一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％

【技术实现步骤摘要】
一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法，属于特种粉末制备


技术介绍

[0002]二硅化钽具有高熔点、低电阻率、抗腐蚀、抗高温氧化等优异性能，作为栅材料、集成电路的连结线路、高温抗氧化涂层填料等，在电热元件、高温结构部件、电子器件等方面得到了较广泛的研究与应用。
[0003]二硅化钽制备方法主要有燃烧合成法或自蔓延高温合成法、电弧熔炼法、机械化学反应法等。机械化学法是采用高能球磨的方式引入高密度缺陷和纳米界面来促进元素扩散，从而直接反应合成二硅化钽，该过程也容易引入球磨介质杂质元素。电弧熔炼法是利用电能在电极与电极之间或电极与被熔炼物料之间产生电弧来熔炼金属的方法。该制备方法一般需要较长时间的均匀化来获得所需的产物，同时在熔炼过程中由于挥发造成的硅损失可能导致一些杂相的生成。上述两种方法在批量化制备方面存在不足。自蔓延高温合成法(燃烧合成法)是目前二硅化钽粉体制备的主流方法。它是利用元素/化合物反应放热来合成金属间化合物的方法，首先需要利用外部提供必需的能量诱发高放热化学反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯二硅化钽粉末，其特征在于，通过在高纯硅粉和高纯钽粉的混合粉体中引入占硅粉和钽粉总重量的10％
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30％的高纯TaSi2粉体，在惰性气氛中高温反应制备而成。2.根据权利要求1所述的高纯二硅化钽粉末，其特征在于，所述高纯硅粉平均粒度在1
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10微米之间，纯度在99.99％以上，所述高纯钽粉平均粒度在5
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20微米之间，纯度在99.9％以上。3.一种权利要求1或2所述的高纯二硅化钽粉末的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％
‑
30％，加入玛瑙球...

【专利技术属性】
技术研发人员：周敏，陈均优，张庆猛，杨志民，杨剑，
申请(专利权)人：有研工程技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：