自由基的制造方法、芽孢的杀菌方法及癌的治疗药技术

本发明专利技术提供一种能够以高安全性容易地对芽孢等进行杀菌的新方法。本发明专利技术的自由基的制造方法的特征在于，包含对自由基产生源进行光照射而产生自由基，用上述自由基对芽孢进行处理的处理工序，所述光照射中的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。另外，本发明专利技术的芽孢的杀菌方法的特征在于，包含对自由基产生源进行光照射而产生自由基，用上述自由基对芽孢进行处理的处理工序，所述光照射中的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。所述峰值波长例如为405～470nm。所述峰值波长例如为405～470nm。所述峰值波长例如为405～470nm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自由基的制造方法、芽孢的杀菌方法及癌的治疗药


[0001]本专利技术涉及自由基的制造方法、芽孢的杀菌方法及癌的治疗药。

技术介绍

[0002]为了预防感染等，使用各种消毒剂、杀菌剂。但是，在细菌中存在形成芽孢这一耐久性极高的细胞结构的细菌(也称为芽孢形成菌或芽孢菌)。作为上述芽孢菌，例如，炭疽杆菌(Bacillus anthracis)、破伤风梭菌(Clostridium tetani)、肉毒杆菌(Clostridium boturinum)等是有名的。这些芽孢菌在增殖时以营养体存在，但在干燥、高热或者存在增殖阻碍物质或放射线等恶劣的环境下时，停止增殖，变化成几乎不与外部环境进行营养物质交换等的芽孢来生存。而且，当环境恢复成正常时，变化成营养体，再次开始增殖。因此，就上述芽孢菌而言，例如通过普通的醇类消毒液、加热等，难以实现如阻碍正常环境下的增殖开始这样的、对于芽孢菌来说的真正意义上的杀菌(非专利文献1)。
[0003]目前，作为与上述芽孢菌相关的杀菌方法，例如已知戊二醛、过氧乙酸等。但是，这些物质对例如细胞及组织的伤害性极强，例如不能对生物体使用，而金属制的医疗器械等因为会受到腐蚀，所以也不能使用。现有技术文献非专利文献
[0004]非专利文献1：M.J.Leggett,G.McDonnell,S.P.Denyer,P.Setlow与J.
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Y.Maillard,Bacterial spore structures and their protective role in biocide resistance(细菌芽孢结构及其在抗杀生物剂中的保护性作用).Journal Applied Microbiology(应用微生物学杂志),113：485
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498(2012)

