【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其断线修复方法
[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的断线修复方法。
技术介绍
[0002]ADS型液晶面板(Advanced-Super Dimensional Switching,高级超维场开关技术)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场,使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换,从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。ADS型液晶显示面板可以提高TFT-LCD(Thin film transistor liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)画面品质,具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(Push Mura)等优点。为了提高开口率,目前采用HADS(High Aperture Ratio-ADS,高开口率-高级超维场开关)型液晶面板。
[0003]在液晶显示面板的制造过程中,修复断线是提高 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述阵列基板包括设于衬底基板之上的断路导线,以及绝缘设于所述断路导线远离所述衬底基板一侧的第一电极,所述断路导线具有至少两个断路点,所述断线修复方法包括:对所述第一电极进行切割形成连接部,所述连接部与所述第一电极分离绝缘,且至少两个所述断路点在所述衬底基板上的正投影位于所述连接部在所述衬底基板上的正投影之内;剥离部分所述连接部,以使所述断路导线裸露形成至少两个裸露部,所述裸露部与所述断路点重合,或所述裸露部位于所述断路导线的靠近所述断路点的位置;将至少两个所述裸露部与所述连接部连接为一体。2.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,对所述第一电极进行切割形成连接部,包括:沿所述断路导线的延伸方向,且在所述断路导线与相邻至少两个导电部之间的至少两个间隙内切割所述第一电极形成至少两个第一切割槽;沿与所述断路导线的延伸方向垂直的方向切割所述第一电极形成至少两个第二切割槽;所述第一切割槽与所述第二切割槽连接形成封闭的环形槽,所述环形槽围绕的所述第一电极形成所述连接部。3.根据权利要求2所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述阵列基板还包括第一导线和第二导线,所述第一导线设于所述衬底基板的一侧,所述第二导线绝缘设于所述第一导线远离所述衬底基板的一侧,所述第一导线在所述衬底基板上的正投影与所述第二导线在所述衬底基板上的正投影有相交。4.根据权利要求3所述的阵列基板的断线修复方法,其特征在于,所述断路导线为所述第一导线,且两个所述断路点位于所述第二导线的两侧;沿所述断路导线的延伸方向切割所述第一电极时,切割最深截止至所述第二导线远离所述衬...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈平,刘涛,尹磊,汤晨,胡海涛,王彬,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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