一种利用电极来改善激射性能的分布反馈式半导体激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种利用电极来改善激射性能的分布反馈式半导体激光器，其技术方案要点是：所述激光器的电极与脊条间的导电区域被设计成取样周期相同、取样占空比不同的取样图案，以调控所述激光器的有源层中载流子和激射光场分布；本发明专利技术能够在所述激光器的均匀光栅中引入分布相移同时，更好地抑制沿激射光场分布的烧孔效应；所述激光器在获得稳定的单模激射同时，有更高的量子发射效率和最大输出激射功率。功率。功率。

【技术实现步骤摘要】
一种利用电极来改善激射性能的分布反馈式半导体激光器


[0001]本专利技术属于光电子
，涉及一种利用电极设计来调控分布反馈式均匀光栅半导体激光器各部分注入载流子和激射光场分布，从而改善激光器性能的方法。

技术介绍

[0002]在用均匀光栅作选频光栅的分布反馈式半导体激光器中，通常用两种方法来获得稳定的单模激射。第一种方法是在均匀光栅中制作一个真实相移来保证稳定的单模激射；另一种方法是用双紫外激光束干涉曝光来低成本制造均匀光栅，然后在激光器两端面分别镀上增透膜和高反射膜，引入随机的端面相位来使激光器单模激射。
[0003]真实相移均匀光栅的制造需要用到高精度的电子束曝光设备，制作缓慢费时因而成本高昂。而在两端面分别镀上增透膜和高反射膜引入端面相位的方法，得到的激光器单模成品率只有60％左右。此外这些分布反馈式半导体激光器在通电工作时，不可避免的烧孔效应也会导致激光器的量子发射效率等工作性能的下降。

技术实现思路

[0004]针对
技术介绍
中提到的问题，本专利技术的目的是使均匀光栅分布反馈式半导体激光器获得稳定的单模激射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用电极来改善激射性能的均匀光栅半导体激光器，其特征在于：所述激光器电极与脊条间的导电区域被设计成取样周期相同、取样占空比变化的取样图案。2.根据权利要求1所述半导体激光器，其特征在于：所述激光器的电极与脊条间的导电区域，被设计成包括第一部分导电区域、第二部分导电区域、第三部分导电区域连续的三部分。3.根据权利要求2所述半导体激光器，其特征在于：所述第一部分导电区域和第三部分导电区域的取样占空比相同，但和第二部分导电区域的取样占空比不同。4.根据权利要求3所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：周亚亭，徐亦安，赵勤贤，
申请(专利权)人：常州工学院，
类型：发明
国别省市：