闪存控制方法及装置制造方法及图纸

本申请公开了一种闪存控制方法及装置，该方法包括：在电子设备满足休眠条件的情况下，获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，数据缓存信息表征第一闪存单元中缓存数据的情况，闪存模块包括第一闪存单元和第二闪存单元，第一闪存单元的数据写入速度比第二闪存单元的数据写入速度快；如果数据缓存信息满足第一条件，维持闪存模块处于非休眠状态，以使得闪存模块能够向第二闪存单元转移第一闪存单元内缓存的数据。本申请的方案可以在电子设备由休眠到唤醒后，减少由于第一闪存单元的可用空间较少而影响到向第一闪存单元中写入数据的写入性能的情况。的写入性能的情况。的写入性能的情况。

【技术实现步骤摘要】
闪存控制方法及装置


[0001]本申请涉及控制
，更具体地说，涉及一种闪存控制方法及装置。

技术介绍

[0002]随着存储技术的不断发展，电子设备中闪存模块内的闪存存储器的种类也日益多样。如，闪存存储器可以分为单阶存储单元(Single
‑
Level Cell，SLC)、多阶存储单元((Multi
‑
Level Cell，MLC)和三阶存储单元(Triple
‑
Level Cell，TLC)等多种。
[0003]不同闪存存储器的存储容量和写入性能都会有所不同。目前，存储容量较大的闪存存储器普遍存在写入速度慢的情况；而写入速度快的闪存存储器的存储容量又偏小，一旦该种闪存存储器的剩余存储空间变小，也会导致写入性能大大降低，因此，如何有效保证闪存模块的写入性能是本领域技术人员需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种闪存控制方法及装置。
[0005]其中，一种闪存控制方法，应用于电子设备，包括：
[0006]在所述电子设备满足休眠条件的情况下，获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，所述数据缓存信息表征所述第一闪存单元中缓存数据的情况，所述闪存模块包括第一闪存单元和第二闪存单元，所述第一闪存单元的数据写入速度比所述第二闪存单元的数据写入速度快；
[0007]如果所述数据缓存信息满足第一条件，维持所述闪存模块处于非休眠状态，以使得所述闪存模块能够向所述第二闪存单元转移所述第一闪存单元内缓存的数据。
[0008]在一种可能的实现方式中，所述获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，包括：
[0009]获得所述闪存模块中第一闪存单元的第一可用空间信息；
[0010]所述数据缓存信息满足第一条件，包括：
[0011]所述第一可用空间信息表征所述第一闪存单元的剩余空间占比小于比例阈值，所述剩余空间占比为所述第一闪存单元的剩余空间与第一闪存单元的总空间的占比。
[0012]在又一种可能的实现方式中，在确定所述第一闪存单元的剩余空间占比小于比例阈值之前，还包括：
[0013]获得所述第一闪存单元内存储单元的碎片化程度；
[0014]确定与所述碎片化程度对应的比例阈值。
[0015]在又一种可能的实现方式中，在维持所述闪存模块处于非休眠状态之后，还包括：
[0016]获得所述闪存模块中第一闪存单元的第二可用空间信息；
[0017]如果所述第二可用空间信息表征所述第一闪存单元的剩余空间占比不小于所述比例阈值，且所述电子设备仍满足所述休眠条件或者所述电子设备处于休眠状态，控制所述闪存模块进入休眠状态。
[0018]在又一种可能的实现方式中，所述数据缓存信息满足第一条件，包括：
[0019]所述数据缓存信息表征所述第一闪存单元中缓存有数据。
[0020]在又一种可能的实现方式中，获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，包括：
[0021]获得闪存模块的第一闪存单元中待转移到第二闪存单元的待转移数据信息；
[0022]所述数据缓存信息表征所述第一闪存单元中缓存有数据，包括：
[0023]所述待转移数据信息表征所述第一闪存单元中存在待转移至第二闪存单元的数据。
[0024]在又一种可能的实现方式中，在维持所述闪存模块处于非休眠状态之后，还包括：
[0025]在确认所述第一闪存单元不存在缓存的数据或者不存在待转移至第二闪存单元的数据，且所述电子设备仍满足所述休眠条件或者所述电子设备处于休眠状态，控制所述闪存模块进入休眠状态。
[0026]在又一种可能的实现方式中，在所述维持所述闪存模块处于非休眠状态之前，还包括：
[0027]获得所述电子设备的电量状态信息；
[0028]所述如果所述数据缓存信息满足第一条件，维持所述闪存模块处于非休眠状态，包括：
[0029]如果所述数据缓存信息满足第一条件且所述电量状态信息满足第二条件，维持所述闪存模块处于非休眠状态。
