太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，制备方法包括：对N型硅衬底进行清洗和制绒、在硅衬底的正面形成P型扩散层、形成未掺杂的多晶硅层、进行N型掺杂、去除正面绕镀和位于正面的未掺杂的多晶硅层、保留位于背面的至少部分掺杂型玻璃层、分别在正面和背面形成第一钝化层和第二钝化层、在第一钝化层的一侧形成第一电极并在第二钝化层的一侧形成第二电极。本申请通过保留背面的至少部分掺杂型玻璃层，以适合大规模量产的方式匹配掺杂多晶硅厚度的减薄，有利于提高短路电流和电池效率。有利于提高短路电流和电池效率。有利于提高短路电流和电池效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，更具体地，涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池和光伏组件。

技术介绍

[0002]近几年，全世界都在大力发展可再生能源，比较热门的可再生能源有太阳能、风能、潮汐能等。太阳能相比传统能源有着利用简单、安全、无污染等特点，成为可再生新能源领域研究的焦点。太阳能电池发电的基本原理是光生伏打效应，太阳能电池是将太阳光转化为电能的新能源器件。
[0003]太阳能电池包括隧穿层和掺杂多晶硅层，其中掺杂多晶硅层的主要作用是作为场钝化层，在硅片表面形成能带弯曲，实现载流子的选择性传输，减少复合损失。因为掺杂多晶硅层具备吸光能力，会造成一定的光学损失和电池效率降低。经研究发现，通过减薄太阳能电池中掺杂多晶硅层的厚度，可以降低掺杂多晶硅层的吸光能力，提高短路电流和电池效率。因此，减薄掺杂多晶硅层的厚度已成为太阳能电池的发展趋势。
[0004]然而随着掺杂多晶硅层厚度的减薄，为了满足太阳能电池中“金属电极穿透背面钝化层，与掺杂多晶硅层相接触，但不穿透隧穿层”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在N型硅衬底的正面和背面进行清洗和制绒；在所述N型硅衬底的正面形成P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面和所述N型硅衬底的背面分别形成未掺杂的多晶硅层；对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行N型掺杂，使位于所述N型硅衬底背面的所述未掺杂的多晶硅层形成N型掺杂多晶硅层；去除在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述正面的掺杂型玻璃层，并去除位于N型硅衬底正面的所述未掺杂的多晶硅层；保留在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述背面的至少部分掺杂型玻璃层；在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面形成第一钝化层；在位于所述N型硅衬底背面的所述掺杂型玻璃层背离所述N型硅衬底的表面形成第二钝化层；在所述第一钝化层背离所述P型扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述N型硅衬底的表面形成第二电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，沿垂直于所述N型硅衬底的方向，所述第二电极贯穿位于所述N型硅衬底背面的所述第二钝化层和所述掺杂型玻璃层，并与位于所述N型硅衬底背面的所述N型掺杂多晶硅层接触。3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述保留在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述背面的至少部分掺杂型玻璃层中，保留的所述掺杂型玻璃层整面覆盖在位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，侯乾坤，张临安，廖光明，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：