【技术实现步骤摘要】
用于硅太阳能电池的正面银浆及其制法、硅太阳能电池的正面电极、硅太阳能电池
[0001]本专利技术涉及一种用于硅太阳能电池的正面银浆及其制法、硅太阳能电池的正面电极、硅太阳能电池。
技术介绍
[0002]相关技术中,硅太阳能电池的硅基板上设有减反射膜(多为氧化硅涂层),减反射膜上设有栅线图形,栅线图形中设有由正面导电银浆形成的正面电极。在硅太阳能电池片的制造工艺中,首先会通过诸如气相沉积等方法在硅基板上镀出减反射膜,再利用光刻工艺或激光穿透减反射膜制备栅线图形,随即,将正面导电银浆通过丝网印刷的方式印刷在栅线内,并通过烧结使正面导电银浆腐蚀减反射膜,即可使正面导电银浆与硅基板接触;烧结完成后,导电银浆即在硅基板的表面形成栅线式的正面电极。
[0003]具体地,制造正面电极所用的导电银浆一般包括导电相(银粉)、有机载体和粘结相三部分,导电相顾名思义起导电作用,有机载体是聚合物(例如树脂和纤维素等)溶解在有机溶剂中的溶液,为导电相和粘结相的载体,起到分散导电相和粘结相,将导电相和粘结相混合起来以便丝网印刷的作用;粘结相包括 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于硅太阳能电池的正面银浆,包括玻璃粉、有机载体、银粉,其特征在于,还包括降解催化剂,以正面银浆的总重量为100%计,各组分占比为:其中,所述银粉上先后沉积有低熔点沉积物和高熔点沉积物,其中低熔点沉积物为相较于银的熔点低的物质,高熔点沉积物为相较于银的熔点高的物质;所述玻璃粉为TeO2‑
PbO
‑
Li2O主体结构玻璃粉,并还含有W、Bi、Na、K、Al、Zn、Ca、Mg、Si、Ge、Tl、Mo、B、Ce、Ti、Fe、Sb、Cu、Ag、V、Sn、Pr、Sr、Ba元素中的一种或多种;所述玻璃粉包括W元素氧化物和/或Mo元素氧化物时,W元素氧化物和/或Mo元素氧化物的添加总量为玻璃粉总摩尔量的0%~3%;所述降解催化剂能在正面银浆烧结过程中催化有机载体中的至少一种物质分解;所述有机载体中包括含硅元素添加物,所述含硅元素添加物包括二氧化硅和/或能在正面银浆烧结时分解得到二氧化硅的物质。2.如权利要求1所述的用于硅太阳能电池的正面银浆,其特征在于,所述低熔点沉积物为Li、Na、Pb、Bi中至少一种,所述高熔点沉积物为Cu、Pd、Au、Pt中的至少一种,且所述高熔点沉积物中含有Pd、Au、Pt中至少一种。3.如权利要求1所述的用于硅太阳能电池的正面银浆,其特征在于,所述低熔点沉积物的量少于所述高熔点沉积物的量,所述低熔点沉积物和所述高熔点沉积物在所述银粉上形成的镀层总厚度为1~200nm。4.如权利要求1所述的用于硅太阳能电池的正面银浆,其特征在于,以银粉总重量为100%计,其各组分占比为:银
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【专利技术属性】
技术研发人员:陈小龙,乔亮,刘兵,武会达,殷娜,
申请(专利权)人:上海银浆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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