双通带平衡滤波耦合器制造技术

本发明专利技术公开了双通带平衡滤波耦合器，从上至下同轴设置的顶层金属层、顶层介质基板、金属接地板、底层介质基板和底层金属层，其中顶层金属层和底层金属层均是正方形结构；顶层金属层的四个边设置至少两对平衡输入端口，每对平衡输入端口包括两个对向设置的输入端口，两个输入端口沿顶层金属层的轴线对称；每个输入端口均设置输入馈线和共面波导转换结构；底层金属层上设置两个输出端口，两个输出端口分别设置在底层金属层的相邻角上，顶层介质基板和底层介质基板上设置金属通孔。底层介质基板上设置金属通孔。底层介质基板上设置金属通孔。

【技术实现步骤摘要】
双通带平衡滤波耦合器


[0001]本申请涉及微波无源器件领域，尤其是涉及一种双通带平衡滤波耦合器。

技术介绍

[0002]一种四分支波导接头，别名魔T，也就是一种耦合系数为1/2的定向耦合器。
[0003]在现代无线通信系统中，魔T和带通滤波器作为十分重要的射频前端器件，通常以级联的形式工作。然而这种形式不仅降低了工作性能，还使系统显得笨重。

技术实现思路

[0004]为解决目前耦合器尺寸较大的技术问题，本专利技术提供一种双通带平衡滤波耦合器，采用以下技术方案实现。
[0005]双通带平衡滤波耦合器包括：从上至下同轴设置的顶层金属层、顶层介质基板、金属接地板、底层介质基板和底层金属层，其中所述顶层金属层和所述底层金属层均是正方形结构；所述顶层金属层的四个边设置至少两对平衡输入端口，每对平衡输入端口包括两个对向设置的输入端口，所述两个输入端口沿顶层金属层的轴线对称；每个输入端口均设置输入馈线和共面波导转换结构；所述底层金属层上设置两个输出端口，两个输出端口分别设置在底层金属层的相邻角上，每个输出端口设置输出馈线和共本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.双通带平衡滤波耦合器，其特征在于，包括：从上至下同轴设置的顶层金属层、顶层介质基板、金属接地板、底层介质基板和底层金属层，其中所述顶层金属层和所述底层金属层均是正方形结构；所述顶层金属层的四个边设置至少两对平衡输入端口，每对平衡输入端口包括两个对向设置的输入端口，所述两个输入端口沿顶层金属层的轴线对称；每个输入端口均设置输入馈线和共面波导转换结构；所述底层金属层上设置两个输出端口，两个输出端口分别设置在底层金属层的相邻角上，每个输出端口设置输出馈线和共面波导转换结构；所述顶层介质基板上对应顶层金属层的内周位置设置第一金属通孔，所述底层介质基板上对应底层金属层的内周位置设置第二金属通孔；所述金属接地层上设置四个耦合槽，所述耦合槽分别设置于金属接地层上相对于四个输入端口向所述金属接地层中心延伸的内侧位置；若设置两对平衡输入端口，每对平衡输入端口中的两个输入端口分别设置两个对向边的中部设置。2.根据权利要求1所述的双通带平衡滤波耦合器，其特征在于，顶层金属层和底层金属层上与所述耦合槽相对应的位置都设置槽线。3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙小航，张钢，李益兵，顾小军，钟玮，周鑫，黄能才，
申请(专利权)人：南京师范大学，
类型：发明
国别省市：