一种TiC增强MoSi2基复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种TiC增强MoSi2基复合材料及其制备方法，所述复合材料包含基体相、增强相，以及位于基体相和增强相之间的界面相；所述基体相包含MoSi2，所述增强相包含TiC，所述界面相的化学式为(Ti

【技术实现步骤摘要】
一种TiC增强MoSi2基复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于高温材料领域，尤其涉及一种TiC增强MoSi2基复合材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]MoSi2具有高熔点(2030℃)、较低密度(6.24g/cm3)、优异的高温抗氧化性能，以及良好的导热性和导电性等特性，被认为是有望应用于1200～1600℃的超高温结构材料，受到广泛关注。但是，MoSi2材料在实用化过程中仍存在一些严重不足，主要包括：(1)断裂韧性差，MoSi2的韧脆转变温度在900～1000℃，1000℃以下断裂韧度较低，尤其室温断裂韧度仅为2～3MPa
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。(2)抗氧化性问题。MoSi2在400～800℃会出现Pest加速氧化的现象，最终会由致密体变成粉末，引起材料灾难性的毁坏，而在1700℃以上，MoSi2易氧化形成挥发性的SiO，导致材料抗氧化性能降低，是其作为高温结构材料应用的关键瓶颈问题。因此，提高MoSi2的强韧性和改善抗氧化性能成为材料工作者的研究热点。
[0003]在MoSi2中添加第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TiC增强MoSi2基复合材料，其特征在于：所述复合材料包含基体相、增强相，以及位于基体相和增强相之间的界面相；所述基体相包含MoSi2，所述增强相包含TiC，所述界面相的化学式为(Ti
x
,Mo1‑
x
)Si2，其中，0.33≤x≤0.95。2.根据权利要求1所述的一种TiC增强MoSi2基复合材料，其特征在于：所述复合材料中，TiC的体积百分比为5～40％。3.根据权利要求1或2所述的一种TiC增强MoSi2基复合材料，其特征在于：所述基体相中还包含固溶强化元素和/或细晶强化元素，所述固溶强化元素为在基体相中固溶度不低于5at.％的元素，所述细晶强化元素为在基体相中固溶度不超过2at.％的元素。4.根据权利要求3所述的一种TiC增强MoSi2基复合材料，其特征在于：所述固溶强化元素选自Ta、Nb和W中的至少一种；所述细晶强化元素选自Ni，Co，B和C中的至少一种。5.根据权利要求3或4所述的一种TiC增强MoSi2基复合材料，其特征在于：所述固溶强化元素在基体相中的原子百分比为5at.％
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10at.％；所述细晶强化元素在基体相中的原子百分比为0.01at.％
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1.5at.％。6.根据权利要求1
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5任一项所述的一种TiC增强MoSi2基复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：原料的配取按设计比例配取Mo粉、Si粉、Mo包覆TiC粉，混合获得混合粉末。步骤二：烧结成型将步骤一所得混合粉末置于模具中，原位反应烧结即得复合材料。7.根据权利要求6所述的一种TiC增强MoSi2基复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，配取的原料中还包含固溶强化元素和/或细晶强化元素；所述步骤一中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李威，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：