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0005]因此，本专利技术的目的在于，提供一种例如能够以高安全性容易地对芽孢等进行杀菌的新方法。用于解决技术问题的手段
[0006]为了实现所述目的，本专利技术提供一种自由基的制造方法，其特征在于，包含处理工序，其中，对自由基产生源进行光照射，产生自由基，用所述自由基对芽孢进行处理；所述光照射中的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。
[0007]本专利技术的芽孢的杀菌方法的特征在于，包含处理工序，其中，对自由基产生源进行光照射，产生自由基，用所述自由基对芽孢进行处理；所述光照射中的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。
[0008]本专利技术提供一种器具的杀菌装置，其特征在于，包含试剂收容部、器具收容部、连接器、以及光照射部，
所述器具收容部和所述试剂收容部与所述连接器连结，以将收容于所述试剂收容部的试剂导入所述器具收容部，所述试剂收容部可以收容包含自由基产生源的试剂，所述器具收容部可以收容作为杀菌处理的对象的器具，所述光照射部具有对所述试剂收容部及所述器具收容部中的至少一者进行光照射的光源，所述光源的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。
[0009]本专利技术提供一种癌的治疗药，其特征在于，包含自由基产生源，用由所述自由基产生源产生的自由基对癌细胞进行处理。专利技术效果
[0010]本专利技术人等进行了深入研究，结果发现，例如不采用对人体及自然界等造成影响的UV，而仅进行峰值波长超过UV波长且600nm以下的光照射，可以由自由基产生源产生自由基。而且，根据本专利技术，通过仅进行峰值波长超过UV波长且600nm以下的光照射，能够使自由基产生源产生自由基，从而由产生的自由基对芽孢进行杀菌。所述光照射的条件对于例如环境及生物体等不是恶劣的条件，因此，对于处理的环境、工具、处理者等来说，能够以高安全性进行芽孢的杀菌处理。
附图说明
[0011]图1是确认实施例1中的枯草杆菌芽孢的菌落数的图。图2是表示实施例2中的ClO2‑
的摩尔浓度的图。图3是表示实施例3中的二氧化氯自由基浓度及氧浓度的经时变化的图。图4是表示实施例3中的二氧化氯自由基的摩尔浓度的极大值与氧的摩尔浓度的极大值之间的关系的图。图5是表示本专利技术的杀菌装置的概略的示意图。
具体实施方式
[0012]以下，举例以更具体地说明本专利技术。但是，本专利技术不限定于以下的说明。
[0013]＜自由基的制造方法＞如上所述，本专利技术的自由基的制造方法的特征在于，包含对自由基产生源进行光照射而产生自由基的产生工序，所述光照射中的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。
[0014](1)自由基产生源所述自由基产生源没有特别限制，例如，只要是在非固体的条件下产生自由基的产生源即可，具体而言，例如，是通过光照射产生自由基的产生源。关于上述自由基产生源及后述的自由基产生催化剂，例如可以引用WO2017/104797的内容。
[0015]所述自由基产生源也可以包含例如选自卤素离子、次卤酸根离子、亚卤酸根离子、卤酸根离子、高卤酸根离子中的至少一种，优选包含亚卤酸根离子。所述亚卤酸根离子例如优选为亚氯酸根离子。所述自由基产生源例如可以为上述离子，也可以为上述离子的盐。上述离子的盐例如可举出钠盐、钾盐等。
[0016]上述自由基产生源例如可以包括含氧酸或其盐，作为具体例，例如可举出卤素含氧酸或其盐。上述含氧酸例如可举出：硼酸、碳酸、原碳酸、羧酸、硅酸、亚硝酸、硝酸、亚磷酸、磷酸、砷酸、亚硫酸、硫酸、磺酸、亚磺酸、铬酸、重铬酸、以及高锰酸等。上述卤素含氧酸例如可举出：次氯酸、亚氯酸、氯酸、以及高氯酸等氯的含氧酸；次溴酸、亚溴酸、溴酸、以及高溴酸等溴的含氧酸；以及次碘酸、亚碘酸、碘酸、以及高碘酸等碘的含氧酸等。
[0017]所述自由基产生源例如也可以包含电子供体
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受体连结分子。所述电子供体
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受体连结分子没有特别限定，例如，可以是电子供体部位为1个或多个供电子基团，电子受体部位为1个或多个芳香族阳离子。所述芳香族阳离子可以是单环，也可以为稠环，芳香环可以包含杂原子，也可以不包含杂原子，可以具有除上述供电子基团以外的取代基，也可以不具有除上述供电子基团以外的取代基。在形成所述芳香族阳离子的芳香环中，例如，其成环原子数没有特别限制，例如，为5～26元环。
[0018]形成所述芳香族阳离子的芳香环例如为吡咯啉环、吡啶环、喹啉环、异喹啉环、吖啶环、3,4
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苯并喹啉环、5,6
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苯并喹啉环、6,7
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苯并喹啉环、7,8
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苯并喹啉环、3,4
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苯并异喹啉环、5,6
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苯并异喹啉环、6,7
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苯并异喹啉环、7,8
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苯并异喹啉环、以及构成这些环的碳原子中的至少一个被杂原子取代而成的环等。
