【技术实现步骤摘要】
电子单元阵列及器件、人工神经网络
[0001]本专利技术涉及神经网络
，尤其涉及一种电子单元阵列及器件、人工神经网络。
技术介绍
[0002]人工神经网络是一种仿生并行处理信号的运算系统，旨在通过模仿人脑的适应性、互连性、噪声耐受性来处理大量数据。然而，现有的通用人工神经网络系统都是在以冯诺依曼架构为基础的计算机上运行，计算效率低，功耗高，难以模仿真实生物神经网络的强大连通性和神经元的权值调节功能。为了解决冯诺依曼架构计算设备模拟动物神经网络存在的种种问题和局限，现有一些具有神经网络计算潜力的模拟计算电路成为人们关注的重点。
[0003]现有模拟计算技术方案包括四种，分别为：(1)基于金属氧化物忆阻器的人工神经网络计算芯片；(2)基于动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的人工神经网络计算芯片；(3)基于浮动栅晶体管的人工神经网络计算芯片；(4)基于双栅串联薄膜晶体管的人工神经网络计算芯片。
[0004]其中，第一种、第二种以及第三种模拟计算技术方案均存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子单元阵列，其特征在于，所述电子单元阵列包括m
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n个电子单元；每个电子单元包括开关场效应晶体管，电容器，并联双栅场效应晶体管及若干条电导线；所述开关场效应晶体管包含栅极端口、源极端口和漏极端口；所述电容器包含第一端口和第二端口；所述并联双栅场效应晶体管包含第一栅极端口、第二栅极端口、源极端口和漏极端口；所述开关场效应晶体管的源极端口或漏极端口中的其中一个电连接所述电容器的第一端口及所述并联双栅场效应晶体管的第一栅极端口；所述开关场效应晶体管的漏极端口或源极端口中的其中一个电连接第一电导线；所述电容器的第二端口连接第二电导线；所述并联双栅场效应晶体管的源极端口或漏极端口中的其中一个电连接所述第二电导线；所述并联双栅场效应晶体管的漏极端口或源极端口中的其中一个电连接第三电导线；所述并联双栅场效应晶体管的第二栅极端口电连接第四电导线；所述开关场效应晶体管的栅极端口电连接第五电导线。2.根据权利要求1所述电子单元阵列，其特征在于，所述开关场效应晶体管及所述并联双栅场效应晶体管均为薄膜场效应晶体管。3.根据权利要求2所述电子单元阵列，其特征在于，所述电子单元阵列中的所述第一电导线与所述第五电导线之间互相垂直；所述第三电导线与所述第四电导线之间互相垂直；所述电子单元阵列中按照相同的第一排列方向进行排列的电子单元包括的各个所述开关场效应晶体管的漏极端口或源极端口中的其中一个均电连接至同一条第一电导线，所述第一排列方向包括行排列方向或列排列方向；所述电子单元阵列中按照相同的所述第一排列方向进行排列的电子单元包括的各个所述并联双栅场效应晶体管的第二栅极端口均电连接至同一条第四电导线；所述电子单元阵列中按照相同的第二排列方向进行排列的电子单元包括的各个所述并联双栅场效应晶体管的漏极端口或源极端口中的其中一个均电连接至同一条第三电导线，所述第二排列方向包括列排列方向或行排列方向；所述电子单元阵列中按照相同的所述第二排列方向进行排列的电子单元包括的各个所述开关场效应晶体管的栅极端口均电连接至同一条第五电导线；所述电子单元阵列中的电子单元包括的各个所述电容器的第二端口均电连接至所述第二电导线，以及所述电子单元阵列中的各个所述并联双栅场效应晶体管的源极端口或漏极端口中的其中一个电连接至所述第二电导线；其中，所述电子单元阵列包括的各个电子单元中的开关场效应晶体管的栅极端口，按照所述第二排列方向依次接收开启信号，以使不同的第二排列方向上的开关场效应晶体管依次导通，以实现阵列扫描。4.根据权利要求3所述电子单元阵列，其特征在于，所述电导线用于传输电子信号，所述电子信号至少包括输入信号、权重信号、开关信号、输出信号及电气参考信号中的一种或几种。5.根据权利要求4所述电子单元阵列，其特征在于，所述第一电导线用于传输所述权重信号至与所述第一电导线电连接的开关场效应晶体管，以使在所述开关场效应晶体管导通时，将所述权重信号经过所述开关场效应晶体管存储至与所述开关场效应晶体管电连接的电容器；所述第二电导线用于传输电气参考信号至与所述第二电导线电连接的所述电容器的
第一端口以及所述并联双栅场效应晶体管的源极端口或漏极端口中...
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