纳米粒子、纳米粒子层图案化的方法及相关应用技术

本发明专利技术公开了一种纳米粒子、纳米粒子层图案化的方法及相关应用，采用本发明专利技术的纳米粒子在基底上形成图案化的纳米粒子层时，在纳米粒子中添加光敏材料，然后在预设波长的光照射下，第一配体中的保护基团解离形成氨基，在纳米颗粒表面形成包括氨基的第二配体，第二配体的极性与第一配体的极性不同，则第二配体与第一配体在同一显影液中的溶解性不同；且第二配体的氨基与相邻纳米粒子发生配合作用，纳米粒子形成紧密连接的交联网络结构。在显影处理时，发生交联的纳米粒子不溶于显影液而被保留下来，未发生交联的纳米粒子溶解于显影液中，从而脱离基底被去除，完成纳米粒子层的图案化，能够形成高分辨率的、性能良好的纳米粒子图案。图案。图案。

【技术实现步骤摘要】
纳米粒子、纳米粒子层图案化的方法及相关应用


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种纳米粒子、纳米粒子层图案化的方法及相关应用。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dots，QDs)，又称为纳米晶，是一种由II－VI族或III－V族元素构成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～20nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成分立的能级结构，受激后可以发射荧光。
[0003]随着量子点制备技术的深入发展，量子点的稳定性以及发光效率不断提升，量子点发光二极管(Quantum Light Emitting Diode，QLED)的研究不断深入，QLED在显示领域的应用前景日渐光明。但是，目前QLED的生成效率还没有达到量产水平，其中最重要的原因是QLED的高分辨率图案化技术目前还没有取得突破。
[0004]现有技术制造图案化的类似量子点的纳米粒子时，由于纳米粒子的无机纳米粒子特性，无法通过蒸镀成膜并图案化的方法制作图案化的纳米粒子。
[0005]现有技术一般通过喷墨打印法制作图案化的纳米粒子，而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米粒子，其特征在于，包括纳米颗粒以及连接于所述纳米颗粒表面的第一配体，所述第一配体具有被保护基团保护的氨基；所述第一配体被配置为在光敏材料以及预设波长的光照射的作用下，使所述保护基团解离，以在所述纳米颗粒表面形成具有氨基的第二配体，所述第二配体的极性与所述第一配体的极性不同；且所述第二配体的氨基与相邻所述纳米粒子发生交联。2.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于，所述保护基团包括叔丁氧羰基、至少其中之一。3.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于，所述第一配体还包括：与所述被保护基团保护的氨基连接的连接基团，以及与所述连接基团连接的配位基团；所述配位基团被配置为与所述纳米颗粒进行配位结合。4.如权利要求3所述的纳米粒子，其特征在于，所述配位基团包括
‑
NH2、
‑
SH、
‑
COOH、
‑
P、
‑
PO2至少其中之一。5.如权利要求3所述的纳米粒子，其特征在于，所述连接基团为(CH2)
n
，n＝2～6；或，所述连接基团为含有共轭基团的结构，包括或，所述连接基团为含有共轭基团的结构，包括至少其中之一；或，所述连接基团为n＝2～6。6.如权利要求3所述的纳米粒子，其特征在于，所述第一配体包括：
至少其中之一；其中，Boc为叔丁氧羰基，表示与氨基连接的连接基团以及与所述连接基团连接的配位基团。7.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于，所述纳米粒子包括CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS、ZnTeSe/ZnSe、ZnO、ZnMgO、ZnAlO、ZnLiO至少其中之一。8.一种纳米粒子层图案化的方法，其特征在于，包括：在基底上形成包括光敏材料以及纳米粒子的膜层；其中，所述纳米粒子为权利要求1
‑
7任一项所述的纳米粒子；采用预设波长的光照射所述膜层的保留区域；其中，在所述预设波长的光照射下，所述光敏材料的生成物与所述第一配体发生反应，使所述保护基团解离，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卓，王铁石，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：