【技术实现步骤摘要】
一种磷化镉的制备方法
[0001]本专利技术属于太阳能材料合成
,尤其涉及一种磷化镉的制备方法。
技术介绍
[0002]磷化镉,绿色四方针状结晶,密度5.6g/cm3,熔点700℃;其是一类具有优良性质的p型半导体材料,直接禁带且带隙较窄,只有0.55eV,在紫外
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可见
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红外区域均具有较强的光发射和光吸收,因此,其在光电器材如太阳能电池等方面具有着非常好的应用前景。
[0003]目前磷化镉的制备很少有报道,常规的化合物一般采用液相合成,由于磷和镉的高蒸汽压,需要合成的装置的耐压较大,在两者的熔点以上,通常需要大于5Mpa,因此,对设备的要求、合成的环境要求较高。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种纯度高、操作适用性高的磷化镉制备方法。
[0005]为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案为:一种磷化镉的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
[0006](1)将单质磷和单质镉混合均匀,置于惰性气 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磷化镉的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:(1)将单质磷和单质镉混合均匀,置于惰性气体环境下进行化合反应,得磷化镉粗品;(2)将步骤(1)所述磷化镉粗品置于惰性气体环境下熔融,得磷化镉合成料;(3)将步骤(2)所述磷化镉合成料粉碎除杂,得磷化镉。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,单质磷和单质镉的摩尔比为2:3。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,化合反应的条件为:先从室温以3
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5℃/min的升温速率升温至300
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350℃,保温30
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50min,然后以7
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10℃/min的升温速率升温至500
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550℃,保温30
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60min。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,惰性气体环境的气体压力为2.5
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3Mpa。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,熔融的条件为:先从室温以10
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15℃/min的升温速率升温至500
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600℃,保温3
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5h,然后以5
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10℃/min的升温速率升温至800
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【专利技术属性】
技术研发人员:文崇斌,周荣艳,朱刘,童培云,余芳,
申请(专利权)人:先导薄膜材料广东有限公司,
类型:发明
国别省市:
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