【技术实现步骤摘要】
一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组
[0001]本专利技术涉及深紫外灯杀菌
，尤其涉及一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组。
技术介绍
[0002]在利用深紫外LED进行杀菌处理的装置和系统中，深紫外LED芯片的光源出射效果直接影响到整个装置和系统的消杀灭菌效果。因此，在整个装置和系统中，还需要增加对光强进行监测的光强探测器对芯片的出光状态进行适时监测。
[0003]而受到光反射的影响，如何提高芯片自身的光出射效果，以及如何设置光强探测器与芯片之间在整个系统和装置内的配合，使得针对不同芯片的差异化的老化程度，提高光强探测器的探测精度等问题一直是本领域的难点，也是本领域技术人员一直致力于解决和研发的重点课题。
[0004]针对上述的现有技术状态，本申请提供了一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组，从而解决或者至少缓解了现有技术中存在的上述问题和其他方面的问题中的一个或多个。<...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组，其特征在于，至少包括一对深紫外LED单元，每个所述深紫外LED单元均包括基板及均匀设置在所述基板上的芯片和光强探测器，且一对所述深紫外LED单元通过相对设置，使得一对所述紫外灯LED单元内芯片之间以及光强探测器之间呈对面分布。2.如权利要求1所述的一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组，其特征在于，所述基板上设有与所述光强探测器一一对应的探测器槽，所述光强探测器被设于其对应的所述探测器槽内。3.如权利要求1所述的一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组，其特征在于，所述芯片倒装式的被安装于所述基板上，且所述芯片的表面均镀有保护层，所述保护层的厚度设置范围为：1
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100um。4.如权利要求3所述的一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组，其特征在于，所述保护层采用氧化硅、氧化铝、氮化硼、氮化硅等惰性的化合物材料。5.如权利要求3所述的一种对面设置的自监测深紫外LED杀菌用模组，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏正浩，罗明浩，张康，庞俊腾，林威，
申请(专利权)人：中山市光圣半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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