半导体激光器驱动装置、电子设备和半导体激光器驱动装置的制造方法制造方法及图纸

在半导体激光器驱动装置中，减小了半导体激光器和激光驱动器之间的配线电感。基板具有内置的激光驱动器。半导体激光器安装在所述半导体激光器驱动装置的基板的一个表面上并且从照射表面发射照射光。连接配线以0.5nH以下的配线电感电连接所述激光驱动器和所述半导体激光器。无源组件设置成面向所述半导体激光器的具有最少数量的焊盘的一侧并且连接到所述半导体激光器和所述激光驱动器。述半导体激光器和所述激光驱动器。述半导体激光器和所述激光驱动器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光器驱动装置、电子设备和半导体激光器驱动装置的制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年9月25日提交的日本在先专利申请JP2019
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174518的权益，其全部内容通过引用的方式并入本文。


[0003]本技术涉及一种半导体激光器驱动装置。更具体地，本技术涉及一种包括具有内置的激光驱动器的基板和半导体激光器的半导体激光器驱动装置、电子设备和半导体激光器驱动装置的制造方法。

技术介绍

[0004]常规地，在具有测距功能的电子装置中，经常使用称为飞行时间(ToF)的测距方法。该ToF是一种如下所述的方法，其中发光部用正弦波或矩形波的照射光照射物体，光接收部接收来自物体的反射光，并且测距操作部根据照射光和反射光之间的相位差测量距离。为了实现如上所述的测距功能，已知一种光学模块，其中发光元件和用于驱动发光元件的电子半导体芯片被收容在壳体中并且集成在一起。例如，已经提出了一种光学模块，包括：排列并且安装在基板的电极图案上的激光二极管阵列；和电连接到激光二极管阵列的驱动器集成电路(IC)(例如，参见专利文献1)。
[0005][引用列表][0006][专利文献][0007][PTL 1][0008]JP 2009
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170675A

