一种可用于训练的忆阻器阵列系统技术方案

本发明专利技术属于存储器技术领域，具体为一种可用于训练的忆阻器阵列系统。本发明专利技术系统包括：WL与BL寄存器，输入驱动，用于存储数据信息的忆阻器阵列，将忆阻器阵列输出的模拟信号转换为数字信号模数转换器，用于对ADC输出的数字信号进行处理的移位加法器。忆阻器双向读取方法，包括：（1）正向读取，固定SL为高压，通过BL所加电压来选中存储单元，对应于正向传播计算过程；（2）反向读取，改变存储单元两端所加电压，固定BL为高压，通过SL所加电压来选中存储单元。本发明专利技术在完全不改变和增加阵列单元结构的前提下，完全不降低阻变存储单元的双向读取速度和裕度，极大地降低忆阻器读操作耗时，实现双向读操作。双向读操作。双向读操作。

【技术实现步骤摘要】
一种可用于训练的忆阻器阵列系统


[0001]本专利技术属于存储器
，具体涉及一种可用于训练的忆阻器阵列系统。

技术介绍

[0002]随着大数据时代的到来，工艺节点不断缩小，存储器件占比日渐增大。易失性存储器，为了保持存储的数据不丢失，在断电情况下，仍然需要给存储器提供电源信号，这会导致额外的较大的单元漏电功耗。RRAM（Resistive Random Access Memory，忆阻器）是一种基于忆阻器件工作原理的新型非易失存储器。忆阻器具有结构简单，与现有 CMOS 工艺兼容，高微缩性，多值存储，易于 3D 集成等优点，作为非易失性存储器，忆阻器在断电之后仍能保持数据，因而会有较小的单元漏电功耗。
[0003]忆阻器（单元）是一种两端器件，其工作机理是在利用导电细丝的形成和断裂表现出低高阻态。通过在忆阻器两端加上不同电压，可实现忆阻器的不同操作模式。常见操作为写入操作和读取操作。
[0004]在对忆阻器进行写操作时，通过在忆阻器两个极板上施加不同极性的电压，可实现忆阻器在不同状态间的转换。其中，阻变层由低阻态向高阻态变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可用于训练的忆阻器阵列系统，其特征在于，包括：WL与BL寄存器，用于存储从片上或者外部传入的BL和WL阵列；输入驱动，将寄存器中的数据通过驱动以高低电平的方式输入到忆阻器阵列中，从而完成读取或者写入功能；忆阻器阵列，用于存储数据信息，并根据输入将内部存储信息以电流形式输出；ADC，模数转换器，将忆阻器阵列输出的模拟信号转换为数字信号；移位加法器，对ADC输出的数字信号进行处理，完成运算，实现存算一体。2.根据权利要求1所述的忆阻器阵列系统，其特征在于，所述移位加法器中包括移位寄存器，以及全加器阵列。3.根据权利要求1所述的忆阻器阵列系统，其特征在于，所述忆阻器阵列结构中包括电源线、位线、子线和存储单元。4.一种基于权利要求1
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3之一所述忆阻器阵列系统的可用于训练的忆阻器双向读取方法，其特征在于，具体步骤为：（1）片上或者外部将输入数据传送到...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛晓勇，郭之望，姜婧雯，黄晓丽，赵晨阳，方晋北，陈德扬，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：