一种时钟振荡器及其制备方法技术

提供了一种时钟振荡器及该时钟振荡器的制备方法、使用方法，以及包括该时钟振荡器的芯片。该时钟振荡器包括谐振器、避震材料层和基座，避震材料层的至少一部分位于谐振器与基座之间。该时钟振荡器在谐振器和基座之间增设避震材料层，该避震材料层能够在基座与谐振器之间有效地阻止机械波传导，使得谐振器免于外界震动的影响，在存在外界震动的情况下保证谐振器输出频率不劣化，提升时钟振荡器的抗震性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种时钟振荡器及其制备方法
[0001]本申请要求于2021年1月26日提交的申请号为202110106739.0、专利技术名称为“一种 时钟振荡器及其制备方法”的中国专利申请以及于2020年11月30日提交的申请号为 202011386388.5、专利技术名称为“一种提高时钟振荡器抗震能力的方法”的中国专利申请的 优先权，它们的全部内容通过引用结合在本申请中。


[0002]本申请涉及计算机领域，尤其涉及一种具有抗震能力的时钟振荡器及该时钟振荡器的 制备方法、使用方法，以及包括该时钟振荡器的芯片。

技术介绍

[0003]时钟振荡器，是电子系统中的重要器件，为电子系统提供必需的时钟频率，从而电子 系统能够在该时钟频率下执行各种操作，实现正常工作。时钟振荡器通常由电学/机械谐 振器、反馈网络、放大网络以及输出网络等模块构成，利用电路/机械谐振器的谐振特性 实现频率选择，产生周期性振荡的频率信号，也即时钟信号。
[0004]当外界环境震动传递至谐振器时，可能导致谐振器的输出频率发生跳变，进而由于时 钟信号的不稳定，导致整个电子系统性能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种时钟振荡器，其特征在于，所述时钟振荡器包括谐振器、避震材料层和基座，所述避震材料层的至少一部分位于所述谐振器与所述基座之间。2.根据权利要求1所述的时钟振荡器，其特征在于，所述避震材料层包括微米级层状结构、纳米级三维网状结构或高分子聚合材料。3.根据权利要求2所述的时钟振荡器，其特征在于，所述纳米级三维网状结构包括纳米纤维。4.根据权利要求3所述的时钟振荡器，其特征在于，所述纳米纤维包括碳纳米纤维和/或陶瓷纳米纤维。5.根据权利要求1
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4任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述谐振器位于所述避震材料层的第一侧，所述基座位于所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。6.根据权利要求5所述的时钟振荡器，其特征在于，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。7.根据权利要求1
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4任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述避震材料层的结构包括曲面式层状结构，所述避震材料层全包围或半包围所述谐振器。8.根据权利要求7所述的时钟振荡器，其特征在于，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构。9.根据权利要求1
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8任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述谐振器与所述避震材料层的表面粘合。10.根据权利要求1
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9任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述时钟振荡器还包括集成电路IC；其中，所述避震材料层的至少一部分位于所述IC与所述谐振器之间，并且所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对；或者，所述避震材料层与所述基座的第一表面接触，所述IC与所述基座的第一表面接触，且所述IC与所述避震材料层不重叠。11.根据权利要求1
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10任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述谐振器为晶体谐振器或半导体谐振器。12.根据权利要求11所述的时钟振荡器，其特征在于，所述晶体谐振器为表面贴装器件SMD陶瓷封装的晶体谐振器。13.根据权利要求11所述的时钟振荡器，其特征在于，所述半导体谐振器为圆片封装的半导体谐振器。14.根据权利要求1
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13任一项所述的时钟振荡器，其特征在于，所述谐振器和所述避震材料层通过真空封装或塑封的方式进行整体封装。15.一种制备时钟振荡器的方法，其特征在于，所述方法包括：将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间；对所述谐振器和所述避震材料层进行整体封装，以获得所述时钟振荡器。16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述避震材料层包括微米级层状结构、
纳米级三维网状结构或高分子聚合材料。17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述纳米级三维网状结构包括纳米纤维。18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述纳米纤维包括碳纳米纤维和/或陶瓷纳米纤维。19.根据权利要求15
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18任一项所述的方法，其特征在于，所述避震材料层的结构包括平面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器放置在所述避震材料层的第一侧；将基座放置在所述避震材料层的第二侧，所述避震材料层的第二侧与所述避震材料层的第一侧相对。20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述平面式层状结构包括连续平面式层状结构、平面网格式层状结构或同一平面内的多个点状结构。21.根据权利要求15
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18任一项所述的方法，其特征在于，所述避震材料层的结构为曲面式层状结构，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：利用所述避震材料层全包围或半包围所述谐振器。22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述曲面式层状结构包括连续曲面式层状结构或曲面网格式层状结构。23.根据权利要求15
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22任一项所述的方法，其特征在于，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器与所述避震材料层的表面粘合。24.根据权利要求15
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23任一项所述的方法，其特征在于，所述时钟振荡器还包括集成电路IC，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述避震材料层的至少一部分设置在谐振器与所述IC之间，所述避震材料层与所述IC的第一表面接触，所述IC的第二表面与所述基座的第一表面接触，所述IC的第一表面与所述IC的第二表面相对。25.根据权利要求15
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23任一项所述的方法，其特征在于，所述时钟振荡器还包括集成电路IC，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间，包括：将所述谐振器、所述避震材料层和所述IC放置在所述基座的第一表面上，且所述IC与所述避震材料层不重叠。26.根据权利要求15
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25任一项所述的方法，其特征在于，所述整体封装的封装方式包括真空封装或塑封。27.根据权利要求15
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26任一项所述的方法，其特征在于，所述将避震材料层的至少一部分设置在谐振器与基座之间之前，所述方法还包括：对所述谐振器进行真空封装。28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，当所述谐振器为晶体谐振器时，对所述谐振器进行真空封装，包括：对所述晶体谐振器进行表面贴装器件SMD陶瓷封装；
当所述谐振器为半导体谐振器时，对所述谐振器进行真空封装，包括：对所述半导体谐振器进行圆片封装。29.一种获得时钟频率的方法，其特征在于，通过如权利要求1
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14任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍伟，王锦辉，李浩，杨勇，黄新华，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：