一种过压保护电路及电子设备制造技术

本申请实施例提供一种过压保护电路及电子设备，涉及电子产品技术领域。该过压保护电路包括第一电阻、第二电阻、第一三极管、第二三极管、MOSFET管和稳压二极管；第一电阻的两端分别连接电源输入端、第二电阻的一端，第二电阻的另一端接地；第一三极管的第一端连接第二电阻的一端，第一三极管的第二端连接第二三极管的第一端，第一三极管的第三端连接稳压二极管的阴极；第二三极管的第二端连接MOSFET管的第一端，第二三极管的第三端连接电源输入端；MOSFET管的第二端连接电源输入端，MOSFET管的第三端连接电源输出端；稳压二极管的阳极接地。该过压保护电路可以设置过压值的大小，实现保护电压可调节以及降低设备成本的技术效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
一种过压保护电路及电子设备


[0001]本申请涉及电子产品
，具体而言，涉及一种过压保护电路及电子设备。

技术介绍

[0002]近年来，电子电压产品越来越多，从3.3V到48V供电的产品，电源设计时一直存在一个电压不稳定的问题，特别是当输入电压大于电子产品所能承受的最大电压时，会造成电子产品的烧毁。因此，目前市场上出现了输入电压检测和保护的各种电路和方法，TVS(Transient Voltage Suppressor，瞬态二极管)器件是重要的保护手段之一，但TVS器件存在局限性，当输入电压过压一直存在时，会烧毁TVS器件，且不可恢复。
[0003]现有技术中，现在的很多产品要求输入系统过压电压消失后产品还能继续工作，保证产品正常；现在常用的保护手段只能保护电子产品，不能保护电路本身，造成一旦保护器件被烧，需要返厂维修，工序复杂，造成成本较高的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种过压保护电路及电子设备，以解决
技术介绍
中存在技术问题之一。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种过压保护电路，包括第一电阻、第二电阻、第一三极管、第二三极管、MOSFET管和稳压二极管；
[0006]所述第一电阻的两端分别连接电源输入端、所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；
[0007]所述第一三极管的第一端连接所述第二电阻的一端，所述第一三极管的第二端连接所述第二三极管的第一端，所述第一三极管的第三端连接所述稳压二极管的阴极；
[0008]所述第二三极管的第二端连接所述MOSFET管的第一端，所述第二三极管的第三端连接所述电源输入端；
[0009]所述MOSFET管的第二端连接所述电源输入端，所述MOSFET管的第三端连接电源输出端；
[0010]所述稳压二极管的阳极接地。
[0011]在上述实现过程中，该过压保护电路通过稳压二极管和第一三极管、第二三极管、MOSFET管三个三极管的连接，实现电源输入端和电源输出端之间的通断控制；当电源输入端的输入电压超过过压参考值时，第一三极管导通，稳压二极管处于反向击穿状态，第二三极管导通，继而MOSFET管截止，电源输入端和电源输出端之间的通路断开，电源输出端停止输出，从而实现过压保护；该过压保护电路通过设置第一电阻和第二电阻之间的阻值比例或调节稳压二极管的稳压值调节过压参考值的大小，实现提高保护电压可调节以及降低设备成本的技术效果。
[0012]进一步地，所述过压保护电路还包括第三电阻，所述第三电阻的一端连接所述电源输入端，所述第三电阻的另一端连接所述第一三极管的第二端。
[0013]在上述实现过程中，第三电阻为稳压二极管的限流电阻，其作用是保护稳压二极管，避免电流过大而烧坏稳压二极管；此外，第三电阻还作为第二三极管的上拉电阻。
[0014]进一步地，所述过压保护电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端连接所述第二三极管的第二端，所述第四电阻的另一端接地。
[0015]在上述实现过程中，第四电阻作为下拉电阻，在电源输入端为正常值时给MOSFET管确定状态，以使MOSFET管导通，电源输出端正常输出电压。
[0016]进一步地，所述第一三极管为NPN型三极管。
[0017]进一步地，所述第一三极管的第一端为所述NPN型三极管的基极，所述第一三极管的第二端为所述NPN型三极管的集电极，所述第一三极管的第三端为所述NPN型三极管的发射极。
[0018]进一步地，所述第二三极管为PNP型三极管。
[0019]进一步地，所述第二三极管的第一端为所述PNP型三极管的基极，所述第二三极管的第二端为所述PNP型三极管的集电极，所述第二三极管的第三端为所述PNP型三极管的发射极。
[0020]进一步地，所述MOSFET管的第一端为所述MOSFET管的栅极，所述MOSFET管的第二端为所述MOSFET管的源极，所述MOSFET管的第三端为所述MOSFET管的漏极。
[0021]进一步地，所述MOSFET管为P沟道MOSFET管。
[0022]第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括第一方面任一项所述的过压保护电路。
[0023]本申请公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，或者，部分特征和优点可以从说明书推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请公开的上述技术即可得知。
[0024]为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0026]图1为本申请实施例提供的一种过压保护电路的电路示意图；
[0027]图2为本申请实施例提供的输出电压
‑
输入电压的曲线示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。
[0029]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0030]本申请实施例提供了一种过压保护电路及电子设备，可以应用于后级负载的过压保护。
[0031]示例性地，本申请实施例所称的三极管，只是对三个引脚的放大器件的统称；本申请实施例提供的三极管可以是晶体管、MOSFET(Metal Oxide Semi
‑
Conductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体)管等。
[0032]请参见图1，图1为本申请实施例提供的一种过压保护电路的电路示意图，该过压保护电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一三极管Q1、第二三极管Q2、MOSFET管Q3和稳压二极管D1。
[0033]需要注意的是，图1所示的电路图中，各个电子元器件的型号、数值均作为示例而非限定，各个电子元器件也可以是其他型号、数值。
[0034]示例性地，第一电阻R1的两端分别连接电源输入端VIN、第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地。
[0035]示例性地，第一电阻R1和第二电阻R2串联在电源输入端VIN和接地端之间，通过调节第一电阻R1和第二电阻R2之间的阻值比例，即可调节第二电阻R2的分压。
[0036]示例性地，第一三极管Q1的第一端连接第二电阻R2的一端，第一三极管Q1的第二端连接第二三极管Q2的第一端，第一三极管Q1的第三端连接稳压二极管的阴极。
[0037]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括第一电阻、第二电阻、第一三极管、第二三极管、MOSFET管和稳压二极管；所述第一电阻的两端分别连接电源输入端、所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；所述第一三极管的第一端连接所述第二电阻的一端，所述第一三极管的第二端连接所述第二三极管的第一端，所述第一三极管的第三端连接所述稳压二极管的阴极；所述第二三极管的第二端连接所述MOSFET管的第一端，所述第二三极管的第三端连接所述电源输入端；所述MOSFET管的第二端连接所述电源输入端，所述MOSFET管的第三端连接电源输出端；所述稳压二极管的阳极接地。2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括第三电阻，所述第三电阻的一端连接所述电源输入端，所述第三电阻的另一端连接所述第一三极管的第二端。3.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括第四电阻，所述第四电阻的一端连接所述第二三极管的第二端，所述第四电阻的另一端接地。4.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈继光，陈锐鸿，钟声，廖庆，冯文斌，
申请(专利权)人：广州导远电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：