布局结构制造技术

本发明专利技术提供一种电容额外寄生值极小且容易与其他电路整合的布局结构。布局结构适用于信号格式转换器。布局结构包括第一电容阵列以及第二电容阵列。第一电容阵列配置在参考轴线的一侧。第一电容阵列包括多个第一电容单元。多个第一电容单元形成多个第一电容。多个第一电容分别具有多个第一电容值。第二电容阵列配置在参考轴线的另一侧。第二电容阵列包括多个第二电容单元。多个第二电容单元形成多个第二电容。多个第二电容分别具有多个第二电容值。多个第一电容分别对应多个第二电容。每一第一电容与对应的每一第二电容对称于参考轴线或每一第一电容与对应的每一第二电容对称于参考轴线。相对应的每一第一电容与每一第二电容具有相同的电容值。具有相同的电容值。具有相同的电容值。

【技术实现步骤摘要】
布局结构


[0001]本专利技术涉及一种布局结构，特别是涉及一种电容额外寄生值极小的布局结构。

技术介绍

[0002]于现今半导体产业中，电容为相当重要而基本的元件。其中，金属-氧化物-金属(Metal-Oxide-Metal，MOM)电容结构为一种常见的电容结构，其基本设计为在作为两电极的正金属极板与负金属极板之间充填绝缘介质，而使正金属极板与负金属极板以及其中之绝缘介质可形成一个电容单元。一般而言，在电容结构的设计中，可透过将电极之间的绝缘介质之厚度降低、或者增加电极表面积等方式来提高单位电容值。
[0003]除此之外，若将带有寄生电容的电容结构应用至实际电路中，金属极板形成的寄生电容也将影响电路整体效能，因此如何降低引起干扰的寄生电容也为设计电容结构的一个重要考量。随着半导体微型化的需求，如何在现有制程规格下改良电容结构以降低形成干扰的寄生电容已然成为重要的研究课题。尤其是，对于由大量电容组成的电路架构而言，寄生电容更是直接影响电路的整体表现。
[0004]举例而言，逐次逼近暂存器(Successive Approximation Register，SAR)模数转换器(Analog-to-Digital Converter，ADC)的架构需要带有大量的电容的电容阵列。然而，电容阵列的设计方式时常会造成额外的寄生电容值，导致SAR ADC的电容不匹配，进而使得电路的输出结果不理想。并且，在设计电容阵列时，为了减少使用的面积时所采用的紧凑排列，使得电容阵列不容易与其他电路整合。

