半导体热处理设备及其水蒸气供给装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种半导体热处理设备及其水蒸气供给装置。该水蒸气供给装置包括：流体通道、雾化组件及加热器；流体通道的两端分别为输入端及输出端，输入端用于通入高纯水，输出端用于与工艺腔室连接，以向工艺腔室提供水蒸气；流体通道沿高纯水的流动方向依次设置有雾化组件和加热器，雾化组件用于对通入的高纯水进行雾化，以形成雾化水，加热器用于对雾化水进行加热，以形成水蒸气。本申请实施例实现了为工艺腔室提供高温水蒸气的目的，并且由于高纯水对于密封要求等级低，不仅能大幅提高安全性，而且还能降低应用及制造成本。而且还能降低应用及制造成本。而且还能降低应用及制造成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体热处理设备及其水蒸气供给装置


[0001]本申请涉及半导体加工
，具体而言，本申请涉及一种半导体热处理设备及其水蒸气供给装置。

技术介绍

[0002]目前，在半导体氧化热处理设备中，湿氧氧化处理工艺具有成膜速率快的优点，已被集成电路制造工艺中广泛使用，纯净的水蒸汽是湿氧氧化工艺中必不可少的反应气体。现有技术如图1所示，将纯净的氢气和氧气按照一定的比例经过进气管组件201通入点火腔室202内，在外部加热器203的作用下，氢气在氧气中剧烈燃烧，产生纯净的高温水蒸汽进入工艺腔室204。
[0003]但是由于氢气是一种易燃易爆的特种气体，对于密封性的等级要求较高，对应的设备的制造成本较高，并且一旦发生泄露则危险性较高；若点火腔室202内的氢气燃烧不充分，氢气会随水蒸气一同进入工艺腔室204内的顶部累积，当氢气累积到爆炸极限时会发生爆炸，因此导致设备的安全性较差。现有的点火腔室202长度还需要根据氢气流量不同进行配置，即流量越大点火腔室202的长度越长，使得现有设备的利用率较低且成本较高，并且由于氢气的制备需要消耗能源，提高了应用成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种水蒸气供给装置，与半导体热处理设备的工艺腔室相连，用于向所述工艺腔室提供水蒸气，其特征在于，包括：流体通道、雾化组件及加热器；所述流体通道的两端分别为输入端及输出端，所述输入端用于通入高纯水，所述输出端用于与所述工艺腔室连通，以向所述工艺腔室提供水蒸气；所述流体通道沿高纯水的流动方向依次设置有雾化组件和加热器，所述雾化组件用于对通入的高纯水进行雾化，以形成雾化水，所述加热器用于对雾化水进行加热，以形成水蒸气。2.如权利要求1所述的水蒸气供给装置，其特征在于，所述雾化组件包括有超声波发生器，所述超声波发生器包覆于所述流体通道的外周，用于向流体通道发射超声波，以使所述高纯水形成雾化水。3.如权利要求2所述的水蒸气供给装置，其特征在于，所述雾化组件还包括有分散筛板，所述分散筛板设置于所述流体通道内，且所述分散筛板设置于所述超声波发生器的上游，用于将所述高纯水分散为液滴状态。4.如权利要求3所述的水蒸气供给装置，其特征在于，多个所述分散筛板沿所述高纯水的流动方向依次排列，并且多个所述分散筛板的目数沿所述高纯水的流动方向逐渐增多。5.如权利要求1所述的水...

【专利技术属性】
技术研发人员：周李邦，王立卡，杨帅，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：