【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓物料中镓含量的检测方法
[0001]本专利技术涉及一种金属检测方法,具体涉及一种氮化镓物料中镓含量的检测方法,属于氮化镓物料分析检测技术。
技术介绍
[0002]氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。
[0003]氮化镓是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在Ⅲ—
Ⅴ
族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子,原子 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓物料中镓的检测方法,其特征在于:将氮化镓物料置于石墨坩埚内,采用中频感应加热方式实现加热进行氮化镓的热分解反应,待热分解反应完成后随炉冷却,将石墨坩埚内的金属镓直接收集,并通过热盐酸冲洗回收粘附在石墨坩埚内壁的残余金属镓,用分液漏斗将镓与其他杂物分离,将收集的金属镓合并,通过称重法计算镓含量。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓物料中镓的检测方法,其特征在于:所述石墨坩埚由等静压石墨制成;所述石墨坩埚的坩埚盖上设有泄压口。3.根据权利要求1所述的一种氮化镓物料中镓的检测方法,其特征在于:所述热分解反应的条件为:在保护气氛下...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵科湘,金智宏,
申请(专利权)人:株洲科能新材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。