【技术实现步骤摘要】
垂直CVT籽晶法制备外尔半金属晶体的方法
[0001]本专利技术属于新材料制备领域，具体涉及到一种大尺寸外尔半金属单晶的制备方法。
技术介绍
[0002]2014年底，翁红明教授等人通过理论计算第一次发现TaAs，TaP，NbAs和NbP等固体材料是外尔半金属材料。不同于以往的理论方案，这一系列材料能够自然合成，并且无需进行掺杂等细致繁复的调控。更重要的是，这类材料没有中心反演但保持时间反演对称，因此没有磁性材料带来的磁畴等复杂性，也可以用角分辨光电子能谱（ARPES）实验来直接观测。自从发现这些材料以来，便引起了国内外科学家们的广泛关注，因为它们表现出了一系列奇特的现象，如费米弧、超高迁移率、手性异常导致的巨大磁阻。并且有科学家预测在未来的自旋电子学甚至量子计算中这些材料将会有潜在的应用。
[0003]然而，想要获得外尔半金属的单晶材料还有诸多困难。目前已公开的制备外尔半金属晶体的方法主要为化学气相传输工艺，但是在晶体的生长过程中，不仅存在轴向温度梯度，还存在径向温度梯度，较大的径向温度梯度会导致晶体生长缺陷，并出...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种垂直CVT籽晶法制备外尔半金属晶体的方法，其特征在于，包括步骤：步骤一，将块状金属铌箔或钽箔精与粉末状的砷和碘混合获得第一混合物；步骤二，外尔半金属晶粒作为籽晶加入到第一混合物中，获得第二混合物；步骤三，将第二混合物作为反应原料加入到石英管中，将石英管抽真空后密封；步骤四，将密封后的石英管竖直放置于立式生长炉中，升温到450
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550 ℃后保温20
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40min；继续升温到1000
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1100 ℃后保温20
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40天；保温结束后缓慢冷却到450
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550 ℃后停止反应并冷却至室温。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一中，以摩尔比计，铌箔或钽箔：砷粉：碘粉=1.00：（1.02
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1.05）：（0.02
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0.05）。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：步骤一中，所述块状钽箔或铌箔为经过精细破碎后的小尺寸碎片，其厚度为0.015
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0.0...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡章贵，赵博进，邱海龙，孙印昌，霍宗举，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：
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