[0030]在又一种可能的实现方式中，该方法还包括：
[0031]如果所述电子设备不满足休眠条件，且所述电子设备待写入闪存模块的数据量超过数量阈值，向所述闪存模块发送缓冲扩展指令；
[0032]通过所述闪存模块响应所述缓冲扩展指令，将所述闪存模块中第二闪存单元的部分存储区扩展为所述第一闪存单元的扩展区，所述第一闪存单元的扩展区与所述第一闪存单元的数据存储方式相同。
[0033]其中，一种闪存控制装置，应用于电子设备，包括：
[0034]信息获得单元，用于在所述电子设备满足休眠条件的情况下，获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，所述数据缓存信息表征所述第一闪存单元中缓存数据的情况，所述闪存模块包括第一闪存单元和第二闪存单元，所述第一闪存单元的数据写入速度比所述第二闪存单元的数据写入速度快；
[0035]休眠控制单元，用于如果所述数据缓存信息满足第一条件，维持所述闪存模块处于非休眠状态，以使得所述闪存模块能够向所述第二闪存单元转移所述第一闪存单元内缓存的数据。
[0036]通过以上方案可知，本申请在电子设备满足休眠条件的情况下，如果闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息满足第一条件，则不会休眠闪存模块，使得闪存模块能够向第二闪存单元转移该第一闪存单元内缓存的数据，从而可以使得减少第一闪存单元内无法被及时搬移的情况；也就可以减少电子设备再次唤醒后，由于第一闪存单元的可用空间较少而影响到向第一闪存单元中写入数据的写入性能的情况。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0038]图1为本申请实施例提供的闪存控制方法的一种流程示意图；
[0039]图2为本申请实施例提供的闪存控制方法的又一种流程示意图；
[0040]图3为本申请实施例中第一闪存单元中碎片化的示意图；
[0041]图4为本申请实施例提供的闪存控制方法的又一种流程示意图；
[0042]图5为本申请实施例提供的闪存控制方法的又一种流程示意图；
[0043]图6为本申请实施例提供的闪存控制方法的又一种流程示意图；
[0044]图7为本申请实施例提供的电子设备中扩展第一闪存单元的的一种架构示意图；
[0045]图8为本申请实施例提供的闪存控制装置的一种组成结构示意图；
[0046]图9为本申请实施例提供的电子设备的一种组成结构示意图。
[0047]说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的部分，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存控制方法，应用于电子设备，包括：在所述电子设备满足休眠条件的情况下，获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，所述数据缓存信息表征所述第一闪存单元中缓存数据的情况，所述闪存模块包括第一闪存单元和第二闪存单元，所述第一闪存单元的数据写入速度比所述第二闪存单元的数据写入速度快；如果所述数据缓存信息满足第一条件，维持所述闪存模块处于非休眠状态，以使得所述闪存模块能够向所述第二闪存单元转移所述第一闪存单元内缓存的数据。2.根据权利要求1所述的方法，所述获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，包括：获得所述闪存模块中第一闪存单元的第一可用空间信息；所述数据缓存信息满足第一条件，包括：所述第一可用空间信息表征所述第一闪存单元的剩余空间占比小于比例阈值，所述剩余空间占比为所述第一闪存单元的剩余空间与第一闪存单元的总空间的占比。3.根据权利要求2所述的方法，在确定所述第一闪存单元的剩余空间占比小于比例阈值之前，还包括：获得所述第一闪存单元内存储单元的碎片化程度；确定与所述碎片化程度对应的比例阈值。4.根据权利要求2或3所述的方法，在维持所述闪存模块处于非休眠状态之后，还包括：获得所述闪存模块中第一闪存单元的第二可用空间信息；如果所述第二可用空间信息表征所述第一闪存单元的剩余空间占比不小于所述比例阈值，且所述电子设备仍满足所述休眠条件或者所述电子设备处于休眠状态，控制所述闪存模块进入休眠状态。5.根据权利要求1所述的方法，所述数据缓存信息满足第一条件，包括：所述数据缓存信息表征所述第一闪存单元中缓存有数据。6.根据权利要求5所述的方法，获得闪存模块中第一闪存单元的数据缓存信息，包括：获得闪存模块的第一闪存单元中待转移到第二闪存单元的待转移数据信息；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖火生，
申请(专利权)人：联想北京有限公司，
类型：发明
国别省市：