轨耦合在一起，以及响应于强使能信号经由强晶体管将功率轨耦合在一起。每个仅强单元响应于强使能信号经由弱和强晶体管将功率轨耦合在一起。体管将功率轨耦合在一起。体管将功率轨耦合在一起。

【技术实现步骤摘要】
用于向集成电路的一部分供应功率的装置和方法
[0001]本申请是国际申请日为2017年04月24日、国际申请号PCT/US2017/029186、于2018年11月16日进入中国国家阶段、中国国家申请号201780030700.7、专利技术名称为“用于经由弱强和仅强开关单元向集成电路的一部分供应功率的装置和方法”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求于2016年5月18日在美国专利商标局提交的非临时申请No.15/158,236的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0004]本公开的各方面总体上涉及功率门控电路，并且具体地，涉及用于使用弱强开关单元和仅强开关单元向集成电路(IC)的一部分供应功率的装置和方法，以及设计功率门控电路的方法。

技术介绍

[0005]功率门控电路用于将端子电压轨(TVDD)耦合到集成电路(IC)的内部电压轨(VDD)。端子电压轨(TVDD)从电池、调节器或其他类型的源接收外部供应电压。功率门控电路通过将端子电压轨(TVDD)电耦合到内部电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：第一类型开关单元(500)的集合，其中所述第一类型开关单元中的每个第一类型开关单元被配置为响应于第一使能信号(WK_EN)经由第一相对弱晶体管(M52)将第一功率轨(TVDD)耦合到第二功率轨(VDD)，以及响应于第二使能信号(ST_EN)经由第一相对强晶体管(M51)将所述第一功率轨耦合到所述第二功率轨，其中所述第一相对弱晶体管的导通电阻高于所述第一相对强晶体管的导通电阻，其中所述第一类型开关单元中的每个第一类型开关单元包括：所述第一类型开关单元的第一反相器(I51)，包括被配置为接收所述第二使能信号的第一输入和耦合到所述第一相对强晶体管的控制端子的第一输出；以及所述第一类型开关单元的第二反相器(I52)，包括耦合到所述第一反相器的所述第一输出的第二输入和被配置为重新生成所述第二使能信号的第二输出；以及第二类型开关单元(600)的集合，其中所述第二类型开关单元中的每个第二类型开关单元被配置为响应于所述第二使能信号经由第二相对弱晶体管(M62)和第二相对强晶体管(M61)将所述第一功率轨耦合到所述第二功率轨，并且传送所述第一使能信号，而不将所述第一使能信号施加到所述第二相对弱晶体管或所述第二相对强晶体管，其中所述第二相对弱晶体管的导通电阻高于所述第二相对强晶体管的导通电阻，其中所述第二类型开关单元中的每个第二类型开关单元包括：所述第二类型开关单元的第一反相器(I61)，包括被配置为接收所述第二使能信号的第一输入和耦合到所述第二相对强晶体管和所述第二相对弱晶体管的各自控制端子的第一输出；以及所述第二类型开关单元的第二反相器(I62)，包括耦合到所述第一反相器的所述第一输出的第二输入和被配置为重新生成所述第二使能信号的第二输出，其中所述第一类型开关单元中的布局配置与所述第二类型开关单元中的布局配置基本上相同，其中所述基本上相同的布局配置包括基本上相似的覆盖区。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一类型开关单元中的每个第一类型开关单元包括第一金属化迹线和第二金属化迹线，所述第一金属化迹线被配置为接收所述第一使能信号，所述第二金属化迹线被配置为接收所述第二使能信号，所述第二类型开关单元中的每个第二类型开关单元包括第三金属化迹线和第四金属化迹线，所述第三金属化迹线被配置为接收所述第一使能信号，所述第四金属化迹线被配置为接收所述第二使能信号，所述第一金属化迹线被配置为基本上与所述第三金属化迹线相同，并且所述第二金属化迹线被配置为基本上与所述第四金属化迹线相同。3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一类型开关单元中的每个第一类型开关单元包括：所述第一类型开关单元的第三反相器(I53)，包括被配置为接收所述第一使能信号的第一输入和耦合到所述第一相对弱晶体管的控制端子的第一输出；以及所述第一类型开关单元的第四反相器(I54)，包括耦合到所述第一反相器的所述第一输出的第二输入和被配置为重新生成所述第一使能信号的第二输出。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二类型开关单元中的每个第二类型开关单元包括被配置为接收和传送所述第一使能信号的缓冲器。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二类型开关单元中的每个第二类型开关单元包括：所述第二类型开关单元的第三反相器(I63)，包括被配置为接收所述第一使能信号的第一输入；以及所述第二类型开关单元的第四反相器(I64)，包括耦合到所述第一反相器的第一输出的第二输入和被配置为重新生成所述第一使能信号的第二输出。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第三反相器的所述第一输出与所述第二相对强晶体管和所述第二相对弱晶体管的控制端子断开连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：