一种功率变换电路的晶圆布局结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种功率变换电路的晶圆布局结构，包括：第一基板、第二基板、正半桥臂电路以及负半桥臂电路，所述正半桥臂电路设置于所述第一基板上，所述负半桥臂电路设置于所述第二基板上；所述正半桥臂电路和负半桥臂电路中，二极管根据流体运动方向设置于开关管的两侧。本实用新型专利技术能够在各种运行工况下更好地保证功率变换器中功率模块内部以及功率模块之间的热均匀分布，能够最大化利用散热器面积，使功率变换器提供更大的输出功率，进一步提高功率变换器的功率密度。提高功率变换器的功率密度。提高功率变换器的功率密度。

【技术实现步骤摘要】
一种功率变换电路的晶圆布局结构


[0001]本技术涉及一种晶圆布局结构，尤其涉及一种热分布均匀的功率变换电路的晶圆布局结构。

技术介绍

[0002]现有技术中，针对于NPC三电平逆变器，通常在散热器上或者功率模块中对各个位置的功率管是对称布局的。这样两个在电路上相邻的器件在物理实现上也是相邻的，可以做到相邻器件之间的连线最短，同时设计简单。但是，在实际的NPC电路工作中，不仅要考虑相邻器件的连线短，还应该全面的考虑各个位置的器件在不同工况的发热情况，从热分布均匀的出发点来实现系统的最优化。针对于NPC逆变电路，在功率因数为1的情况下，调制比由高变低对应功耗由开关管S1、开关管S4向二极管D5、二极管D6转移，在功率因数为0的情况下，调制比由高变低对应功耗由二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4向开关管S2、开关管S3、二极管D5和二极管D6转移，采用常规布局将由于热分布不均严重影响系统的出力能力。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是需要提供一种能够最大化利用散热器面积的功率变换电路的晶圆布局结构，便于为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率变换电路的晶圆布局结构，其特征在于，包括：第一基板、第二基板、正半桥臂电路以及负半桥臂电路，所述正半桥臂电路设置于所述第一基板上，所述负半桥臂电路设置于所述第二基板上；所述正半桥臂电路和负半桥臂电路中，二极管根据流体运动方向设置于开关管的两侧。2.根据权利要求1所述的功率变换电路的晶圆布局结构，其特征在于，所述正半桥臂电路包括二极管D1、二极管D2、开关管S1、开关管S2以及二极管D5，所述二极管D1和二极管D2分别设置于所述开关管S1和开关管S2的上方，所述二极管D5设置于所述开关管S1和开关管S2的下方。3.根据权利要求2所述的功率变换电路的晶圆布局结构，其特征在于，所述开关管S1设置于所述开关管S2的左方。4.根据权利要求2或3所述的功率变换电路的晶圆布局结构，其特征在于，所述负半桥臂电路包括二极管D3、二极管D4、开关管S3、开关管S4以及二极管D6，所述二极管D3和二极管D4分别设置于所述开关管S3和开关管S4的上方，所述二极管D6设置于所述开关管S3和开关管S4的下方。5.根据权利要求4所述的功率变换电路的晶圆布局结构，其特征在于，所述开关管S4设置于所述开关管S3的左方。6.根据权利要求4所述的功率变换电路的晶圆布局结构，其特征在于，所述二极管D1的阴极与所述开关管S1的集电极连接至电源正极，所述二极管D1的阳极、开关管S1的发射极、二极管D2的阴极、开关管S2的集电极以及二极管D5的阴极相连接，所述二极管D2的阳极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹莘剑，
申请(专利权)人：深圳科士达科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：