天线结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种天线结构，包括一基板、一第一辐射部以及一第二辐射部。该第一辐射部设置于该基板上方的左侧，并包括连接该基板的表层走线的一第一馈入点，以及位于该第一馈入点旁且连接该基板的表层金属的边缘的一第一接地点。该第二辐射部设置于该基板上方，并位于该第一辐射部右方，且包括连接该基板的表层走线的一第二馈入点，以及位于该第二馈入点旁且连接该基板的表层金属的边缘的一第二接地点。该第二辐射部的长度与宽度皆与该第一辐射部的长度与宽度不同，且该第二辐射部与该第一辐射部之间相距一间隔。本实用新型专利技术的技术方案能提供高隔离度、高增益、大带宽，使得在相同的发射功率中提供更远的传输距离。同的发射功率中提供更远的传输距离。同的发射功率中提供更远的传输距离。

【技术实现步骤摘要】
天线结构


[0001]本技术涉及天线
，特别涉及一种天线结构。

技术介绍

[0002]现有的多发多收天线具有2支平面的倒F型天线，提供射频辐射功能，但仅限于有限的辐射带宽，带宽不够宽使得不同材质与复杂的环境对于天线的Q 值会造成共振偏移。例如在使用家庭剧院中的重低音或是环绕音响时，频率的偏移会直接影响使用者的传输距离或是造成断音现象。另外，在两支天线共存的状况下，隔离度和带宽是该都要顾及，现有技术中的天线会被塑料或是木头的材质影响共振频率，进而影响其隔离度。
[0003]因此，需要发展一成本低，能提供高隔离度、高增益、大带宽，且天线场型极化接近圆形的多发多收天线。

