【技术实现步骤摘要】
真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法
[0001]本专利技术涉及陶瓷覆铜板
，具体涉及真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法。
技术介绍
[0002]IGBT模块封装中所产生的热量主要是经陶瓷覆铜板传到散热板最终传导出去，陶瓷覆铜基板是影响模块长期使用的关键部分之一。随着电动汽车(EV)对IGBT模块功率要求不断增加，陶瓷覆铜板在高温下的可靠性越发重要。但是，陶瓷和铜之间固有的热膨胀系数差异会导致陶瓷覆铜基板承受热，循环时，在铜和陶瓷界面产生较大的应力，导致陶瓷开裂或铜层剥离，进而导致模块失效，可靠性降低。
技术实现思路
[0003]本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术存在的不足，提供一种提高基板在温度冲击下的可靠性，同时降低内部电感，切实有效地助力于降低损耗、减小体积的真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法，包括以下步骤：
[0005]S1：将瓷片用加入清洁剂的清洁液清洗干净，清水中过3>‑
5遍；本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将瓷片用加入清洁剂的清洁液清洗干净，清水中过3
‑
5遍；S2：将步骤S1中清洗后的瓷片放入5～10％的盐酸液中泡5～10分钟，再浸入去离子水中超声波清洗30分钟后，以酒精脱水，80℃的温度下烘干30～60分钟；S3：将烘干后的瓷片的两侧表面均匀涂覆一层活性焊料并在60～80℃的温度下烘干；S4：将铜片贴合在活性焊料的表面；S5：将压板夹住铜片的表面，并在压板上施加1～10Kg/cm2的重力；S6：将步骤S4中的组合体放入真空保持5*10e3～10e4pa,温度850～950℃的真空炉中保温10min进行钎焊。2.根据权利要求1所述的真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法，其特征在于：所述瓷片选用0.25～0.5um氮化硅瓷片。3.根据权利要求1或2所述的真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法，其特征在于：所述清洁液由重量占比5～10％的清洁剂和重量占比90～95％的纯净水组成。4.根据权利要求1或2所述的真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法，其特征在于：所述步骤S3中采用60～150目的丝网或缕空钢片网漏印的方式涂覆活性焊料。5.根据权利要求4所述的真空热压活性钎焊法制备覆铜板的方法，其特征在于：所...
【专利技术属性】
技术研发人员：康丁华，刘溪海，颜勇，
申请(专利权)人：娄底市安地亚斯电子陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：
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