用于目标图案的基于规则的重靶向的方法技术

本文描述一种用于产生用于待印刷于衬底上的目标图案的重靶向图案的方法。该方法包括：获得(i)包括至少一个特征的目标图案，该至少一个特征具有包括第一维度和第二维度的几何形状；以及(ii)多个偏差规则，该多个偏差规则被定义为第一维度、第二维度和与目标图案的在测量区域内的特征相关联的性质的函数；确定所述性质的在目标图案的至少一个特征上的多个位置处的值，每个位置均被所述测量区域包围；基于所述性质的所述值，从所述多个偏差规则中选择偏差的子集；以及通过将所选择的偏差的子集应用至目标图案的所述至少一个特征，产生重靶向图案。生重靶向图案。生重靶向图案。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于目标图案的基于规则的重靶向的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年10月24日递交的美国申请62/925,463的优先权，该美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本文中的描述涉及光刻设备和图案形成工艺，并且更具体地涉及用于确定对目标图案的校正以改善图案形成工艺的方法。

技术介绍

[0004]光刻投影设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供对应于IC的单独的层的电路图案(“设计布局”)，并且可以通过诸如经由图案形成装置上的电路图案来照射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)的方法将此电路图案转移至该目标部分上。一般而言，单个衬底衬底包含多个相邻的目标部分，电路图案由光刻投影设备以一次一个目标部分的方式连续转移至所述多个相邻的目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，将整个图案形成装置上的电路图案一次转移至一个目标部分上；此设备通常被称为晶片步进器。在通常被称为步进扫描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非暂时性计算机可读介质，在所述非暂时性计算机可读介质上记录有指令，所述指令在由计算机执行时实施产生用于待印刷于衬底上的目标图案的重靶向图案的方法，所述方法包括：获得(i)包括至少一个特征的所述目标图案以及(ii)多个偏差规则，所述至少一个特征具有包括第一维度和第二维度的几何形状，所述多个偏差规则被定义为所述第一维度、所述第二维度和与所述目标图案的在测量区域内的特征相关联的性质的函数；确定所述性质的在所述目标图案的所述至少一个特征上的多个位置处的值，其中，每个位置均被所述测量区域包围；基于所述性质的所述值，从所述多个偏差规则中选择针对所述至少一个特征上的所述多个位置的偏差的子集；以及通过将所选择的偏差的子集应用至所述目标图案的所述至少一个特征，产生用于所述目标图案的所述重靶向图案。2.如权利要求1所述的介质，其中，确定所述性质的在给定的位置处的所述值包括：(a)在所述至少一个特征处的所述给定的位置周围分配测量区域；(b)识别所述测量区域内的一个或更多个特征；(c)经由用户定义的函数，计算与所述测量区域内的被识别的所述一个或更多个特征相关联的所述性质的值；以及(d)选择在所述至少一个特征处的另一个位置，并且使用步骤(a)中的所述测量区域执行步骤(b)和(c)。3.如权利要求1所述的介质，其中，所述性质是密度或核函数。4.如权利要求3所述的介质，其中，计算所述密度包括：确定在所述测量区域内的被识别的所述一个或更多个特征的总面积；确定所述测量区域的总面积；以及将密度值计算为在所述测量区域内的特征的所述总面积与所述测量区域的所述总面积的比率。5.如权利要求2所述的介质，其中，计算所述性质的所述值包括：在所述测量区域与所述用户定义的函数之间应用卷积计算。6.如权利要求5所述的介质，其中，所述测量区域被表示为包括所述一个或更多个特征的图像，并且所述性质的所述值是通过将所述图像与所述用户定义的函数做卷积被计算的。7.如权利要求1所述的介质，其中，所述测量区域能够在整个所述目标图案上移动，并且其中，所述目标图案是设计图案、显影后图像图案、和/或蚀刻图案。8.如权利要求1所述的介...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾曼，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：