技术实现思路

[0009][技术问题][0010]在上面描述的现有技术中，激光二极管阵列和驱动器IC集成并且配置为光学模块。然而，在该现有技术中，激光二极管阵列和驱动器IC通过多条配线电连接，并且其间的配线电感增大，从而存在半导体激光器的驱动波形可能失真的可能。这对于以数百兆赫驱动的ToF尤其成问题。
[0011]鉴于这样的情况开发了本技术，并且期望减小半导体激光器驱动装置中的半导体激光器和激光驱动器之间的配线电感。
[0012][问题的解决方案][0013]根据本技术的实施方案，提供了一种半导体激光器驱动装置和设置有半导体激光器驱动装置的电子设备，该装置包括：基板，其具有内置的激光驱动器；半导体激光器，其安装在所述基板的一个表面上；连接配线，其以0.5nH以下的配线电感电连接所述激光驱动器和所述半导体激光器；和无源组件，其设置成面向所述半导体激光器的具有最少数量的焊
盘的一侧并且连接到所述半导体激光器和所述激光驱动器。因此，激光驱动器和半导体激光器以0.5nH以下的配线电感电连接，并且无源组件设置成面向半导体激光器的具有最少数量的焊盘的一侧，从而具有缩短配线长度的效果。
[0014]进一步地，在该实施方案中，所述无源组件可以形成所述激光驱动器驱动所述半导体激光器的路径的一部分。这带来了缩短激光驱动器驱动半导体激光器的路径的配线长度的效果。
[0015]进一步地，在第一实施方案中，所述无源组件的至少一部分可以设置成重叠在所述激光驱动器上方。这带来了缩短无源组件和激光驱动器之间的配线长度的效果。
[0016]进一步地，在该实施方案中，所述无源组件可以包括电容器。在这种情况下，所述电容器可以是连接所述激光驱动器的电源电位和接地电位的去耦电容器。这带来了降低高频噪声的效果。
[0017]此外，在该实施方案中，半导体激光器驱动装置进一步地包括：光电二极管，其设置成面向所述半导体激光器的具有最少数量的焊盘的所述一侧并且监测从所述半导体激光器发射的激光的光强度，其中所述激光驱动器可以基于由所述光电二极管监测到的所述光强度驱动所述半导体激光器。这带来了确保入射到光电二极管上的光量并且提高入射灵敏度的效果。
[0018]进一步地，在该实施方案中，所述连接配线期望具有0.5mm以下的长度。进一步地，更优选地，所述连接配线为0.3mm以下。
[0019]进一步地，在该实施方案中，所述连接配线可以通过设置在所述基板上的连接通孔。这带来了缩短半导体激光器和激光驱动器之间的配线长度的效果。
[0020]进一步地，在该实施方案中，所述半导体激光器的一部分可以设置成重叠在所述激光驱动器上方。在这种情况下，所述半导体激光器的面积的50％以下的部分可以设置成重叠在所述激光驱动器上方。
[0021]进一步地，根据本技术的实施方案的半导体激光器驱动装置的制造方法包括：在支撑板的上表面上形成激光驱动器；形成所述激光驱动器的连接配线并且形成具有内置的所述激光驱动器的基板；在所述基板的一个表面上安装半导体激光器并且形成经由所述连接配线以0.5nH以下的配线电感电连接所述激光驱动器和所述半导体激光器的连接配线；和将连接所述半导体激光器和所述激光驱动器的无源组件设置成面向所述半导体激光器的具有最少数量的焊盘的一侧。因此，激光驱动器和半导体激光器以0.5nH以下的配线电感电连接，并且无源组件设置成面向半导体激光器的具有最少数量的焊盘的一侧，从而具有制造具有短配线长度的半导体激光器驱动装置的效果。
附图说明
[0022]图1是示出了根据本技术的实施方案的测距模块19的配置示例的图。
[0023]图2是示出了根据本技术的实施方案的测距模块19的截面图的示例的图。
[0024]图3是示出了根据本技术的实施方案的发光单元11的俯视图的示例的图。
[0025]图4是示出了根据本技术的实施方案的发光单元11的截面图的示例的图。
[0026]图5是示出了根据本技术的实施方案的发光单元11的电路配置的示例的图。
[0027]图6是示出了根据本技术的实施方案的发光单元11中的回路509部分的截面图的
示例的图。
[0028]图7A是示出了根据本技术的实施方案的基板100的每一层的布局的示例的图。
[0029]图7B是示出了根据本技术的实施方案的基板100的每一层的布局的示例的图。
[0030]图8A是示出了根据本技术的实施方案的基板100的每一层的布局的另一示例的图。
[0031]图8B是示出了根据本技术的实施方案的基板100的每一层的布局的另一示例的图。
[0032]图9A是示出了根据本技术的实施方案的激光驱动器200和半导体激光器300之间的重叠量的定义的图。
[0033]图9B是示出了根据本技术的实施方案的激光驱动器200和半导体激光器300之间的重叠量的定义的图。
[0034]图9C是示出了根据本技术的实施方案的激光驱动器200和半导体激光器300之间的重叠量的定义的图。
[0035]图10是示出了在通过叠加法形成配线图案的情况下相对于配线长度L和配线宽度W的配线电感的数值示例的图。
[0036]图11是示出了在通过消减法形成配线图案的情况下相对于配线长度L和配线宽度W的配线电感的数值示例的图。
[0037]图12A是示出了根据本技术的实施方案的激光驱动器200的制造过程中铜触点(copper land)和铜配线层(重布线层(redistribution layer)：RDL)的处理步骤的示例的第一图。
[0038]图12B是示出了根据本技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光器驱动装置，包括：基板，其具有内置的激光驱动器；半导体激光器，其安装在所述基板的一个表面上；连接配线，其以0.5nH以下的配线电感电连接所述激光驱动器和所述半导体激光器；和无源组件，其设置成面向所述半导体激光器的具有最少数量的焊盘的一侧并且连接到所述半导体激光器和所述激光驱动器。2.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动装置，其中所述无源组件形成所述激光驱动器驱动所述半导体激光器的路径的一部分。3.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动装置，其中所述无源组件的至少一部分设置成重叠在所述激光驱动器上方。4.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动装置，其中所述无源组件包括电容器。5.根据权利要求4所述的半导体激光器驱动装置，其中所述电容器是连接所述激光驱动器的电源电位和接地电位的去耦电容器。6.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动装置，进一步地包括：光电二极管，其设置成面向所述半导体激光器的具有最少数量的焊盘的所述一侧并且监测从所述半导体激光器发射的激光的光强度，其中所述激光驱动器基于由所述光电二极管监测到的所述光强度驱动所述半导体激光器。7.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动装置，其中所述连接配线具有0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：加治伸暁，大岩达矢，安川浩永，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：