技术实现思路

[0004]为实现上述技术的目的，本技术提出一种天线结构，特别是一种高隔离度多发多收(MIMO)倒F型天线结构((Planar inverted
‑
F antenna,PIFA)，包括一基板、一第一辐射部以及一第二辐射部。该第一辐射部设置于该基板上方的左侧，并包括连接该基板的表层走线的一第一馈入点，以及位于该第一馈入点旁且连接该基板的表层金属的边缘的一第一接地点。该第二辐射部设置于该基板上方，并位于该第一辐射部右方，且包括连接该基板的表层走线的一第二馈入点，以及位于该第二馈入点旁且连接该基板的表层金属的边缘的一第二接地点。该第二辐射部的长度与宽度皆与该第一辐射部的长度与宽度不同，且该第二辐射部与该第一辐射部之间相距一间隔。
[0005]根据本技术一实施例，该第一馈入点与该第一接地点之间的金属长度与该第一馈入点外侧的金属长度不等长。
[0006]根据本技术一实施例，该第二馈入点与该第二接地点之间的金属长度与该第二馈入点外侧的金属长度不等长。
[0007]根据本技术一实施例，该第一辐射部与该第二辐射部的长度与宽度可在一调整范围内增减大小，使得共振频率对应改变。
[0008]本技术的有益效果是：能提供高隔离度、高增益、大带宽，使得在相同的发射功率中提供更远的传输距离。
附图说明
[0009]图1表示本技术一实施例的天线结构示意图之一；
[0010]图2表示本技术一实施例的天线结构示意图之二；
[0011]图3为图1与图2的天线结构的第一辐射部以及第二辐射部示意图；
[0012]图4表示本技术一实施例的天线结构的辐射效率的增益频率曲线图之一；
[0013]图5表示本技术一实施例的天线结构在不同频率下于XY平面、XZ平面、以及YZ
平面上的二维的场型示意图；
[0014]图6表示本技术一实施例的天线结构的辐射效率的增益频率曲线图之二；
[0015]图7表示本技术一实施例的天线结构的辐射效率的增益频率曲线图之三。
[0016]附图标记说明：
[0017]1:天线结构；10:基板；11:第二辐射部；12:第一辐射部；110:第二馈入点； 111:第二接地点；120:第一馈入点；121:第一接地点；L1～L8:长度；W1～W14:宽度；D1～D6:距离。
具体实施方式
[0018]下面将结合实施例对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0019]请参照图1，本技术提出一种天线结构1，包括一基板10、一第一辐射部12以及一第二辐射部11。该第一辐射部12设置于该基板10上方的左侧，并包括连接该基板10的表层走线的一第一馈入点120，以及位于该第一馈入点120 旁且连接该基板10的表层金属的边缘的一第一接地点121。该第二辐射部11设置于该基板10上方，并位于该第一辐射部12右方，且包括连接该基板10的表层走线的一第二馈入点110，以及位于该第二馈入点110旁且连接该基板10的表层金属的边缘的一第二接地点111。该第一辐射部12和该第二辐射部11皆设置于具四层介质的该基板10上，除走线部分皆以贯通孔联接各金属部分(无图示)。
[0020]请参照图2与图3，该第一馈入点120与该第一接地点121之间的金属长度与该第一馈入点120外侧的金属长度不等长，该第二馈入点110与该第二接地点111之间的金属长度与该第二馈入点110外侧的金属长度不等长，该第二辐射部11的长度与宽度皆与该第一辐射部12的长度与宽度不同。该第二辐射部11 与该第一辐射部12之间相距一间隔，即图3中的宽度W6。
[0021]较佳地，图中各个部分的长宽与间隔大小如下：L1＝4.5mm、L2＝6.5mm、 L3＝3.5mm、L4＝2.8mm、L5＝3.7mm、L6＝31mm、L7＝40mm、L8＝7mm、W1＝4.8mm、 W2＝2mm、W3＝2.5mm、W4＝9.8mm、W5＝1.5mm、W6＝2.5mm、W7＝3mm、 W8＝10.1mm、W9＝3.6mm、W10＝1mm、W11＝2.5mm、W12＝30mm、W13＝28mm、 W14＝1.5mm、D1＝0.5mm、D2＝6.8mm、D3＝3mm、D4＝1mm、D5＝19.8mm、D6＝1mm。另外，上述的长度W4可以延伸至11mm，W8可延伸至12mm，且W12、L1、 W5、L2、L3、W7、D3、W9、L4等部分可以在2mm的调整范围内增减大小，根据天线的不同形状大小，共振频率也会对应改变。
[0022]请参照图4～图7，在此实施例中，该第一辐射部12为1/4λ波长天线port
‑
1，该第二辐射部11为1/4λ波长天线port
‑
2。图4为此天线的S参数，针对高于 5GHz频段设计，以在不同机壳上组装时皆可达到5GHz频段，由于已知天线组装在复杂且不同材质的机壳内会造成天线频率向下偏移，所以需要通过调整长度来调整频率(曲线S11、S22、S21)，且图4中的电压驻波比(Voltage Standing WaveRatio，VSWR)为2：1。图6的曲线S11、S21的隔离度维持在
‑
15dB以下，使得在频段5GHz～6.5GHz的效率皆在50％以上，尽可能地运用两天线功率。图7 中曲线S11、S21在频段5GHz～6.4GHz对应的天线辐射增益皆在3dB以上。
[0023]图5为本实施例的天线结构在频率5.12GHz(点状线)、5.52GHz(虚线)、与 6.02GHz(实线)下于XY平面、XZ平面、以及YZ平面上的二维的场型示意图。
[0024]本技术的高隔离度高增益的多发多收天线为不对称的1/4λ波长天线，也就是该第一辐射部12(1/4λ波长天线port
‑
1)与该第二辐射部11(1/4λ波长天线 port
‑
2)。现代
无线通信中经常使用平面型倒F天线来减小体积，本技术具有匹配阻抗的两不对称1/4λ波长天线，具相反方向以进行波束成形，达到多发多收的目的。
[0025]本技术的效果能提供更大的辐射覆盖范围基于相同功率下，在一块普通4层介质基板上设计并制造了两本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线结构，其特征在于，包括：一基板；一第一辐射部，设置于该基板上方的左侧，该第一辐射部包括：一第一馈入点，连接该基板的表层走线；以及一第一接地点，位于该第一馈入点旁，连接该基板的表层金属的边缘；以及一第二辐射部，设置于该基板上方，并位于该第一辐射部右方，该第二辐射部包括：一第二馈入点，连接该基板的表层走线；以及一第二接地点，位于该第二馈入点旁，连接该基板的表层金属的边缘；其中，该第二辐射部的长度与宽度皆与该第一辐射部的长度与宽度不同，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨启昊，邱易庭，
申请(专利权)人：乔旸电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：