一种硒化铋的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硒化铋的制备方法，属于材料合成技术领域，本发明专利技术提供的一种硒化铋的制备方法，包括以下步骤：(1)将单质硒和单质铋混合均匀，置于惰性气体环境下进行化合反应，得硒化铋粗品；(2)将硒化铋粗品粉碎除杂，得硒化铋；所述化合反应的条件为：先从室温以6

【技术实现步骤摘要】
一种硒化铋的制备方法


[0001]本专利技术属于材料合成
，尤其涉及一种硒化铋的制备方法。

技术介绍

[0002]硒化铋化学式为Bi2Se3，斜方六面体晶结构，密度6.82g/cm3，熔点710℃，广泛用于半导体材料和温差电材料，同时类石墨烯层状结构的硒化铋Bi2Se3因其简单的能带结构、远大于室温的能量涨落体带隙，被认为是最有前景的拓扑绝缘体材料之一。
[0003]目前硒化铋的合成方法一般是熔融化合法，将铋和硒混合后，高温熔融化合，但是由于硒的高蒸气压特性，对设备的耐压有一定的要求，增大了合成的难度，也不利于产业化的进行。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种纯度高、操作适用性高的硒化铋的制备方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种硒化铋的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0006](1)将单质硒和单质铋混合均匀，置于惰性气体环境下进行化合反应，得硒化铋粗品；
[0007](2)将硒化铋粗品粉碎除杂，得硒化铋；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硒化铋的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将单质硒和单质铋混合均匀，置于惰性气体环境下进行化合反应，得硒化铋粗品；(2)将硒化铋粗品粉碎除杂，得硒化铋；所述化合反应的条件为：先从室温以6
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12℃/min的升温速率升温至300
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450℃，保温30
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50min，然后以1
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5℃/min的升温速率升温至500
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600℃，保温30
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60min进行化合反应。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，化合反应的条件为：先从室温以7
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10℃/min的升温速率升温至350
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450℃，保温30
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50min，然后以1
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3℃/min的升温速率升温至500
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550℃，保温30
‑
60min...

【专利技术属性】
技术研发人员：文崇斌，余芳，朱刘，童培云，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：