一种低功耗的上电复位电路及上电复位方法技术

本发明专利技术提供一种低功耗的上电复位电路及上电复位方法，该电路包括偏置电流产生电路、电流迟滞比较器电路以及抗干扰延迟电路，偏置电流产生电路连接迟滞比较器电路，迟滞比较器电路连接抗干扰电路，迟滞比较器电路连接偏置电流产生电路中的第一偏置电流输出端与第二偏置电流输出端，在芯片电源上电过程中，通过控制上电复位电路中电流迟滞比较器电路的上支路电流与下支路电流产生的先后，并判断它们之间电流大小的变化，从而输出所需要的复位信号；同时，通过输出反馈信号控制电流迟滞比较器电路的下支路电流，实现输入电压迟滞检测的功能；本发明专利技术电路采用的元件大部分为CMOS器件，具有抗干扰能力强、低成本、低功耗和高可靠的特点。的特点。的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗的上电复位电路及上电复位方法


[0001]本专利技术涉及集成电路设计
，具体是涉及一种低功耗的上电复位电路及上电复位方法。

技术介绍

[0002]随着当今科技的发展，各类电子产品的功能越来越强大，离不开集成电路的快速发展，一个产品内部往往会集成各种类型的芯片，导致产品系统各芯片间的上电过程时序更加复杂，例如主控芯片会常常间歇性地去快速控制外围辅助的芯片的供电系统，若配合芯片的上电过程处理不好，在产品的可靠性验证中常出现良率问题，影响产品的质量和体验。
[0003]另外，目前多数便携式的电子产品大多采用锂电池供电，客户应用端要求产品能使用的时间更长，必然要求产品系统各芯片本身的功耗越低越好，低功耗的产品设计已是业界的共识。但是对于芯片的设计来说，芯片的功耗要求做得更低的同时，要保证可靠性，往往会增加芯片的面积，无形中会增加单颗芯片的设计成本。
[0004]上电复位(POR)电路是各类芯片系统中必不可少的功能模块，其目的用于进行芯片电源电压上下电过程的电压稳定性检测，然后产生一个POR使能信号，确定芯片是否可以开始工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗的上电复位电路，包括偏置电流产生电路，所述偏置电流产生电路包括第一偏置电流输出端与第二偏置电流输出端；其特征在于，还包括：电流迟滞比较器电路，所述偏置电流产生电路连接所述电流迟滞比较器电路；所述电流迟滞比较器电路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一反相器；所述第三PMOS管的栅极连接所述第二偏置电流输出端，所述第三PMOS管的源极连接电源端，所述第三PMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的栅极连接所述第四NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的源极，所述第五NMOS管的栅极连接所述第二偏置电流输出端，所述第五NMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极连接所述电源端，所述第四PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的源极连接电源端，所述第五PMOS管的漏极连接所述第一反相器的输入端；所述第六NMOS管与所述第七NMOS管的栅极均连接所述第一偏置电流输出端，所述第六NMOS管与所述第七NMOS管的源极均接地，所述第六NMOS管的漏极连接所述第一反相器的输入端，所述第七NMOS管的源极连接所述第八NMOS管的源极，所述第八NMOS管的漏极连接所述第一反相器的输入端，所述第八NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端；所述第一反相器输出第一复位信号。2.如权利要求1所述的一种低功耗的上电复位电路，其特征在于：所述偏置电流产生电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管，所述第一PMOS管与所述第二PMOS管的源极均连接所述电源端，所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极均连接所述第二偏置电流输出端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极均连接所述第一偏置电流输出端，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的源极连接第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地。3.如权利要求1或2所述的一种低功耗的上电复位电路，其特征在于：所述抗干扰延迟电路包括第五反相器；所述第一反相器的输出端连接第五反相器的输入端，所述第五反相器的输出端输出第四复位信号。4.一种低功耗的上电复位电路，包括偏置电流产生电路，所述偏置电流产生电路包括第一偏置电流输出端与第二偏置电流输出端；其特征在于，还包括：电流迟滞比较器电路、抗干扰延迟电路，所述偏置电流产生电路连接所述电流迟滞比较器电路，所述抗干扰延迟电路连接所述述抗干扰延迟电路；所述电流迟滞比较器电路包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一反相器；所述抗干扰延迟电路包括第二反相器、第一电容、反馈端、第三反相器；所述第三PMOS管的栅极连接所述第二偏置电流输出端，所述第三PMOS管的源极连接电源端，所述第三PMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的源极接地，所
述第三NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的栅极连接所述第四NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的源极，所述第五NMOS管的栅极连接所述第二偏置电流输出端，所述第五NMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极连接所述电源端，所述第四PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的源极连接电源端，所述第五PMOS管的漏极连接所述第一反相器的输入端；所述第六NMOS管与所述第七NMOS管的栅极均连接所述第一偏置电流输出端，所述第六NMOS管与所述第七NMOS管的源极均接地，所述第六NMOS管的漏极连接所述第一反相器的输入端，所述第七NMOS管的源极连接所述第八NMOS管的源极，所述第八NMOS管的漏极连接所述第一反相器的输入端，所述第八NMOS管的栅极连接所述抗干扰延时电路的反馈端；所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述第一电容的第一端，所述第一电容的第二端连接地，所述第一电容的第一端连接所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端输出第二复位信号。5.如权利要求4所述的一种低功耗的上电复位电路，其特征在于：所述第二反相器包括第七PMOS管与第九NMOS管，所述第七PMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述第七PMOS管的源极连接所述电源端，所述第七PMOS管的漏极连接所述第九NMOS管的漏极，所述第九NMOS管的栅极连接所述第一反相器的输出端，所述第九NMOS管的源极接地；所述抗干扰延迟电路包括第六PMOS管，所述第六PMOS管的源极连接所述电源端，所述第六PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极以及所述第五PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的漏极连接所述第七PMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈绪坤，胡颖哲，梁明兰，杨文解，王冬春，
申请(专利权)人：珠海普林芯驰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：