技术实现思路

[0005]本专利技术是针对一种布局结构，布局结构的电容额外寄生值极小。
[0006]根据本专利技术的实施例，布局结构适用于信号格式转换器。布局结构包括第一电容阵列以及第二电容阵列。第一电容阵列配置在参考轴线的一侧。第一电容阵列包括多个第一电容单元。多个第一电容单元形成多个第一电容。多个第一电容分别具有多个第一电容值。第二电容阵列配置在参考轴线的另一侧。第二电容阵列包括多个第二电容单元。多个第二电容单元形成多个第二电容。多个第二电容分别具有多个第二电容值。多个第一电容分别对应多个第二电容。每一第一电容与对应的每一第二电容对称于参考轴线或每一第一电容与对应的每一第二电容相距相同的距离。相对应的每一第一电容与每一第二电容具有相同的电容值。
[0007]根据上述，本专利技术的布局结构中，每一第一电容与对应的每一第二电容对称于参考轴线或每一第一电容与对应的每一第二电容相距相同的距离，且相对应的每一第一电容与每一第二电容具有相同的电容值。因此，本专利技术的布局结构可让SAR ADC的电容匹配，进而使得电路输出理想的结果。
[0008]为让本专利技术的上述特征和优点更能明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
[0009]包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。
[0010]图1示出本专利技术的一实施例的布局结构的示意图；
[0011]图2示出本专利技术的一实施例的布局结构的示意图；
[0012]图3示出本专利技术一实施例的布局结构的实施方式示意图；
[0013]图4示出本专利技术一实施例的布局结构的实施方式示意图；
[0014]图5示出本专利技术一实施例的布局结构的实施方式示意图；
[0015]图6示出本专利技术的一实施例的电容阵列的示意图；
[0016]图7示出本专利技术的一实施例的电容单元的上视示意图。
[0017]附图标号说明
[0018]100、200、300、400：布局结构；
[0019]110、210、310、410、510：第一电容阵列；
[0020]111、311、411、511：第一电容；
[0021]120、220、320、420、520：第二电容阵列；
[0022]121、321、421、521：第二电容；
[0023]190、290、390、490、590：参考轴线；
[0024]231、241：第一侧边；
[0025]232、242：第二侧边；
[0026]233、243、333、343、433、443、533、543：第三侧边；
[0027]234、244：第四侧边；
[0028]271、272、273、274、275、276：补偿电容区块；
[0029]280、281、282、283、284：冗余电容区块；
[0030]600：电容阵列；
[0031]B1、B2、B3、B4_1、B4_2、BC1、BC2、BD、BU1、BU2：下电极；
[0032]C：电容值；
[0033]CC1：第一补偿电容单元；
[0034]CC2：第二补偿电容单元；
[0035]CD：冗余电容单元；
[0036]CU1：第一电容单位；
[0037]CU2：第二电容单位；
[0038]L1：第一金属层；
[0039]L2：第二金属层；
[0040]L3：第三金属层；
[0041]L4：第四金属层；
[0042]STW：信号传输导线；
[0043]T2、T3、T4、TC1、TC2、TD、TU1、TU2：上电极；
[0044]V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11：连接通孔；
[0045]X、Y、Z：方向。
具体实施方式
[0046]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分然而，本专利技术可以多种不同的形式来实践，并非限制于下文中所述的实施例。此外，在图式中为明确起见，可能将各层与各元件的尺寸以及相关尺寸作夸张化的描绘。
[0047]请参照图1，图1示出本专利技术的一实施例的布局结构的示意图。布局结构100可包括第一电容阵列110以及第二电容阵列120。并且，第一电容阵列110可配置在参考轴线190的一侧。同时，第二电容阵列120可配置在参考轴线190的另一侧。并且，第一电容阵列110可包括多个第一电容111，并且多个第一电容111分别具有不相同的多个第一电容值。同时，第二电容阵列120可包括多个第二电容121，并且多个第二电容分别具有不相同的多个第二电容值。此外，第一电容111及第二电容121的每一者可由多个电容单元(图未示)所形成。关于电容单元的实施细节，在图6及图7提供了一种范例进行说明，但本专利技术不以此为限。
[0048]需要说明的是，图1中的第一电容阵列110及第二电容阵列120可分别包括3个第一电容及3个第二电容121，但本专利技术的第一电容111及第二电容121的数量不以此为限。
[0049]再者，本实施例中，第一电容阵列110中的多个第一电容，分别与第二电容阵列120中的多个第二电容相对。每一第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种布局结构，适用于信号格式转换器，包括：第一电容阵列，配置在参考轴线的一侧，所述第一电容阵列包括多个第一电容单元，所述多个第一电容单元形成多个第一电容，所述多个第一电容分别具有多个第一电容值；以及第二电容阵列，配置在所述参考轴线的另一侧，所述第二电容阵列包括多个第二电容单元，所述多个第二电容单元形成多个第二电容，所述多个第二电容分别具有多个第二电容值，其中，所述多个第一电容分别对应所述多个第二电容，每一所述第一电容与对应的所述每一第二电容对称于所述参考轴线或每一所述第一电容与对应的所述每一第二电容相距相同的距离，相对应的所述每一第一电容与所述每一第二电容具有相同的电容值。2.如权利要求1所述的布局结构，其中所述第一电容阵列与所述第二电容阵列形成相同的矩形。3.如权利要求1所述的布局结构，其中所述多个第一电容值形成第一等比数列，所述多个第二电容值形成第二等比数列，所述第一等比数列与所述第二等比数列的公比相同。4.如权利要求1所述的布局结构，其中所述多个第一电容单元与所述多个第二电容单元的每一具有相同的结构。5.如权利要求1所述的布局结构，其中每一所述第一电容的形状为阶梯形、L形、U形或矩形，每一所述第一电容的形状与对应的每一所述第二电容的形状相同。6.如权利要求1所述的布局结构，更包括：第一补偿电容区块，其中所述第一电容阵列的第一侧边与所述参考轴线相邻，所述第一补偿电容区块设置在所述第一电容阵列的第一侧边与所述参考轴线间；以及第二补偿电容区块，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：篮子为，林伟健，
申请(专利权)人：扬智科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：