[0019](2)自由基产生催化剂本专利技术的上述产生工序中的光照射也可以在使自由基产生催化剂与所述自由基产生源共存的条件下进行。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种自由基的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含对自由基产生源进行光照射而产生自由基的产生工序，所述光照射中的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述峰值波长为405～470nm的范围。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述照射光所含的波长范围的下限为380nm以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的制造方法，其中，所述光照射为用LED进行的光照射。5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述LED的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围，光谱半高宽、即半极大处全宽度为12～35nm。6.根据权利要求1～5中任一项所述的制造方法，其中，对所述自由基产生源进行的光照射为对含所述自由基产生源的流动性试剂进行的光照射。7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述流动性试剂为液体或凝胶。8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其中，所述流动性试剂的溶剂为水或缓冲液。9.根据权利要求6～8中任一项所述的制造方法，其中，所述流动性试剂的pH为5～10。10.根据权利要求1～9中任一项所述的制造方法，其中，所述自由基产生源包含选自卤素离子、次卤酸根离子、亚卤酸根离子、卤酸根离子、以及高卤酸根离子中的至少一种。11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述亚卤酸根离子为亚氯酸根离子。12.一种芽孢的杀菌方法，其特征在于，所述杀菌方法包含处理工序，其中，对自由基产生源进行光照射而产生自由基，用所述自由基对芽孢进行处理，所述光照射中的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。13.根据权利要求12所述的杀菌方法，其中，所述峰值波长为405～470nm的范围。14.根据权利要求12或13所述的杀菌方法，其中，所述照射光所含的波长范围的下限为380nm以上。15.根据权利要求12～14中任一项所述的杀菌方法，其中，所述处理工序包含：在不存在芽孢的条件下，对所述自由基产生源进行光照射而产生自由基的工序；和用所述自由基对芽孢进行处理的工序。16.根据权利要求12～14中任一项所述的杀菌方法，其中，
所述处理工序包含：在存在芽孢的条件下，对所述自由基产生源进行光照射而产生自由基，用所述自由基对芽孢进行处理的工序。17.根据权利要求12～16中任一项所述的杀菌方法，其中，所述光照射为用LED进行的光照射。18.根据权利要求17所述的杀菌方法，其中，所述LED的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围，光谱半高宽、即半极大处全宽度为12～35nm。19.根据权利要求12～18中任一项所述的杀菌方法，其中，对所述自由基产生源进行的光照射为对含所述自由基产生源的流动性试剂进行的光照射。20.根据权利要求19所述的杀菌方法，其中，所述流动性试剂为液体或凝胶。21.根据权利要求19或20所述的杀菌方法，其中，所述流动性试剂的溶剂为水或缓冲液。22.根据权利要求19～21中任一项所述的杀菌方法，其中，所述流动性试剂的pH为5～10。23.根据权利要求12～22中任一项所述的杀菌方法，其中，所述自由基产生源包含选自卤素离子、次卤酸根离子、亚卤酸根离子、卤酸根离子、以及高卤酸根离子中的至少一种。24.根据权利要求23所述的杀菌方法，其中，所述亚卤酸根离子为亚氯酸根离子。25.根据权利要求12～24中任一项所述的杀菌方法，其中，所述芽孢为芽孢杆菌属或梭菌属的芽孢。26.一种器具的杀菌装置，其特征在于，所述杀菌装置包含试剂收容部、器具收容部、连接器、以及光照射部，所述器具收容部和所述试剂收容部与所述连接器连结，以将收容于所述试剂收容部的试剂导入所述器具收容部，所述试剂收容部可以收容含自由基产生源的试剂，所述器具收容部可以收容作为杀菌处理的对象的器具，所述光照射部具有对所述试剂收容部和所述器具收容部中的至少一者进行光照射的光源，所述光源的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。27.根据权利要求26所述的杀菌装置，其中，所述试剂为流动性试剂，含有所述自由基产生源和流动性溶剂。28.根据权利要求26或27所述的杀菌装置，其中，所述试剂收容部为流动性溶剂的收容部，当向所述收容的流动性溶剂投入所述自由基产生源时，生成含所述自由基产生源的流动性试剂。
29.一种癌的治疗药，其特征在于，所述癌的治疗药包含自由基产生源，用由所述自由基产生源产生的自由基对癌细胞进行处理。30.根据权利要求29所述的癌的治疗药，其中，通过对所述自由基产生源进行光照射，能够产生自由基。31.根据权利要求30所述的癌的治疗药，其中，所述光照射中的照射光的峰值波长为超过UV波长且600nm以下的范围。32.根据权利要求31所述的癌的治疗药，其中，所述峰值波长为405～470nm的范围。33.根据权利要求31或32所述的癌的治疗药，其中，所述照射光所含的波长范围的下限为380nm以上。34.根据权利要求30～33中任一项所述的癌的治疗药，其中，所述光照射为LED进行的光照射。35.根据权利要求34所述的癌的治疗药，其中，所述LED的峰值波长为超过UV波长且600nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：古西清司，高森清人，柴田刚克，
申请(专利权)人：株式会社ACENET，
类型：发明
国别省市：