半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成初始第一导电结构；平坦化所述初始第一导电结构，在衬底上形成第一导电结构；采用第一清洁工艺对所述第一导电结构表面进行表面处理；对第一导电结构表面进行表面处理之后，在第一导电结构上形成第二导电结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]金属互连结构是半导体器件中不可或缺的结构，用于实现有源区与有源区之间的互连、晶体管和晶体管之间的互连、或者不同层金属线之间的互连，完成信号的传输和控制。因此，在半导体制造过程中，金属互连结构的形成对半导体器件的性能以及半导体制造成本有着很大的影响。为了增加器件的密度，在集成电路中的半导体器件的尺寸已经被不断减小，为了实现各个半导体器件的电连接，通常需要多层互连结构。
[0003]一般的，在半导体器件制造过程的后端互连工艺中，第一层金属层(M1)需要与下层的有源器件结构(包含源漏区域和栅极结构区域)之间形成电学连接。因此，在形成第一层金属层之前，通常需要预先形成半导体器件的局部互连结构(Local Interconnect)。所述局部互连结构包含：与下层的源漏区之间电连接的第零层金属层(M0)、以及与栅极结构之间电连接的第零层栅金属层(M0G)。
[0004]然而，现有技术中具有局部互连结构的半导体结构的制造工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成初始第一导电结构；平坦化所述初始第一导电结构，在衬底上形成第一导电结构；采用第一清洁工艺对所述第一导电结构表面进行表面处理；对第一导电结构表面进行表面处理之后，在第一导电结构上形成第二导电结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二导电结构之后，还包括：采用第二清洁工艺对所述第二导电结构表面进行表面处理；对第二导电结构表面进行表面处理之后，在第二导电结构表面上形成第三导电结构。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一清洁工艺包括干法清洁工艺、湿法清洁工艺或热退火工艺；所述第二清洁工艺包括干法清洁工艺、湿法清洁工艺或热退火工艺。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法清洁工艺的气体包括氮气或氩气。5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法清洁工艺的清洗液包括酸性溶液，所述酸性溶液的参数为：溶液包括硝酸溶液、硫酸溶液或氢氟酸溶液；溶液PH范围为4～6.8；溶液浓度范围为5％～30％。6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述热退火工艺的参数为：温度范围为350摄氏度～550摄氏度；时间为60秒～120秒。7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在衬底上形成初始第一导电结构之前，还包括：在衬底上形成第一介质层；所述初始第一导电结构位于所述第一介质层内。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电结构包括第一粘附层和位于第一粘附层上的第一金属层；所述第一导电结构的形成方法包括：在第一介质层内形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出衬底表面；在第一介质层上、第一凹槽侧壁表面和底部表面形成第一粘附材料层；在第一粘附材料层上形成第一金属材料层，所述第一粘附材料层和第一金属材料层构成所述初始第一导电结构；平坦化所述初始第一导电结构，直至暴露出第一介质层表面，形成所述第一导电结构。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一粘附层的材料包括氮化钛；所述第一金属层的材料包括钨。10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属材料层的工艺包括物理气相沉积工艺、电镀工艺或化学镀工艺。11.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭雯，于海龙，段超，崔明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：