间隔件用多层膜及利用其的间隔件形成方法技术

本发明专利技术公开间隔件用多层膜及利用其的间隔件形成方法。本发明专利技术的间隔件用多层膜包括：第一膜，在200℃的温度下的重量减少率为2％以下，在100℃以下的温度下的线膨胀系数为50ppm/℃以下；粘结剂层，配置在上述第一膜的下部；第一减压粘结剂层，配置在上述粘结剂层的下部；以及第二膜，配置在上述第一减压粘结剂层的下部，具有40μm～300μm的厚度。具有40μm～300μm的厚度。具有40μm～300μm的厚度。

【技术实现步骤摘要】
间隔件用多层膜及利用其的间隔件形成方法


[0001]本专利技术涉及用于制造适用于多芯片封装的间隔件的间隔件用膜。
[0002]并且，本专利技术涉及形成多芯片封装中的间隔件的方法。

技术介绍

[0003]随着半导体器件制造技术的发展，正针对电子设备的小型化及多功能化进行大量研究。
[0004]多芯片封装(MCP，Multi Chip Package)技术作为半导体芯片的封装技术中的一种，是指将同类型的半导体芯片或不同类型的半导体芯片封装在一个封装中的技术。
[0005]多芯片封装技术可在较窄的封装面积中实现高速传输，因此，相比于将各个半导体芯片分别封装的技术，具有在尺寸及重量层面上的优点。
[0006]为了获得减少尺寸的效果，多芯片封装需层叠多个半导体芯片并将其配置在封装内。在这种情况下，所利用到的便是间隔件。
[0007]例如，在层叠两个半导体芯片的封装中，一个半导体芯片直接附着在封装基板，而另一个半导体芯片未直接附着在封装基板。在这种情况下，间隔件起到支撑未直接附着在封装基板的半导体芯片的作用。
[0008]通常，间隔件由金属、高分子、光致抗蚀剂等制成。当间隔件由金属或光致抗蚀剂制成时，可利用如下方法，即，在封装基板上沉积或涂敷金属或光致抗蚀剂后，可通过蚀刻去除除间隔件以外的部分。当间隔件由金属或高分子组成时，可利用如下方法，即，将间隔件制造成预定形状并将其粘结在封装基板上。
[0009]在沉积或涂敷金属或光致抗蚀剂后通过蚀刻方法形成间隔件的方法不仅需要光刻等复杂工序，而且，将产生浪费材料的问题。并且，将间隔件制造成预定形状并将其粘结在封装基板上的方法不仅难以精确制造所期望尺寸的间隔件，而且，具有难以将间隔件精确附着在封装基板上的问题。
[0010]并且，虽存在一种利用(切割)虚拟晶圆(Dummy Wafer)制造间隔件并将其粘结在封装基板上的方法，但在这种情况下，将浪费虚拟晶圆。

