一种多层混合等离子体纳米贴片的天线制造技术

技术编号:33733181 阅读:24 留言:0更新日期:2022-06-08 21:29
本发明专利技术公开一种多层混合等离子体纳米贴片的天线,包括混合等离子体波导、贴片和基底,主要解决现有技术天线表面等离子体传播损耗大和表面金属层阻抗很大的问题。本发明专利技术通过双层二氧化硅介质层、单层硅绝缘层和单层银金属层构成天线的混合等离子体波导,减小了天线表面等离子体传播损耗,实现了更高的天线辐射效率;本发明专利技术通过利用单层银金属层构成混合等离子体波导和贴片,减小了表面金属层阻抗,实现了更好的阻抗匹配。了更好的阻抗匹配。了更好的阻抗匹配。

【技术实现步骤摘要】
一种多层混合等离子体纳米贴片的天线


[0001]本专利技术属于通信
,更进一步涉及电磁场与微波
中的一种多层混合等离子体纳米贴片的天线。本专利技术可用于在满足天线宽带化的情况下,适用于标准通信波长的下的无线传输的天线。

技术介绍

[0002]纳米天线因其在纳米尺度控制、操作和辐射光线的特性,而被广泛地应用在无线通信
光学纳米天线是在亚波长尺度上对光频段电磁波进行调控,实现近场局域光场和远场辐射光场的自由转换。在设计光学纳米天线时,往往基于表面等离激元理论,利用其“尖端效应”来实现的。现有技术的纳米天线主要基于纯等离激元,由于过度的欧姆损耗而导致天线效率非常低且没有良好的远场特性。在实际应用的时候纳米天线往往阻抗较大,并且表面等离激元损耗很大,从而在天线的效率性能等方面带来一些不利因素。
[0003]Zahra Manzoor等人在其发表的论文“E

shaped Nano

antenna with Asymmetric Integrated Dielectric
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层混合等离子体纳米贴片的天线,包括依次设置在基底(3)上的混合等离子体波导(1)和贴片(2),其特征在于,所述混合等离子体波导(1)和贴片(2)均由双层二氧化硅介质层、单层硅绝缘层和单层银金属层构成;所述贴片(2)为多面体结构;所述基底(3)由单层硅绝缘层和单层银金属层构成。2.根据权利要求1所述的一种多层混合等离子体纳米贴片的天线,其特征在于,所述混合等离子体波导(1)中包括面积相等长方体结构,且依次设置的第一个二氧化硅介质层(4)、第一个硅绝缘层(5)、第二个二氧化硅介质层以及第一个银金属层(7);所述长方体结构的长
×

×
高为:365
×
250
×
290,单位为nm,第一个二氧化硅介质层(4)和第二个二氧化硅介质层(6)的厚度均为20nm,第一个硅绝缘层(5)的厚度为150nm,第一个银金属层(7)的厚度为100nm。3.根据权利要求1所述的一种多层混合等离子体纳米贴片的天线,其特征在于,所述贴片(2)中包括面积相等的多面体结构、且依次设置的第三个二氧化硅介质层(11)、第二个硅绝缘层(10)、第四个二氧化硅介质层(9...

【专利技术属性】
技术研发人员:李娜田艳伟王岩包建强赵驰高格婷
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1