一种柔性膜半导体原件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体发电技术领域，具体公开了一种柔性膜半导体原件，包括间隔布置的半导体发电元件和薄膜基层，薄膜基层具有柔性，所述薄膜基层位于半导体发电元件的散热面和热源面，所述薄膜基层对应半导体发电元件散热面和热源面设有与半导体发电元件联接的金属导电层。本实用新型专利技术中的半导体发电元件热源面和散热面上以薄膜基层作为基底；由于薄膜基层具可塑性且硬度低，在实际应用中与热源表面贴合度相较于硬质陶瓷材料更好，一方面对于易变形的热源表面在发生一定程度的弯曲形变后也可以紧密贴合；另一方面可以按需生产出各种形状；由于所用材料刚性小，可卷折，耐冲撞，重量轻，因而运输成本更低。因而运输成本更低。因而运输成本更低。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性膜半导体原件


[0001]本技术涉及半导体发电
，具体涉及一种柔性膜半导体原件。

技术介绍

[0002]现有技术中常见温差发电设备大多采用的半导体温差发电元件多由陶瓷材料作为基底；陶瓷材料具有平整度高、硬度高、耐高温等特点，但同时由于其自身刚度太高的原因，难以应用在曲面和一些易变形的不平表面。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的缺陷，本技术的目的在于提供一种柔性膜半导体原件，具有更好的可塑性，能够应用于不同工作表面。
[0004]本技术采用的技术方案是：一种柔性膜半导体原件，包括间隔布置的半导体发电元件，还包括薄膜基层，所述薄膜基层具有柔性，所述薄膜基层位于半导体发电元件的散热面和热源面，所述薄膜基层对应半导体发电元件散热面和热源面设有与半导体发电元件联接的金属导电层。
[0005]本技术方案在半导体发电元件的热源面和散热面上以薄膜基层作为基底；由于薄膜基层具可塑性且硬度低，在实际应用中与热源表面贴合度相较于硬质陶瓷材料更好，对于易变形的热源表面，即使热源在发生一定程度的弯曲形变后也可以紧密贴合。在生产应用中还可以按需生产出各种形状；由于所用材料刚性小，可卷折，耐冲撞，重量轻，因而运输成本更低。既满足规模化生产需要，同时也可以适应更多的应用需求。
[0006]进一步地，所述薄膜基层截面呈瓦楞状向半导体发电元件一侧内凹布置，使薄膜基层与其外侧的接触面之间形成空腔间隙。
[0007]进一步地，所述薄膜基层截面与半导体发电元件安装面相适应。
[0008]进一步地，所述薄膜基层为耐高温薄膜层。
[0009]进一步地，位于半导体发电元件热源面一侧的所述薄膜基层带有镜面镀层。
[0010]进一步地，所述金属导电层采用印刷电路工艺印制在薄膜基层表面。
[0011]本技术的有益效果是：本技术中的半导体发电元件热源面和散热面上以薄膜基层作为基底；由于薄膜基层具可塑性且硬度低，在实际应用中与热源表面贴合度相较于硬质陶瓷材料更好，对于易变形的热源表面在发生一定程度的弯曲形变后也可以紧密贴合；并且在生产应用中还可以按需生产出各种形状；由于所用材料刚性小，可卷折，耐冲撞，重量轻，因而运输成本更低。既满足规模化生产需要，同时也可以适应更多的应用需求；具有较高的实用价值和推广价值。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。在所有附图中，类似的
元件或部分一般由类似的附图标记标识。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。
[0013]图1为本技术实施例提供的柔性膜半导体原件的结构图。
[0014]图2为本技术实施例提供的柔性膜半导体原件的热传导示意图。
[0015]附图标记：半导体发电元件100、薄膜基层200、金属导电层300、空腔间隙400、热源500、散热层600。
具体实施方式
[0016]下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0017]需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域技术人员所理解的通常意义。
[0018]如图1和图2所示，本技术实施例提供了一种柔性膜半导体原件，具体包括间隔布置的半导体发电元件100和薄膜基层200，其中，薄膜基层200具有柔性，所述薄膜基层200位于半导体发电元件100散热面和热源面，所述薄膜基层200对应半导体发电元件100散热面和热源面设有与半导体发电元件100联接的金属导电层300。
[0019]如图1和图2所示，通过上述设置，半导体发电元件100热源面和散热面上以薄膜基层200作为基底；由于薄膜基层200具可塑性且硬度低，在实际应用中与热源500表面贴合度相较于硬质陶瓷材料更好，对于易变形的热源500表面在发生一定程度的弯曲形变后也可以紧密贴合(例如较薄的金属外壳或塑料外壳)，因此适用于热水管道、热油管道、机械外壳等工作表面；在具体实施中，半导体发电元件100的热源面靠近热源500，半导体发电元件100的散热面靠近散热层600。此外，整个半导体原件在实际应用中可以按需生产出各种形状；在生产制作中将柔性的薄膜基层200设计为不同的区块单元；一整张薄膜由多个最小可分单元并联而成，裁切分割以后可以单独使用。必要时也可以将薄膜基层200设计为各种平面形状；既满足规模化生产需要，同时也可以适应更多的应用需求；由于所用材料刚性小，可卷折，耐冲撞，重量轻，因而运输成本更低。
[0020]如图1和图2所示，为了提高热传导效率，本实施例中的薄膜基层200截面呈瓦楞状向半导体发电元件100一侧内凹布置，使薄膜基层200与其外侧的接触面之间形成空腔间隙400。这样，由于在半导体材料之间的空隙处预留一定的冗余并向内弯曲或凸起,使薄膜与接触面之间形成空腔间隙400，在减小热传导的同时也减小辐射热传递，从而使热能更集中传导至半导体元件。在某些实施例中，薄膜基层200截面与半导体发电元件100安装面相适应，以确保更好的贴合效果。
[0021]如图1和图2所示，在生产应用中，薄膜基层200采用耐高温薄膜层，优先选用聚酰亚胺薄膜或玻璃纤维丝网膜；在某些实施例中也可以选用其他具有柔性材质作为基层；并且位于半导体发电元件100热源面一侧的所述薄膜基层200带有镜面镀层，镀层可采用单面镀层。
[0022]如前所述，金属导电层300位于半导体元件与薄膜基层200之间，在实际应用中，金属导电层300采用印刷电路工艺印制在薄膜基层200表面。可以按需生产出各种形状。采用
印刷电路生产工艺(沉金、覆铜、喷金喷锡等)进行生产工艺更加成熟，成本更低。
[0023]最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本技术的权利要求和说明书的范围当中。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种柔性膜半导体原件，包括间隔布置的半导体发电元件(100)，其特征在于；还包括薄膜基层(200)，所述薄膜基层(200)具有柔性，所述薄膜基层(200)位于半导体发电元件(100)的散热面和热源面，所述薄膜基层(200)对应半导体发电元件(100)散热面和热源面设有与半导体发电元件(100)联接的金属导电层(300)。2.根据权利要求1所述的柔性膜半导体原件，其特征在于；所述薄膜基层(200)截面呈瓦楞状向半导体发电元件(100)一侧内凹布置，使薄膜基层(200)与其外侧的接触面之间形成空腔间...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰永强，
申请(专利权)人：集跬科技杭州有限责任公司，
类型：新型
国别省市：