技术实现思路

[0011]技术问题
[0012]为了解决上述问题，本专利技术的目的在于，提供可在未使用虚拟晶圆的情况下进行切割工序的间隔件用多层膜。
[0013]本专利技术的另一目的在于，提供可在未使用虚拟晶圆的情况下利用切割工序的间隔件形成方法。
[0014]本专利技术所要实现的技术目的并不局限于以上提及的目的，本专利技术所属
的普通技术人员可通过以下内容明确理解未提及的其他目的。
[0015]技术方案
[0016]为了实现上述目的，本专利技术的间隔件用多层膜包括：第一膜，在200℃的温度下的重量减少率为2％以下，在100℃以下的温度下的线膨胀系数为50ppm/℃以下；粘结剂层，配置在上述第一膜下部；第一减压粘结剂层，配置在上述粘结剂层的下部；以及第二膜，配置在上述第一减压粘结剂层的下部，具有40μm～300μm的厚度。
[0017]上述第一膜可包含聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰胺酰亚胺、聚苯硫醚、聚邻苯二甲酰胺、聚砜、聚醚砜及聚醚酰亚胺中的至少一种。
[0018]上述第二膜可包含聚烯烃类树脂。
[0019]上述第一减压粘结剂层可包含丙烯酸类化合物。
[0020]上述粘结剂层可包含丙烯酸类化合物及环氧树脂。
[0021]上述第一减压粘结剂层的顶部的边缘可处于暴露状态。
[0022]在上述第一减压粘结剂层的紫外线固化前，上述第一减压粘结剂层与上述粘结剂层之间的附着力为20N/m～200N/m，在上述第一减压粘结剂层的紫外线固化后，上述第一减压粘结剂层与上述粘结剂层之间的附着力可以为15N/m以下。
[0023]本专利技术的间隔件用多层膜还可包括：第二减压粘结剂层，配置在上述第一膜的上部；以及覆盖膜，配置在上述第二减压粘结剂层的上部。
[0024]用于实现上述目的的本专利技术的间隔件形成方法的特征在于，包括：固定步骤，将上述间隔件用多层膜固定在框架；切割步骤，通过切割上述间隔件用多层膜来实现划片化；拾取步骤，从划片化的产物中拾取由第一膜及粘结剂层组成的间隔件；以及附着步骤，将拾取的间隔件附着在封装基板上。
[0025]在上述间隔件用多层膜中，上述第一减压粘结剂层的顶部的边缘可处于暴露状态，框架可配置在上述第一减压粘结剂层的顶部的边缘上。
[0026]专利技术的效果
[0027]本专利技术的间隔件用多层膜可包括厚度为40μm～300μm的第二膜。由此，在用于将第一膜作为单独间隔件的支撑件而划片化的切割工序中，第二膜可提供足够的支撑力。
[0028]因此，可利用切割工序从本专利技术的间隔件用多层膜中制造所期望尺寸的划片化的间隔件。并且，可使得经过切割划片化的间隔件通过拾取工序及附着工序轻松附着在封装基板。
[0029]并且，本专利技术具有如下效果，即，可通过形成间隔件来在未使用虚拟晶圆的情况下进行切割工序。
附图说明
[0030]图1为简要示出包括间隔件的多芯片封装的一例的剖视图。
[0031]图2为简要示出包括间隔件的多芯片封装的再一例的剖视图。
[0032]图3为简要示出包括间隔件的多芯片封装的还有一例的剖视图。
[0033]图4为简要示出包括间隔件的多芯片封装的另一例的剖视图。
[0034]图5为简要示出本专利技术一实施例的间隔件用多层膜的剖视图。
[0035]图6为简要示出本专利技术另一实施例的间隔件用多层膜的剖视图。
[0036]图7为简要示出本专利技术的利用切割工序的间隔件形成方法的图。
[0037]图8为对应于图7中的(a)部分、(b)部分及(c)部分的俯视图。
[0038]附图标记的说明
[0039]110：封装基板
[0040]120：第一半导体芯片单元
[0041]130：间隔件
[0042]131：粘结剂层
[0043]132：支撑件
[0044]140：第二半导体芯片单元
[0045]150：成型部
[0046]510：第一膜
[0047]520：粘结剂层
[0048]530：第二膜
[0049]535：第一减压粘结剂层
[0050]540：覆盖膜
[0051]545：第二减压粘结剂层
[0052]601：切割锯
[0053]610：框架
[0054]620：推动装置
[0055]630：吸附装置。
具体实施方式
[0056]本专利技术的目的、特定优点及新特征可通过与附图相关的详细说明和优选实施例而变得更加明确。本说明中的“一面”、“另一面”“两面”等术语仅用于对一个结构要素和其他结构要素进行区分，结构要素并不限定于上述术语。以下，在说明本专利技术的过程中，将省略有可能不必要地混淆本专利技术的主旨的有关公知技术的详细说明。
[0057]以下，参照附图，针对本专利技术的间隔件用多层膜及利用其的间隔件形成方法进行详细说明。
[0058]图1为简要示出包括间隔件的多芯片封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种间隔件用多层膜，其特征在于，包括：第一膜，在200℃的温度下的重量减少率为2％以下，在100℃以下的温度下的线膨胀系数为50ppm/℃以下；粘结剂层，配置在上述第一膜的下部；第一减压粘结剂层，配置在上述粘结剂层的下部；以及第二膜，配置在上述第一减压粘结剂层的下部，具有40μm～300μm的厚度。2.根据权利要求1所述的间隔件用多层膜，其特征在于，上述第一膜包含聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰胺酰亚胺、聚苯硫醚、聚邻苯二甲酰胺、聚砜、聚醚砜及聚醚酰亚胺中的至少一种。3.根据权利要求1所述的间隔件用多层膜，其特征在于，上述第二膜包含聚烯烃类树脂。4.根据权利要求1所述的间隔件用多层膜，其特征在于，上述第一减压粘结剂层包含丙烯酸类化合物。5.根据权利要求1所述的间隔件用多层膜，其特征在于，上述粘结剂层包含丙烯酸类化合物及环氧树脂。6.根据权利要求1所述的间隔件用多层膜，其特征在于，上述第一减压粘结剂层的顶部的边缘处于暴露状态。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣建，崔裁原，朴钟贤，申汎析，金镇范，
申请(专利权)人：利诺士尖端材料有限公司，
类型：发明
国别省市：